盛方毓
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种硅片清洗后的快速干燥方法和装置
- 一种硅片清洗后的快速干燥方法和装置，方法包括以下步骤：将硅片放入干燥槽，将异丙醇通入雾化室雾化成异丙醇汽雾，该异丙醇汽雾经冷凝室、加热室进入干燥槽。利用冷凝室对IPA汽雾“骤冷”，使得IPA汽雾中的大粒径液滴以及杂质颗粒...
- 盛方毓冯泉林闫志瑞葛钟陈海滨库黎明索思卓
- 300mm硅片表面延性磨削机理研究
- 2009年
- 根据脆性材料实现延性磨削时存在临界深度的理论，通过设定磨削参数，使之满足硅片的延性磨削条件。利用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）对磨削硅片表面和截面进行分析研究。研究结果表明：硅片表面形成规律的磨削印痕，且磨削印痕微弱，在硅片表面留下的磨削沟槽保留延性磨削特征，硅片表面无微细裂纹和因脆性崩裂产生的凹坑；硅片截面明显地分为非晶层、次表面损伤层、单晶硅层，非晶层厚度约为50～100nm，表面微细裂纹完全消失，次表面损伤层厚度约为50～150nm，次表面损伤层存在微细裂纹。
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- 关键词：损伤层
- 高温氩退火对提高Si片质量的研究被引量：1
- 2013年
- 首先研究了氩退火对大直径直拉Si单晶表面的空洞型微缺陷的影响。样品在1 200℃下进行退火,退火前后样品上的晶体原生粒子缺陷(COP)利用激光计数器SP1来观察。试验表明Si片经过1 h退火后,表面的COP全部被消除;另外,对样品退火前后的几何参数和金属含量也做了测试,发现样品的几何参数和金属含量都没有明显的变化;最后研究了高温退火对MOS电容栅氧化层性能的影响,结果表明退火前后的样品分别制备为MOS电容,利用斜坡电压法来测试其击穿电压。实验发现,Si片经过1 200℃热处理后,MOS电容的击穿电压有了明显的提高,这表明高温退火工艺能够有效提高栅氧化层的性能。
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- 关键词：直拉单晶硅
- 一种用于硅片清洗后的快速干燥装置
- 一种用于硅片清洗后的快速干燥装置，它包括：多孔螺旋式高压雾化装置，控温加热室，干燥槽，阀门组，氮气供应管路，其中氮气主管路将多孔螺旋式高压雾化装置、加热控温室、干燥槽依次串联，同时在氮气主管路入口位置引入一条氮气旁路，该...
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- 文献传递
- 抛光垫使用期对300mm Si片Haze值影响研究被引量：1
- 2008年
- 抛光垫是化学机械抛光(CMP)过程中重要的消耗材料之一。由于抛光垫与Si片直接接触,所以抛光垫的物理特性会直接影响到所加工Si片品质的优劣。通过研究不同使用时间的抛光垫结构以及所抛光Si片表面haze值,发现抛光Si片表面haze值在抛光垫使用前期逐渐减小,中期稳定缓慢升高,后期快速升高。从理论上系统地对结果进行了分析,充分证实了在CMP过程中,保持抛光垫特性的稳定对Si片表面质量具有非常重要的意义。
- 索思卓库黎明黄军辉葛钟陈海滨张国栋盛方毓阎志瑞
- 关键词：抛光垫化学机械抛光HAZE
