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吴志伟

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇势垒
  • 3篇肖特基
  • 3篇肖特基二极管
  • 3篇二极管
  • 2篇外延层
  • 2篇化物
  • 2篇硅化物
  • 2篇合金
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化钛
  • 1篇电极
  • 1篇电极结构
  • 1篇淀积
  • 1篇金属
  • 1篇硅表面
  • 1篇硅化钛
  • 1篇合金层

机构

  • 3篇杭州士兰集成...

作者

  • 3篇王平
  • 3篇吴志伟
  • 2篇刘宪成
  • 1篇梁勇
  • 1篇何金祥

年份

  • 2篇2012
  • 1篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种肖特基二极管的正面电极结构及其工艺制造方法
本发明公开了一种肖特基二极管的正面电极工艺方法及其电极结构，所述的方法包括常规的外延、氧化、一次光刻、硼注入、退火、二次光刻、二氧化硅腐蚀、势垒淀积、势垒合金、势垒腐蚀步骤外，本发明采用了清洗，依次真空蒸发接触层金属Ti...
吴志伟梁勇王平何金祥
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低势垒肖特基二极管的制作方法及结构
本发明揭示了一种低势垒肖特基二极管的制作方法及结构，在N型外延层和具有开窗的钝化层上覆盖势垒金属层钛，并其上覆盖金属保护层氮化钛；进行加热合金工艺，使所述势垒金属层与所述开窗中的N型外延层发生合金反应，形成势垒合金层。选...
刘宪成吴志伟王平
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低势垒肖特基二极管的结构
本实用新型揭示了一种低势垒肖特基二极管的结构，包括半导体衬底；N型外延层，位于所述半导体衬底的正面；钝化层，位于所述N型外延层上，所述钝化层具有开窗；势垒合金层，位于所述开窗中的N型外延层上，所述势垒合金层的材质为钛的硅...
刘宪成吴志伟王平
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