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崔建

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 11篇二极管
  • 4篇电压
  • 4篇外延层
  • 4篇管芯
  • 4篇二极管芯片
  • 3篇电极
  • 3篇三极管
  • 3篇双向触发二极...
  • 3篇基极
  • 3篇集电极
  • 3篇工作电压
  • 3篇恒流
  • 3篇恒流二极管
  • 3篇发射极
  • 3篇反向二极管
  • 3篇负电极
  • 3篇衬底
  • 3篇触发二极管
  • 2篇灯具
  • 2篇电流放大

机构

  • 14篇杭州士兰集成...
  • 1篇兰州大学

作者

  • 14篇崔建
  • 12篇徐敏杰
  • 11篇王英杰
  • 5篇王平
  • 3篇韩健
  • 3篇刘宪成
  • 1篇杨建红
  • 1篇蔡雪原
  • 1篇王旭

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇中国科技期刊...
  • 1篇中文科技期刊...

年份

  • 2篇2019
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
LED保护二极管的结构及其制造方法
本发明的一种LED保护二极管芯片制造方法及其LED保护二极管芯片的结构和具有保护二极管芯片的保护装置，其步骤包括在P+衬底上进行N型外延、对N型外延表面进行氧化、光刻刻蚀、P+窗口进行P+硼扩散等步骤。LED保护二极管芯...
王英杰王平崔建徐敏杰
文献传递
恒流二极管及其制造方法
本发明提供了一种恒流二极管，包括：衬底；形成于所述衬底上的外延层；形成于所述衬底和外延层之间的第一掺杂区；形成于所述外延层中的第二掺杂区、第三掺杂区和第四掺杂区；形成于所述第三掺杂区表面的第一正电极和形成于所述第二掺杂区...
王英杰徐敏杰崔建丁伯继
文献传递
高工作电压LED保护二极管及其结构和相应的制造方法
本发明提出一种高工作电压LED保护二极管，包括：PNP三极管、NPN三极管、P/N+反向二极管、P/N外延二极管和P/N+正向二极管模块；PNP三极管的发射极与P/N外延二极管的负极连接，PNP三极管的基极、P/N+反向...
王英杰王平韩健崔建徐敏杰
仿真技术在半导体和集成电路生产流程优化中的应用
2019年
近些年我国各个领域发展较快,工业化进程逐步加快,半导体与集成电路生产制造需要大量资金,生产流程复杂程度也较高。集成电路生产制造中特殊性和复杂性主要是体现在各类产品工序较多,对设备利用率具有较高要求。特殊性明显的生产工艺特征使得半导体集成电路工序中排队优化策略和诸多制造业相比复杂性更强,对生产效率以及生产制造周期具有较大影响。
崔建
关键词：仿真技术半导体集成电路
双向触发二极管芯片
本实用新型提供一种双向触发二极管芯片，包括：形成于一衬底正面上的外延层；形成于所述衬底与外延层之间的埋层；形成于所述外延层中的基区、二极管掺杂区、电阻区；形成于所述基区中的发射区；以及贯穿所述外延层并延伸至衬底中的隔离槽...
王英杰徐敏杰刘宪成崔建
文献传递
恒流二极管及其制造方法
本发明提供了一种恒流二极管，包括：衬底；形成于所述衬底上的外延层；形成于所述衬底和外延层之间的第一掺杂区；形成于所述外延层中的第二掺杂区、第三掺杂区和第四掺杂区；形成于所述第三掺杂区表面的第一正电极和形成于所述第二掺杂区...
王英杰徐敏杰崔建丁伯继
文献传递
高工作电压LED保护二极管及其结构和相应的制造方法
本发明提出一种高工作电压LED保护二极管，包括：PNP三极管、NPN三极管、P/N+反向二极管、P/N外延二极管和P/N+正向二极管模块；PNP三极管的发射极与P/N外延二极管的负极连接，PNP三极管的基极、P/N+反向...
王英杰王平韩健崔建徐敏杰
文献传递
半导体器件与集成电路的ESD防护技术研究与实现
2019年
现如今人们对于半导体器件相关技术的研究已经相当深入,研究中特别希望提升器件的抗静电能力,最大限度消除静电危害。本文中简单研究了半导体器件与集成电路的ESD防护技术,结合其器件ESD仿真与改进设计与测试验证功能实现两点深入分析,了解该防护技术的功能优越性。
崔建
关键词：半导体器件集成电路
高工作电压LED保护二极管及其结构
本实用新型提出一种高工作电压LED保护二极管，包括：PNP三极管、NPN三极管、P/N+反向二极管、P/N外延二极管和P/N+正向二极管模块；PNP三极管的发射极与P/N外延二极管的负极连接，PNP三极管的基极、P/N+...
王英杰王平韩健崔建徐敏杰
文献传递
恒流二极管
本实用新型提供了一种恒流二极管，包括：衬底；形成于所述衬底上的外延层；形成于所述衬底和外延层之间的第一掺杂区；形成于所述外延层中的第二掺杂区、第三掺杂区和第四掺杂区；形成于所述第三掺杂区表面的第一正电极和形成于所述第二掺...
王英杰徐敏杰崔建丁伯继
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