库黎明
- 作品数：26 被引量：35H指数：4
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国际科技合作与交流专项项目国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程更多>>
- 一种车间用电柜冷却方法
- 本发明提供了一种车间用电柜冷却方法，该方法包括：(1)在电柜外表面开孔，作为排风口；(2)将排风口接入排风管道。该方法既省去了内置风扇，节省了电柜的空间，又大大提高了降温的效率，同时节省电能，在各种工厂和车间里非常实用，...
- 库黎明闫志瑞索思卓黄军辉葛钟陈海滨张国栋盛方毓
- 文献传递
- 硅片浅表层损伤缺陷的热演化行为及其表征
- 本文研究了硅片在多次热循环工艺前后的表层变化，确定了硅片精密机械加工后在浅表层遗留的残余损伤会在热工艺后演化成缺陷，验证了调整精密加工工艺后的效果，同时开展了浅表层微缺陷的红外消光法、氧化层错试验表征研究，确定了这两种方...
- 肖清华张果虎冯泉林闫志瑞库黎明
- 关键词：硅
- 300mm硅片表面延性磨削机理研究
- 2009年
- 根据脆性材料实现延性磨削时存在临界深度的理论，通过设定磨削参数，使之满足硅片的延性磨削条件。利用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）对磨削硅片表面和截面进行分析研究。研究结果表明：硅片表面形成规律的磨削印痕，且磨削印痕微弱，在硅片表面留下的磨削沟槽保留延性磨削特征，硅片表面无微细裂纹和因脆性崩裂产生的凹坑；硅片截面明显地分为非晶层、次表面损伤层、单晶硅层，非晶层厚度约为50～100nm，表面微细裂纹完全消失，次表面损伤层厚度约为50～150nm，次表面损伤层存在微细裂纹。
- 葛钟库黎明陈海滨盛方毓索思卓闫志瑞
- 关键词：损伤层
- 双面抛光过程中化学作用对300mm硅片表面形貌的影响
- 本文利用非接触式光学轮廓仪研究了双面抛光过程中化学作用对300mm硅片表面形貌的影响,并对硅片表面的化学腐蚀机理进行了讨论.结果表明,抛光速率随pH值逐渐增大,当pH≈9.8时去除速率达到最大值,此时pH值较高的碱性溶液...
- 库黎明周旗钢李耀东闫志瑞王继
- 文献传递
- 一种硅片抛光装置
- 一种硅片抛光装置包括：垂直方向设置的、带动硅片进行旋转的游轮圈(3)、位于游轮圈左侧的、由左传动部分(2)带动的左抛光轮(1)，位于游轮圈右侧的、由右传动部分(5)带动的右抛光轮(4)，左、右抛光轮上分别贴有用于硅片抛光...
- 库黎明闫志瑞索思卓鲁进军常青
- 文献传递
- 抛光垫使用期对300mm Si片Haze值影响研究被引量：1
- 2008年
- 抛光垫是化学机械抛光(CMP)过程中重要的消耗材料之一。由于抛光垫与Si片直接接触,所以抛光垫的物理特性会直接影响到所加工Si片品质的优劣。通过研究不同使用时间的抛光垫结构以及所抛光Si片表面haze值,发现抛光Si片表面haze值在抛光垫使用前期逐渐减小,中期稳定缓慢升高,后期快速升高。从理论上系统地对结果进行了分析,充分证实了在CMP过程中,保持抛光垫特性的稳定对Si片表面质量具有非常重要的意义。
- 索思卓库黎明黄军辉葛钟陈海滨张国栋盛方毓阎志瑞
- 关键词：抛光垫化学机械抛光HAZE
- 一种大直径硅片双面抛光后的手持取片工具
- 一种大直径硅片双面抛光后的手持取片工具，它包括：手持部分、夹持部分，所述的夹持部分包括：操作杆、与操作杆连接的同心圆上的两段夹弧，弧的横断面呈V形沟槽，所述的两操作杆以轴连接，以轴绞接后的操作杆的端部为手持部分，操作杆的...
- 库黎明阎志瑞索思卓
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- 一种大直径硅片抛光装置
- 一种大直径硅片抛光装置，其特征在于：它包括：垂直方向设置的、带动硅片进行旋转的游轮圈(3)、位于游轮圈左侧的、由左传动部分(2)带动的左抛光轮(1)，位于游轮圈右侧的、由右传动部分(5)带动的右抛光轮(4)，左、右抛光轮...
- 库黎明闫志瑞索思卓鲁进军常青
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- 降低硅片表面微粗糙度的预氧化清洗工艺被引量：7
- 2006年
- 利用原子力显微镜研究了预氧化清洗工艺对清洗后的硅片表面微粗糙的影响,并通过建立表面氧化过程的分子模型和氧化层模型来进行相应的机理分析.结果表明,硅片表面在含有氧化剂H2O2的溶液中生成一层氧化层后,能基本消除OH-对硅片表面的各向异性腐蚀,清洗后的表面微粗糙度比清洗前小,并且随SC-1清洗过程中NH4OH浓度的增大而减小.
- 库黎明王敬周旗钢
- 关键词：预氧化氧化层各向异性腐蚀
- 一种刷抛光大盘用的刷子
- 一种刷抛光大盘用的刷子，它包括：刷体、刷体的上部为机械手部分，刷体下部为一盘，盘的端面上置有刷毛，盘的周边设有高压喷嘴，刷体内有一供进高压纯净水的水管，高压喷嘴与水管连通。本实用新型的优点是该装置结构紧凑，操作简便，可由...
- 库黎明闫志瑞索思卓黄军辉葛钟陈海滨张国栋盛方毓
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