王丛
- 作品数：31 被引量：33H指数：5
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- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- 分子束外延材料表面平整度的研究被引量：1
- 2021年
- 分子束外延Si基HgCdTe材料的表面平整度对红外焦平面组件的制备有重要的影响。分子束外延的Si基复合衬底作为HgCdTe分子束外延的衬底材料对最终外延材料的表面平整度的影响较大。本文通过研究工艺过程中各外延因素对Si片和衬底材料表面平整度的影响,通过实验发现脱氧工艺的高温影响最大,其次是Si片自身的表面平整度和外延膜层的厚度。因此要获得低表面平整度的Si基复合衬底必须满足以下三个条件:低Si片表面平整度,低脱附工艺温度,低外延膜厚。
- 王丛高达师景霞谭振
- 关键词：SI复合衬底HGCDTE
- CdSeTe分子束外延技术研究
- 2023年
- 对HgCdTe红外探测器CdSexTe1-x衬底材料的分子束外延生长条件、组分调整等进行了简单介绍。生长条件包括生长结构(主要有CdSexTe1-x/CdTe/ZnTe/Si、CdSexTe1-x/ZnTe/GaAs等)、生长温度(300℃左右)、生长厚度(5μm左右)等。组分调整包括分析Se组分随(JSe+JTe)/JCd和JSe/(JSe+JTe)的变化。JSe/(JSe+JTe)值较小时,Se组分较难融入外延层;JSe/(JSe+JTe)值较大时,Se组分增长较迅速。同时,若JSe/(JSe+JTe)值较小,则Se组分增长趋势相对较易控制。当JSe/(JSe+JTe)值一定时,Se组分随着(JSe+JTe)/JCd的减小而增大。Se组分变化的突增点随(JSe+JTe)/JCd值的减小而增大。本文可为高性能HgCdTe红外探测器的制备提供一定的参考。
- 何温王丛高达邢伟荣柏伟杨海燕折伟林
- 关键词：分子束外延
- 抑制In元素在CdTe中的退火扩散
- 2020年
- 分子束外延HgCdTe/InSb材料需要阻止In元素在HgCdTe中的不受控扩散。我们使用CdTe缓冲层作为阻挡层,以期控制In的扩散。为研究In元素在CdTe材料中的扩散,我们使用分子束外延方法获得CdTe/InSb样品。考虑到在退火时In元素可能通过环境扩散污染材料,我们使用SiO2作为钝化层,通过对比试验发现In元素通过环境扩散污染表面的证据,为控制In元素的扩散提供新的思路。
- 王丛王文燕周朋赵超段建春周立庆
- 关键词：INSBCDTE钝化层
- 基于正交设计的Si基复合衬底优化工艺试验被引量：4
- 2019年
- 在正交设计的基础上,通过一系列工艺测试实验,研究了MEE外延温度、MEE退火温度、CdTe外延温度、CdTe退火温度对Si基复合衬底的两个关键质量因素FWHM和表面粗糙度的影响。通过统计技术对测得的实验数据进行了方差分析,结果表明,CdTe退火温度是影响FWHM的关键因子,MEE退火温度和CdTe外延温度对R_a值来说影响是显著的。通过该系列实验得到最优的外延工艺条件。
- 王丛强宇高达师景霞
- 关键词：正交设计SI基复合衬底
- 低缺陷Si基碲镉汞分子束外延工艺研究被引量：7
- 2018年
- 随着焦平面探测器向超大面阵、小像元方向发展,对盲元率尤其连续盲元、均匀性等要求越来越高。材料表面缺陷已经成为抑制Si基碲镉汞分子束外延(Molecular Beam Epitaxial,MBE)技术在更广范围内应用的一个重要因素。通过解决MBE系统束流稳定性、束流测量的精确性和生长温度控制的稳定性共3个MBE生长碲镉汞材料精确控制的关键问题,以及通过正交试验优化生长参数,将Si基碲镉汞材料缺陷密度控制在500cm^(-2)以内,最优值达到57.83cm-2。
- 高达王经纬王丛吴亮亮刘铭
- 关键词：分子束外延
- 4in硅基碲化镉的厚度均匀性研究
- 2020年
- 采用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)方法在4 in硅衬底上进行了硅基碲化镉复合衬底生长工艺研究。使用光学轮廓仪、原子力显微镜、傅里叶红外光谱仪等设备对碲化镉薄膜进行了测试。结果表明,碲化镉薄膜的厚度均匀性、表面粗糙度、翘曲度和半峰宽等都达到了预期标准,能为外延碲镉汞薄膜提供良好的衬底。
- 李震高达师景霞王丛
- 关键词：碲化镉硅基分子束外延
- 基于MBE替代硅衬底的材料综述
- 2020年
- 主要介绍了几种用MBE技术生长HgCdTe/CdTe的Si衬底的替代性衬底材料的基本参数,以及不同材料的最新生长过程及结果,和对它们的生长结果的比较分析,以此来选择较为适合替代Si衬底来生长HgCdTe/CdTe的衬底。本文通过一系列的对比,得出目前最有发展前景的替代衬底是GaSb衬底,是未来发展的方向。
- 李震王亚妮王丛高达周朋刘铭
- 关键词：MBE衬底CDZNTEHGCDTECDTE
- CdZnTe(211)B衬底对MBE外延碲镉汞材料的影响分析被引量：3
- 2015年
- 碲锌镉CdZnTe(211)B衬底广泛应用于碲镉汞(HgCdTe)分子束外延生长,其性能参数在很大程度上决定了碲镉汞分子束外延材料的质量。主要讨论了CdZnTe(211)B衬底几个关键性能参数对碲镉汞外延材料的影响,包括Zn组分及均匀性、缺陷(位错、孪晶及晶界和碲沉淀)以及表面状态(粗糙度和化学组成),并且分析了对CdZnTe(211)B衬底进行筛分时各性能参数的评价方法和指标。
- 吴亮亮侯晓敏王丛王经纬刘铭周立庆
- 关键词：碲锌镉碲镉汞分子束外延
- 束流强度分布与膜厚的关系被引量：1
- 2019年
- 为了验证束流强度分布对膜厚的影响,通过束流分布的理论计算模拟出外延膜的分布,并与外延实验样品数据进行了对比,结果证实了我们的猜测,可以部分解释膜厚分布不均的情况。利用公式计算束流强度的分布,得出最薄点应为最厚点的73.26%。实验测试的膜厚的最厚点为8.1582 m,最薄点为5.9362 m,比例为72.76%,与计算结果基本相符。因此,可以确定束流强度分布对膜厚有一定的影响。但实际材料的膜厚不仅受束流分布的影响,还与其他工艺参数相关。由于采用了理论计算与实验相互对比的方法,比单纯实验所得出的结果更准确可靠。
- 李震王文燕强宇王丛高达
- 关键词：MBE
- 分子束外延硅基碲镉汞材料技术研究现状被引量：2
- 2019年
- 目前,高性能大面阵中波及短波红外探测器已经得到了越来越多的应用。材料参数控制精确、材料质量良好的碲镉汞材料是获得高质量碲镉汞探测器的先决条件。报道了华北光电技术研究所在分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)生长硅基中波及短波碲镉汞材料方面的最新研究进展,并介绍了现阶段MBE生长碲镉汞材料的研究现状。
- 高达王经纬王丛李震吴亮亮刘铭
- 关键词：分子束外延材料性能
