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孙德明

作品数：41 被引量：2H指数：1
供职机构：上海集成电路研发中心更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 40篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 15篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...

主题

  • 20篇图像
  • 20篇感器
  • 20篇传感
  • 20篇传感器
  • 18篇图像传感器
  • 11篇CMOS图像
  • 9篇二极管
  • 9篇CMOS图像...
  • 7篇载流子
  • 7篇光电
  • 7篇光电二极管
  • 6篇量子效率
  • 6篇掺杂
  • 5篇电荷
  • 5篇介质层
  • 5篇隔离区
  • 5篇暗电流
  • 4篇导电类型
  • 4篇等位
  • 4篇栅极

机构

  • 41篇上海集成电路...
  • 14篇成都微光集电...
  • 3篇上海集成电路...
  • 1篇清华大学

作者

  • 41篇孙德明
  • 8篇周伟
  • 3篇王全
  • 3篇范春晖
  • 3篇董洁琼
  • 2篇卢意飞
  • 1篇王浩
  • 1篇严利人
  • 1篇张伟
  • 1篇王全
  • 1篇张伟
  • 1篇王浩

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2024
  • 6篇2023
  • 3篇2022
  • 2篇2021
  • 5篇2020
  • 5篇2019
  • 5篇2018
  • 5篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 4篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
共 41 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
快恢复二极管制备方法
本发明涉及一种快恢复二极管制备方法，包括如下步骤：在N‑型衬底表面生长一牺牲氧化层；在衬底上形成一P型掺杂场限环区；在衬底上形成一P型掺杂阳极区；刻蚀去除牺牲氧化层；对衬底退火，以形成PN结；通过离子注入向衬底表面注入氧...
王全董洁琼孙德明周伟
文献传递
一种高压器件的保护环结构及其制造方法
本发明揭示了一种高压半导体功率器件中的保护环结构以及制造方法。该保护环结构包括间断的氧化层、N型单晶硅衬底、金属场板、器件区、多个P+型注入扩散环和等位环，还包括零偏压下完全耗尽的N型注入扩散环和零偏压下完全耗尽的P型注...
孙德明周伟
文献传递
一种CMOS图像传感器结构及制造方法
本发明公开了一种CMOS图像传感器结构，自下而上包括：P+型衬底，第一P型轻掺杂层和第二P型轻掺杂层，P阱；第二P型轻掺杂层之间的第一P型轻掺杂层上设有第一N型中掺杂层，第一N型中掺杂层上依次设有N型轻掺杂层和第三N型中...
孙德明
探测器及制造方法
本发明提供一种探测器及制造方法，所述探测器包括探测单元，每个探测单元包括：第一P型掺杂层；形成于第一P型掺杂层的正面的第一N型掺杂层；环绕第一N型掺杂层的P型隔离层；形成于第一N型掺杂层上的第二N型掺杂层以及第二P型掺杂...
孙德明
一种单光子雪崩二极管及其制备方法
本发明公开的一种单光子雪崩二极管，包括P型衬底，位于P型衬底上的高压N阱以及高压N阱之间的P型隔离区；位于高压N阱中的N型注入扩散层和P型注入扩散层；位于N型注入扩散层和P型注入扩散层周围的P型保护环和N型接触端；位于P...
孙德明
文献传递
一种提高CMOS图像传感器量子效率的光电二极管结构
本发明公开了一种提高CMOS图像传感器量子效率的光电二极管结构，位于轻掺杂衬底中，包括重置晶体管、传输晶体管、PN光电二极管、像素单元隔离区、阱区和环状硅区；所述传输晶体管的两端分别连接所述重置晶体管和PN光电二极管；所...
孙德明
文献传递
快恢复二极管制备方法
本发明涉及一种快恢复二极管制备方法，包括如下步骤：在N-型衬底表面生长一牺牲氧化层；在衬底上形成一P型掺杂场限环区；在衬底上形成一P型掺杂阳极区；刻蚀去除牺牲氧化层；对衬底退火，以形成PN结；通过离子注入向衬底表面注入氧...
王全董洁琼孙德明周伟
文献传递
图像传感器
本申请提供一种图像传感器，涉及半导体技术领域，用于解决电荷转移噪声和集成度难以兼顾的技术问题，该图像传感器包括：具有多个光电掺杂区的衬底；设置在衬底上的多个栅极结构，每个栅极结构包括栅极，以及位于栅极和衬底之间的栅介质层...
李梦卢意飞孙德明
一种FRD器件结构及其制造方法
本发明提供一种FRD器件结构和及其制作方法，在FRD器件结构的沟槽侧壁上形成绝缘层，使所述绝缘层与P型掺杂区的表面复合作为复合中心，从而形成从P型掺杂区到绝缘层的复合途径，进而有效改善器件的反向恢复特性；并且因沟槽侧壁上...
孙德明
图像传感器及其制备方法
本申请提供一种图像传感器及其制备方法，图像传感器沿衬底厚度方向依次设置有第一掺杂部、第二掺杂部和第三掺杂部。第三掺杂部中设置有沿第一方向间隔设置的多个第四掺杂部。第一掺杂部和第二掺杂部为第一掺杂类型，第三掺杂部和第四掺杂...
孙德明
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