折伟林
- 作品数：39 被引量：61H指数：5
- 供职机构：华北光电技术研究所更多>>
- 发文基金：上海市自然科学基金国家自然科学基金军内科研计划重点项目更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术机械工程理学更多>>
- Hg_(1-x)Cd_xTe/CdTe/Si薄膜厚度测试方法的研究被引量：5
- 2012年
- 在分子束外延生长高质量的CdTe/Si复合衬底上,分别通过MBE和LPE技术成功地研制出Hg1-xCdxTe/CdTe/Si红外探测器所需的重要红外半导体材料。利用傅里叶变换红外光谱仪对Hg1-xCdxTe/CdTe/Si红外半导体材料的红外透射光谱进行测试分析且计算薄膜厚度,并配合扫描电子显微镜对其厚度计算分析进行校正,最终获得一种无破坏、无污染、快捷方便的多层膜厚度测试方法。
- 折伟林田璐晋舜国许秀娟沈宝玉王文燕
- 关键词：扫描电子显微镜分子束外延液相外延
- PBN坩埚生长碲锌镉单晶的性能与缺陷研究被引量：1
- 2019年
- 采用垂直布里奇曼法,利用热解氮化硼(PBN)坩埚生长碲锌镉单晶(CdZnTe),并对晶体进行定向、切割与磨抛制成(111)面碲锌镉晶片。采用傅里叶红外透过光谱仪、红外透射显微镜、金相显微镜、X射线形貌仪、X射线衍射仪和X射线双晶衍射仪等仪器系统地检测和研究了碲锌镉晶体的性能与缺陷。研究发现:相比于石英坩埚,采用PBN坩埚生长的碲锌镉晶体单晶率和出片率均大幅增加,孪晶、小角晶界和位错密度明显减少。
- 范叶霞徐强强侯晓敏折伟林吴卿周立庆
- 关键词：碲锌镉晶体位错密度
- 液相外延碲镉汞薄膜表面“陨石坑”状缺陷研究
- 2024年
- 随着红外探测器技术的发展,对高质量碲镉汞外延材料质量的要求逐渐提高,这也对碲锌镉衬底质量提出了更高的要求。对液相外延碲镉汞薄膜表面上一种尺寸较大且周围伴有平台的点状缺陷进行了形貌及成分表征。该类型缺陷的形貌类似于中间凹陷的陨石坑(简称“陨石坑”状),其组分与碲镉汞外延膜正常区域相比未出现明显偏离。研究发现,液相外延过程中在碲镉汞生长溶液与碲锌镉衬底接触前,衬底表面出现近似三角形、圆形的缺陷,且该缺陷下方存在孔洞类形貌,在该缺陷之上外延的碲镉汞薄膜表面会出现“陨石坑”状缺陷。该缺陷的来源定位为后续控制此类缺陷的产生提供了支撑。
- 胡易林杨海燕侯晓敏李乾牛佳佳郝斐折伟林王利军
- 关键词：碲镉汞碲锌镉孔洞聚焦离子束
- CdSeTe分子束外延技术研究
- 2023年
- 对HgCdTe红外探测器CdSexTe1-x衬底材料的分子束外延生长条件、组分调整等进行了简单介绍。生长条件包括生长结构(主要有CdSexTe1-x/CdTe/ZnTe/Si、CdSexTe1-x/ZnTe/GaAs等)、生长温度(300℃左右)、生长厚度(5μm左右)等。组分调整包括分析Se组分随(JSe+JTe)/JCd和JSe/(JSe+JTe)的变化。JSe/(JSe+JTe)值较小时,Se组分较难融入外延层;JSe/(JSe+JTe)值较大时,Se组分增长较迅速。同时,若JSe/(JSe+JTe)值较小,则Se组分增长趋势相对较易控制。当JSe/(JSe+JTe)值一定时,Se组分随着(JSe+JTe)/JCd的减小而增大。Se组分变化的突增点随(JSe+JTe)/JCd值的减小而增大。本文可为高性能HgCdTe红外探测器的制备提供一定的参考。
- 何温王丛高达邢伟荣柏伟杨海燕折伟林
- 关键词：分子束外延
- 分子束外延In掺杂硅基碲镉汞研究
- 2023年
