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董洁琼

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：上海集成电路研发中心更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇牺牲
  • 2篇快恢复二极管
  • 2篇硅表面
  • 2篇二极管
  • 2篇场限环
  • 1篇电场
  • 1篇电场强度
  • 1篇掩膜
  • 1篇深井
  • 1篇外延层
  • 1篇小尺寸
  • 1篇离子注入
  • 1篇击穿电压
  • 1篇极区
  • 1篇光刻
  • 1篇场强

机构

  • 3篇上海集成电路...

作者

  • 3篇周伟
  • 3篇王全
  • 3篇孙德明
  • 3篇董洁琼

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
快恢复二极管制备方法
本发明涉及一种快恢复二极管制备方法，包括如下步骤：在N‑型衬底表面生长一牺牲氧化层；在衬底上形成一P型掺杂场限环区；在衬底上形成一P型掺杂阳极区；刻蚀去除牺牲氧化层；对衬底退火，以形成PN结；通过离子注入向衬底表面注入氧...
王全董洁琼孙德明周伟
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快恢复二极管制备方法
本发明涉及一种快恢复二极管制备方法，包括如下步骤：在N-型衬底表面生长一牺牲氧化层；在衬底上形成一P型掺杂场限环区；在衬底上形成一P型掺杂阳极区；刻蚀去除牺牲氧化层；对衬底退火，以形成PN结；通过离子注入向衬底表面注入氧...
王全董洁琼孙德明周伟
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一种小尺寸集成功率器件的制造方法
本发明的小尺寸集成功率器件的制造方法，包括在半导体衬底上形成外延层，在外延层上依次沉积缓冲层和氮化硅层；以氮化硅层为掩膜，经光刻和刻蚀，在外延层中形成沟槽；保留氮化硅层，并在沟槽内壁表面形成牺牲氧化层；以氮化硅层为掩膜，...
董洁琼王全孙德明周伟
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