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刘宪成

作品数：21 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 9篇电子电信

主题

  • 13篇二极管
  • 12篇外延层
  • 7篇肖特基
  • 7篇肖特基二极管
  • 5篇势垒
  • 3篇电极
  • 3篇电压
  • 3篇双向触发二极...
  • 3篇肖特基势垒
  • 3篇反向电压
  • 3篇高温稳定性
  • 3篇保护器件
  • 3篇触发二极管
  • 2篇电极结构
  • 2篇电流放大
  • 2篇电流放大系数
  • 2篇电位
  • 2篇电阻
  • 2篇压降
  • 2篇氧化层

机构

  • 21篇杭州士兰集成...
  • 4篇杭州士兰集昕...
  • 3篇成都士兰半导...

作者

  • 21篇刘宪成
  • 5篇王英杰
  • 5篇徐敏杰
  • 4篇吴贵阳
  • 3篇崔建
  • 2篇王平
  • 2篇吴志伟
  • 1篇王明辉
  • 1篇王平

传媒

  • 2篇中国集成电路

年份

  • 3篇2025
  • 2篇2024
  • 3篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2018
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 4篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种新结构LED保护器件的设计研究
2014年
针对现有LED旁路保护器件的技术不足,提供了一种低成本但又能满足实际需求的LED局部损坏旁路保护器件的结构。所设计的保护器件集成了晶闸管、电阻及二极管等结构,以四层晶闸管为核心部件,利于提高瞬变电压的耐受能力;在其中增设两个二极管,分别用于调整器件正向工作时的启动电压和为反向工作时提供电流通道。经过流片、封装、测试,获得了主要性能参数。测试结果表明,当正向电压大于4.5V时,器件内部的可控硅结构被触发启动,器件性能符合设计要求。
王平徐敏杰王英杰刘宪成
关键词：LED保护器件晶闸管
静电防护电路、静电防护器件及其制造方法
本公开提供了一种静电防护电路、静电防护器件及其制造方法，静电防护电路包括第一和第二防护单元，每个防护单元包括第一晶体管、第二晶体管、第一电阻构成的第一电流路径以及第二电阻和第一二极管构成的第二电流路径，第一静电防护单元与...
喻洋刘宪成
半导体结构及集成电路
公开了一种半导体结构及集成电路，半导体结构包括衬底，衬底具有第一掺杂类型；位于衬底上的外延层，外延层具有第一掺杂类型；位于外延层中的基区以及发射区，发射区与基区接触，发射区具有第一掺杂类型，基区具有第二掺杂类型，第一掺杂...
吴贵阳刘宪成闫赵宇胡海峰
静电防护电路、静电防护器件及其制造方法
本公开提供了一种静电防护电路、静电防护器件及其制造方法，静电防护电路包括第一晶体管、第二晶体管、第一电阻和维持电压提升模块构成的电流路径以及第二电阻和第一二极管构成的电流路径，当第一电位大于第二电位时，电流经过第一晶体管...
喻洋刘宪成
双向触发二极管芯片
本实用新型提供一种双向触发二极管芯片，包括：形成于一衬底正面上的外延层；形成于所述衬底与外延层之间的埋层；形成于所述外延层中的基区、二极管掺杂区、电阻区；形成于所述基区中的发射区；以及贯穿所述外延层并延伸至衬底中的隔离槽...
王英杰徐敏杰刘宪成崔建
文献传递
肖特基二极管
本实用新型揭示了一种肖特基二极管，包括：半导体衬底；外延层，位于所述半导体衬底的一侧；保护环，位于背离所述半导体衬底一侧的所述外延层中；凹槽，位于所述外延层背离所述半导体衬底一侧的表面，所述保护环包围所述凹槽，并与所述凹...
郭广兴刘宪成梁厅丁伯继
文献传递
低势垒肖特基二极管的制作方法及结构
本发明揭示了一种低势垒肖特基二极管的制作方法及结构，在N型外延层和具有开窗的钝化层上覆盖势垒金属层钛，并其上覆盖金属保护层氮化钛；进行加热合金工艺，使所述势垒金属层与所述开窗中的N型外延层发生合金反应，形成势垒合金层。选...
刘宪成吴志伟王平
文献传递
一种半导体光敏器件
一种半导体光敏器件，包括：半导体层；光敏区场氧化层，暴露出至少部分的光敏区；减反射层，覆盖光敏区、场氧化层的表面和侧壁；刻蚀停止层，位于减反射层上，暴露出减反射层位于光敏区上方的至少部分，刻蚀停止层包括第一部分和围绕第一...
吴贵阳胡海峰陈秋芳刘宪成
肖特基二极管及其制作方法
本发明揭示了一种肖特基二极管，包括：半导体衬底；外延层，位于所述半导体衬底的一侧；保护环，位于背离所述半导体衬底一侧的所述外延层中；凹槽，位于所述外延层背离所述半导体衬底一侧的表面，所述保护环包围所述凹槽，并与所述凹槽通...
郭广兴刘宪成梁厅丁伯继
文献传递
肖特基二极管及其制作方法
本发明提供一种肖特基二极管及制作方法，本发明所述肖特基二极管及制作方法通过设置第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区均匀分布在所述势垒区的内部，所述第二掺杂区形成于所述第一掺杂区和所述外延层表面之间且每一所述第二掺杂区与...
刘宪成梁勇陈向东方佼李其鲁
文献传递
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