您的位置： 专家智库 > >

范春晖

作品数：42 被引量：0H指数：0
供职机构：上海集成电路研发中心更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 42篇中文专利

领域

  • 11篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...

主题

  • 15篇衬底
  • 13篇纳米
  • 13篇纳米线
  • 11篇感器
  • 11篇半导体
  • 11篇传感
  • 11篇传感器
  • 10篇硅衬底
  • 10篇硅纳米线
  • 9篇图像
  • 6篇单晶
  • 6篇自顶向下
  • 6篇二极管
  • 5篇电阻
  • 5篇图像传感器
  • 5篇隔离区
  • 5篇光电
  • 5篇光电二极管
  • 5篇场板
  • 4篇单晶硅

机构

  • 42篇上海集成电路...
  • 10篇成都微光集电...
  • 4篇上海集成电路...

作者

  • 42篇范春晖
  • 13篇王全
  • 8篇周伟
  • 4篇王言虹
  • 4篇奚鹏程
  • 3篇左青云
  • 3篇孙德明
  • 2篇姚嫦娲
  • 2篇李琛

年份

  • 4篇2023
  • 1篇2022
  • 3篇2021
  • 4篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 4篇2017
  • 3篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 8篇2013
  • 2篇2012
  • 4篇2011
共 42 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
CIS像素阵列任意像元完全耗尽电压的测试电路
本发明提供一种CIS像素阵列任意像元完全耗尽电压的测试电路，包括若干个像素单元和读出电路，所述像素单元呈行列排布，且通过所述读出电路相连；同一列的像素单元的传输管的栅极共用一第一电压输入端；同一行的像素单元的悬浮漏极共用...
王玮范春晖
一种肖特基二极管势垒高度的提取方法
本发明公开了种肖特基二极管势垒高度的提取方法。通过测量肖特基二极管的反向I-V特性曲线，以(-V)<Sup>1/4</Sup>为横坐标，以ln|I|为纵坐标，在一段负偏压区间内外推曲线与纵轴相交，截距为C，得到零偏压下肖...
范春晖王全
文献传递
一种单晶硅衬底上制备硅纳米线的方法
本发明公开了一种在单晶硅衬底上制备硅纳米线的方法，包括：提供轻掺杂的单晶硅衬底；光刻定义硅纳米线以及硅纳米线支撑区域的图形；以光刻胶为掩膜，从硅纳米线图形的两侧分别以倾斜角度注入高浓度的杂质离子，并去胶；快速热退火，以激...
范春晖王全
带有绝缘埋层的半导体结构及其制备方法
本发明涉及半导体技术领域，公开了一带有绝缘埋层的半导体结构，包括：支撑衬底、通过绝缘埋层与所述支撑衬底隔离的顶层半导体层，形成于所述顶层半导体层上的MOS晶体管结构，其特征在于，所述顶层半导体层和绝缘埋层之间还包括半导体...
范春晖王全
文献传递
一种硅纳米线阵列的制备方法
本发明提供一种硅纳米线阵列的制备方法，包括：提供一个轻掺杂的硅衬底；依次外延生长一层第一掺杂浓度的硅层和一层第二掺杂浓度的硅层，并重复上述步骤2遍；光刻定义硅纳米线以及硅纳米线支撑区域的图形；刻蚀所述单晶硅衬底上第一和第...
范春晖王全
文献传递
一种高动态范围图像传感器像素单元及其制备方法
本发明公开了一种高动态范围图像传感器像素单元及其制备方法，通过增加光罩及调整不同注入菜单，在光电二极管的注入区形成多个并联连接且具有不同面积、掺杂浓度、结深及感光电容的N型掺杂区，使光电二极管可对入射光进行分段感光，以提...
范春晖顾学强
文献传递
晶体管隔离结构及其制造方法
本发明公开了一种晶体管隔离结构及其制造方法，属于半导体器件领域，该方法包括：在半导体衬底上设置隔离沟槽；在所述隔离沟槽的内表面设置有半导体缓冲层；设置有半导体缓冲层的所述沟槽中填充有绝缘层；其中，所述半导体缓冲层的禁带宽...
范春晖孙德明周伟
文献传递
一种CMOS图像传感器中白色像素分布的分析装置及方法
本发明公开了一种CMOS图像传感器中白色像素分布的分析方法，包括如下步骤：S01：CMOS图像传感器的测量数据经过数据输入模块传输至预处理模块；S02：预处理模块根据白色像素阈值将测量数据转换为二值图；S03：筛选模块去...
王鹏飞李琛孙红霞余学儒葛星辰姚嫦娲范春晖顾学强
文献传递
一种槽栅功率器件及制造方法
本发明提供了一种槽栅功率器件及制备方法，包括：带有漏区、漂移区、沟道区、源区的半导体衬底，位于半导体衬底内的沟槽，位于漂移区内的沟槽表面的第一介质层和沟道区内的第二介质层，以及填充于第一和第二介质层中的多晶硅，其中，第一...
范春晖王全
文献传递
硅纳米线的制备方法
本发明涉及一种硅纳米线的制备方法，包括如下步骤：在单晶体硅衬底上沉积第一二氧化硅层；光刻定义硅纳米线的宽度，刻蚀第一二氧化硅层，以刻蚀剩余的第一二氧化硅层为掩膜刻蚀单晶体硅衬底形成硅纳米线条；沉积第二二氧化硅层和氮化硅层...
范春晖王全
文献传递
全选 清除 导出
共5页<12345>
聚类工具0