- 利用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE)系统生长了In掺杂硅基碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride, MCT)材料。通过控制In源温度获得了不同掺杂水平的高质量MCT外延片。二次离子质谱仪(Secondary Ion Mass Spectrometer, SIMS)测试结果表明,In掺杂浓度在1×1015~ 2×1016 cm-3之间。表征了不同In掺杂浓度对MCT外延层位错的影响。发现位错腐蚀坑形态以三角形为主(沿<111>方向排列),且位错密度与未掺杂样品基本相当。对不同In掺杂浓度的材料进行汞饱和低温处理后,样品的电学性能均有所改善。结果表明,In掺杂能够提高材料的均匀性,从而获得较高的电子迁移率。
- 王丹李震高达邢伟荣王鑫折伟林
- 关键词：分子束外延碲镉汞
- 碲镉汞薄膜少子寿命测试研究
- 2021年
- 碲镉汞(HgCdTe)材料的少子寿命是影响碲镉汞红外探测器性能的重要参数。分别采用微波光电导衰减(Microwave Photoconductivity Decay,-PCD)法和微波探测光电导(Microwave Detected Photoconductivity,MDP)法对HgCdTe薄膜的少子寿命进行了研究。结果表明,随着激光功率的增强,样品的少子寿命降低;由于载流子复合机制的变化,HgCdTe薄膜的少子寿命随温度的增加有先增后减的趋势。通过HgCdTe薄膜少子寿命面分布可以得出样品不同区域的载流子浓度分布与均匀性。对于HgCdTe薄膜材料来说,以上两种测试结果的面分布状况相近。
- 折伟林申晨李乾刘铭李达师景霞
- 关键词：碲镉汞少子寿命
- 退火工艺对HgCdTe材料位错密度及电学性能影响的研究被引量：2
- 2023年
- 实验分别采用高低温退火和循环变温退火方式对液相外延生长的HgCdTe材料进行饱和汞压热处理,研究了两种热处理工艺对碲镉汞材料位错密度及电学性能的影响。结果表明:相较于高低温退火,经循环变温退火后HgCdTe材料的位错密度有了明显的降低,并且材料的迁移率有了显著的提升。研究发现循环变温退火是一种较好提升HgCdTe材料性能的热处理方法。
- 邢晓帅折伟林杨海燕郝斐胡易林牛佳佳王鑫赵东生
- 关键词：碲镉汞位错密度电学性能载流子迁移率
- 基于低维材料的光电探测器的发展被引量：1
- 2022年
- 为了更有效地抢占新型资源,各个国家都致力于航空、航天和海洋等空间的探索,以占据最大的优势位置。光电系统在资源占领过程中起决定性作用。针对其核心部件——光电探测器,介绍了量子点、石墨烯、过渡金属硫化物和黑磷等新型探测器材料的基本结构、特点以及发展现状,并就未来发展方向和应用领域进行了预测。
- 牛佳佳刘铭邢伟荣李乾折伟林
- 关键词：量子点石墨烯
- 3英寸CdTe/Si复合衬底外延技术研究被引量：20
- 2011年
- 报道了采用分子束外延法,在3 in硅衬底上通过As钝化、ZnTe缓冲层生长、CdTe生长、周期性退火等工艺进行CdTe/Si复合衬底制备技术研究情况,采用光学显微镜、X射线高分辨衍射仪、原子力显微镜、红外傅里叶光谱仪和湿化学腐蚀等手段对碲化镉薄膜进行了表征,测试分析结果表明碲化镉薄膜的晶向得到了较好的控制,孪晶得到了抑制,且具有较好晶体结构质量和均匀性。
- 周立庆刘铭巩锋董瑞清折伟林常米
- 关键词：碲化镉硅基分子束外延
- 工业X射线CT在红外焦平面探测器中的应用
- 2019年
- 介绍了工业X射线CT测试仪在红外焦平面探测器中的应用。利用CT可以非破坏性地对杜瓦组件和制冷机进行探伤分析,尤其是探测内部结构故障和缺陷,提高故障问题分析能力和解决效率,为组件返修提供充分依据。后续还能够根据需求筛选合格样品,提高了产品的用户体验,是后续生产工艺的重要保障。
- 李乾李达王丛申晨折伟林刘铭郭祥祥晋舜国
- 关键词：杜瓦制冷机
