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商开然

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：湖南大学机械与运载工程学院汽车车身先进设计制造国家重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
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合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇形核
  • 1篇形核机理
  • 1篇圆孔
  • 1篇失配位错
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米孔
  • 1篇复变
  • 1篇复变函数
  • 1篇复变函数方法

机构

  • 1篇湖南大学

作者

  • 1篇刘又文
  • 1篇章的
  • 1篇商开然

传媒

  • 1篇工程力学

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
纳米尺度圆孔表面薄膜界面失配位错形核机理
2013年
研究了无限大基体内纳米尺度圆孔表面薄膜中界面螺型位错形核的临界条件,薄膜考虑了表/界面效应。运用弹性复势方法,获得了两个区域应力场的解析解答,并导出位错形核能公式,由此讨论了表/界面效应对薄膜界面位错形核的影响规律。算例结果表明,表/界面效应在纳米尺度下对位错形核的影响显著,不同表/界面效应下位错形核的临界薄膜厚度有很大差异,当基体与薄膜的相对剪切模量超过某一值后,只有考虑负的表/界面应力时位错才有可能形核;薄膜厚度在小于某一临界尺寸时负的表/界面应力更容易位错形核,薄膜厚度大于某一临界尺寸时正的表/界面应力更容易位错形核。
章的刘又文商开然
关键词：复变函数方法纳米孔
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