李自元
- 作品数：7 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 半绝缘InP的铁能级研究
- 1991年
- 本文用光致发光光谱及光激电流瞬态谱研究了掺铁半绝缘InP中的铁能级,发现被测样品可分成两类,它们分别存在着 FeI(Fe^3+/Fe^+)和 Fell(Fe^(4+)/Fe^(3+))两种不同的铁能级.这可能是由于它们分别对应于浅施主和浅受主补偿的InP半绝缘材料,亦说明有争议的Fe^(4+)是在有些半绝缘InP
- 彭承孙恒慧唐文国李自元
- 关键词：INP半绝缘光致发光光谱
- δ掺杂的赝配HEMTAlGaAs／InGaAs／GaAs结构的光电流谱
- 1995年
- 本文首次报道了δ掺杂的赝配高电子迁移率晶体管结构（ＨＥＭＴＳ）Ａｌ０．３０Ｇａ０．７０Ａｓ／Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／ＧａＡｓ的光电流谱研究．实验观察到了ｎ＝１重空穴子带到ｎ＝１电子子带和ｎ＝２电子子带的激子吸收峰以及ＧａＡｓ本征吸收相位变化所引起的光电流结构，并对光电流谱随温度和偏压变化的行为进行了讨论．
- 沈文忠黄醒良唐文国李自元沈学础
- 关键词：HEMT光电流谱AIGAASINGAAS砷化镓
- 调制掺杂的应变In_(0.60)Ga_(0.40)As/In_(0.52)Al_(0.48)As多量子阱结构的光致发光谱研究
- 1996年
- 报道了调制掺杂的应变In_(0.60)Ga_(0.40)As/In_(0.52)Al_(0.48)As多量子阱中室温光致发光光谱.观察到n=1和2电子子带到n=1重空穴子带的强发光峰.在低温下可以观察到n=1电子子带到n=1轻空穴弱发光肩胛.通过对发光强度随激发功率及温度依赖关系以及理论模型的分析研究,认为该调制掺杂量子阱中辐射复合效率降低的主要机制是应变失配位错对载流子的陷阱作用.界面上的失配位错是陷阱的主要来源.并用静态的光致发光理论模型对实验结果进行了解释.
- 沈文忠唐文国常勇李自元沈学础A.DIMOULAS
- 关键词：光谱调制掺杂多量子阱结构光致发光
- MOCVD生长CdTe薄层的缺陷研究
- 1993年
- 用光激电流瞬态谱(PICTS)和光致发光光谱(PL)对在半绝缘GaAs衬底上MOCVD生长的CdTe薄层的缺陷进行了研究。发现CdTe薄层中存在热激活能约为0.12eV和0.27eV的二个能级。对照光致发光光谱的实验结果及有关体单晶CdTe的缺陷报道,初步分析认为第一个能级是受主能级,它由CdTe薄层中的剩余杂质所引起,而另一个能级则可能与材料的晶格缺陷有关。
- 彭承陆叶华孙恒慧唐文国李自元
- 关键词：碲化镉MOCVD生长CDTE
- 退火对a-Si_xC_(1-x):H薄膜光学性质的影响
- 1989年
- 研究了退火对α-Si_xC_(1-x):H薄膜红外吸收和光致发光性质的影响.实验结果表明:低温退火使与氢有关的红外吸收和积分发光强度增加;而高温退火使与氢有关的红外吸收和积分发光强度减弱;同时,随着退火温度升高,光致发光光谱的峰值能量位置移向低能.文中对退火引起红外吸收和光致发光性质的变化机理进行了讨论。
- 唐文国王富朝李自元沈学础
- 关键词：非晶半导体红外吸收光致发光
- δ掺杂的赝形HEMTs AlGaAs／InGaAs／GaAs傅里叶变换光致发光光谱
- 1994年
- 本文首次报道了δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管结构（ＨＥＭＴｓ）Ａｌ０．３０Ｇａ０．７０Ａｓ／Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／ＧａＡｓ中的傅里叶变换光致发光光谱．观察到了ｎ＝１电子子带和ｎ＝２电子子带到ｎ＝１重空穴子带的强发光峰以及ｎ＝２电子子带到浅受主的弱发光峰，由于费米能级处在高于ｎ＝２电子子带的位置上，没有观察到属于费米边的发光峰，证实了理论上所预言的δ掺杂ＨＥＭＴＳ系统具有转移效率高的优点．
- 沈文忠唐文国李自元沈学础
- 关键词：HEMTS砷化镓傅里叶变换光致发光
- 退火对a-Si_xC_(1-x):H薄膜带尾态的影响
- 1989年
- 本文研究了退火后的a-SiC_(1-x):H薄膜的光致发光光谱,采用发光光谱的峰值能量与测量温度之间的关系判别带尾宽度的大小。实验表明,发光峰值能量随退火温度的升高而移向低能。用指数带尾模型计算了带尾宽度。结果表明,随着退火温度的上升带尾变小。文中对这些结果进行了讨论。
- 王富朝唐文国李自元沈学础
- 关键词：退火发光光谱
