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顾霞敏

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇半导体
  • 2篇CO
  • 2篇X
  • 1篇单晶
  • 1篇导体
  • 1篇半磁半导体
  • 1篇NI
  • 1篇XS
  • 1篇ZN
  • 1篇N-

机构

  • 2篇中国科学院上...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 2篇顾霞敏
  • 1篇朱浩荣
  • 1篇马可军
  • 1篇姜山
  • 1篇沈学础

传媒

  • 1篇稀有金属
  • 1篇红外研究

年份

  • 1篇1991
  • 1篇1990
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
新型稀磁性半导体材料Co_xZn_(1-x)S与Co_xZn-(1-x)Se单晶的制备
1991年
本实验首次利用碘做媒介剂,采用化学气相输运法制得稀磁性半导体Co_xZn_(1-x)S和Co_xZn_(1-x)Se(0
顾霞敏W.GiriatJ.K.Furdyna
关键词：单晶
Zn_(1-x)Co_xS和Zn_(1-x)Ni_xS新吸收谱线的测量与分析
1990年
在12K和300K下测量了半磁半导体Zn_(0.095)Co_(0.05)S和Zn_(0.97)Ni_(0.03)S的吸收光谱,分别发现3个新的吸收峰。根据晶体场理论和群论分析结果,它们分别对应于Co^(2+)的~4A_2(F)→~2T_1(H)、~4A_2(F)→~2T_1(G)和~4A_2(F)→~2T_2(P)的跃迁吸收及Ni^(2+)的~3T_1(F)→~1A_1(G),~3T_1(F)→~1T_1(G)和~3T_1(F)→~1E(G)的跃迁吸收,并用晶体场理论分析了跃迁的选择定则和跃迁的相对强度。
姜山居逸群马可军朱浩荣沈学础顾霞敏
关键词：半磁半导体
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共1页<1>
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