朱浩荣
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程更多>>
- Cd_(1-x)Mn_xS高压吸收光谱
- 1989年
- 采用流体静压力,在室温和低温下测量了三元混晶半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xS的吸收光谱.室温下获得了Cd_(1-x)Mn_xS光吸收边的一阶和二阶压力系数,并且在吸收边尾部发现一个大的吸收带尾,随着组分x增加,压力系数下降,带尾增强,同时在高压下观察了Cd_(1-x)Mn_xS的压力相变过程.在77K下,高组分混晶Cd_0.67Mn_0.33S吸收光谱中出现两个Mn^(2+)吸收峰,测量了它们的压力系数,并用晶体场理论讨论了实验结果.
- 姜山沈学础李齐光朱浩荣居广林W.Giriat
- 关键词：吸收光谱硫化镉硫化锰
- Zn_(1-x)Co_xS和Zn_(1-x)Ni_xS新吸收谱线的测量与分析
- 1990年
- 在12K和300K下测量了半磁半导体Zn_(0.095)Co_(0.05)S和Zn_(0.97)Ni_(0.03)S的吸收光谱,分别发现3个新的吸收峰。根据晶体场理论和群论分析结果,它们分别对应于Co^(2+)的~4A_2(F)→~2T_1(H)、~4A_2(F)→~2T_1(G)和~4A_2(F)→~2T_2(P)的跃迁吸收及Ni^(2+)的~3T_1(F)→~1A_1(G),~3T_1(F)→~1T_1(G)和~3T_1(F)→~1E(G)的跃迁吸收,并用晶体场理论分析了跃迁的选择定则和跃迁的相对强度。
- 姜山居逸群马可军朱浩荣沈学础顾霞敏
- 关键词：半磁半导体
- 高x值混晶Hg_(1-x)Cd_xTe光吸收边的压力效应
- 1989年
- 采用金刚石对顶砧高压装置,在0—36kbar流体静压力范围和室温条件下测量了高x值的P型碲镉汞混晶Hg_(0.3)Cd_(0.7)Te光吸收边及其随压力的变化。300K下Hg_(0.3)Cd_(0.7)Te光学能隙的实验值与用经验公式的计算值一致。用最小二乘法拟合不同压力下的实验结果,得到Hg_(0.3)Cd_(0.7)Te能隙的一阶压力系数α=8.7×10^(-11)eV/Pa,与用化学键介电函数理论预期的值符合很好,同时拟合得到能隙的二阶压力系数反常的大,其值为β=-6.3×10^(-13)eV/Pa^2。另外,观察到34—36kbar时,Hg_(0.3)Cd_(0.7)Te的结构相变。
- 姜山朱浩荣沈学础J.Schilz
- 关键词：混晶
