彭承
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
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- MOCVD生长CdTe薄层的缺陷研究
- 1993年
- 用光激电流瞬态谱(PICTS)和光致发光光谱(PL)对在半绝缘GaAs衬底上MOCVD生长的CdTe薄层的缺陷进行了研究。发现CdTe薄层中存在热激活能约为0.12eV和0.27eV的二个能级。对照光致发光光谱的实验结果及有关体单晶CdTe的缺陷报道,初步分析认为第一个能级是受主能级,它由CdTe薄层中的剩余杂质所引起,而另一个能级则可能与材料的晶格缺陷有关。
- 彭承陆叶华孙恒慧唐文国李自元
- 关键词：碲化镉MOCVD生长CDTE
- 半绝缘InP的铁能级研究
- 1991年
- 本文用光致发光光谱及光激电流瞬态谱研究了掺铁半绝缘InP中的铁能级,发现被测样品可分成两类,它们分别存在着 FeI(Fe^3+/Fe^+)和 Fell(Fe^(4+)/Fe^(3+))两种不同的铁能级.这可能是由于它们分别对应于浅施主和浅受主补偿的InP半绝缘材料,亦说明有争议的Fe^(4+)是在有些半绝缘InP
- 彭承孙恒慧唐文国李自元
- 关键词：INP半绝缘光致发光光谱
- 电化学光伏法测定n-和p-GaAs少子扩散长度
- 1990年
- 从GaAs/电解液界面的电化学研究,提出了一种适合于测定化合物半导体少子扩散长度的光电化学新方法──电化学光伏法,用它成功地测定了n-和p-GaAs体单晶及外延层的少子扩散长度。
- 王周成彭瑞伍彭承孙恒慧
- 关键词：GAAS
- 掺铁半绝缘磷化铟的深能级研究
- 1990年
- 文章简要地叙述了光激电流瞬态谱(PICTS)及恒流光电导(CCPC)设备的建立过程及测量方法。并首次用二种方法结合起来以研究掺铁半绝缘磷化铟(InP)中深能级的热电离能,载流子的发射与俘获特性,杂质波函数的局域程度及电子与晶格之间的相互作用。并给出了铁能级在禁带中的确切能量位置。
- 彭承李建林陆峻孙恒慧
- 关键词：掺铁深能级半导体材料
