宋洁晶
- 作品数：33 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- 深硅刻蚀晶圆位置偏移分析与研究
- 2024年
- 晶圆位置偏移过大是导致深硅刻蚀设备发生传片报警问题的主要原因之一,尤其是在采用静电卡盘的设备中。阐述了晶圆位置发生偏移原因,重点研究了解吸附配方、顶针驱动和片间清洗方案。研究表明,静电吸盘的表面聚合物残留是导致静电释放不充分的主要因素,表面聚合物的清除有助于优化晶圆位置偏移。电动三针在固有残留静电力的情况下,通过缓慢连续升针方案缓解了跳片现象。优化片间清洗方案大幅减小表面聚合物残留。实验结果表明:优化后的解吸附配方为工艺时长90 s、电极功率1000 W、气压20 mTorr(1 mTorr≈0.133 Pa)、氩气体积流量250 mL/min,电动三针接触晶圆前、接触中、脱离静电吸盘后的升针速度分别为3、2和6 mm/s,在上述工艺条件下,通过进一步优化片间清洗方案,使得晶圆位置偏移量从初始的2~6 mm降至0.2 mm以内。
- 商庆杰康建波张发智宋洁晶
- 204~218GHz AlN基板散热增强式GaN二倍频器被引量：1
- 2023年
- 针对传统肖特基势垒二极管基倍频器输出功率低的问题,提出了一种AlN基板散热增强式GaN二倍频器。倍频器采用AlN基板代替传统石英基板,结合具有高耐压特性的GaN肖特基势垒二极管,大幅提升了倍频器的散热特性及耐受功率。热仿真结果显示倍频器中芯片结温温升下降了约31%,耐受功率达到1 W以上。制作了二倍频器样品并对其输出功率、转换效率进行测试。测试结果表明,输入连续波功率为300 mW时,该二倍频器在204~218 GHz频带内的转换效率均大于10%,具有较大的工作带宽。在210 GHz工作频率下,将输入功率增加至900 mW,二倍频器依然能够稳定工作,实现了87 mW的输出功率和9.7%的转换效率。
- 宋洁晶高渊
- 关键词：散热
- GaN HEMT器件的通孔制备方法
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN HEMT器件的通孔制备方法，该方法包括：在晶圆的势垒层的上表面生长介质层；其中，所述晶圆包括SiC衬底、所述SiC衬底上表面的GaN外延层和所述GaN外延层上表面的势垒层；去...
- 宋洁晶谭永亮胡多凯李飞周国崔玉兴
- 文献传递
- 高深宽比梳齿结构刻蚀工艺
- 2025年
- 梳齿结构刻蚀是制备电容加速度计芯片的重要工序步骤。在梳齿结构刻蚀过程中,采用快速切换阀代替质量流量控制器(MFC)开关气体解决了梳齿侧壁弯曲问题;将Bosch工艺中物理轰击步骤和化学刻蚀步骤移到沉积步骤之前解决了梳齿顶部损伤问题;研究了沉积时间、物理轰击偏置电极功率、化学刻蚀压力与刻蚀选择比的关系。实验结果表明:增加化学刻蚀压力能够显著提升刻蚀选择比,但齿间隙也会随着化学刻蚀压力的增加而展宽,优化后的Bosch工艺配方为沉积时间1.3 s,物理轰击偏置电极功率70 W,化学刻蚀压力60 mTorr(1 mTorr≈0.133 Pa)。制备的梳齿结构齿间隙宽度3.19μm,深度86.3μm,侧壁倾角89.9°,侧壁粗糙度79 nm,深宽比达到27∶1,刻蚀选择比达到32∶1,并成功应用于电容加速度计芯片生产。
- 康建波商庆杰宋洁晶
- 关键词：电容加速度计选择比
- 金刚石基氮化镓晶体管制备方法及金刚石基氮化镓晶体管
- 本申请适用于半导体器件技术领域，提供了一种金刚石基氮化镓晶体管制备方法及金刚石基氮化镓晶体管，该方法包括：在硅基氮化镓晶圆上表面制备电极场板区；在硅基氮化镓晶圆上表面和硅晶圆上表面溅射第一金属层，并进行预键合；将载体与硅...
- 周国武毅畅付兴中廖龙忠秦龙宋洁晶冯立东宋红伟张力江崔玉兴
- 芯片的封装结构及封装方法
- 本发明提供一种芯片的封装结构及封装方法，其中，芯片的封装结构包括堆叠设置的至少两个晶圆级芯片；其中，晶圆级芯片包括：衬底、以及生长在衬底的上表面的GaN外延层，在GaN外延层上设置多个信号连接压点和多个接地压点，在衬底的...
- 崔雍廖龙忠 朱延超宋洁晶付兴中张力江
- GaN HEMT器件及制备方法
- 本申请适用于高电子迁移率晶体管技术领域，提供了GaN HEMT器件及制备方法。该制备方法包括：在GaN外延层上形成SiN保护层，在SiN保护层上形成SiO<Sub>2</Sub>栅区域；以SiO<Sub>2</Sub>栅...
- 高渊李波秦龙宋洁晶赵红刚赵阳付兴中周国张力江崔玉兴
- GaN基HEMT器件源场板的制备方法及HEMT器件
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN基HEMT器件源场板的制备方法及HEMT器件，所述方法包括：在器件上表面依次生长第一厚度的SiN层和第二厚度的SiO<Sub>2</Sub>层；去除所述SiO<Sub>2</S...
- 默江辉王川宝苏延芬 崔雍宋洁晶崔玉兴
- 文献传递
- ICP深硅刻蚀工艺研究
- 2024年
- 深硅刻蚀工艺是MEMS器件制造过程中的关键工艺之一。加速度计的梳齿结构、滤波器及压力传感器的硅腔结构都是决定器件性能的关键工艺,均需要通过深硅刻蚀制备。梳齿的垂直度以及硅腔的侧壁平整度均会对器件的性能产生直接影响。针对深硅刻蚀工艺中出现的形貌问题进行分析,找到影响硅草、侧壁垂直度差、底部横向钻蚀、侧壁钻蚀等问题的工艺参数。最后通过工艺参数优化,对这些问题进行改善,从而获得理想形貌,满足器件性能要求。
- 赵洋高渊宋洁晶
- 关键词：微机电系统
- PECVD Si_(3)N_(4)薄膜淀积工艺
- 2024年
- 采用等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备氮化硅(Si_(3)N_(4))薄膜作为光电器件的重要介质膜,其性能好坏直接影响器件的性能。淀积的Si_(3)N_(4)薄膜主要用作光电探测器的扩散膜和增透膜,击穿电压是该器件中比较重要的测试参数。应力、击穿电压变化量则是器件的重要指标。通过试验对比和调试,发现不同工艺Si_(3)N_(4)介质膜应力和击穿电压变化量不同,最终实现了低应力、稳定击穿电压的膜层生长。300℃/150 W无氨Si_(3)N_(4)的压应力为50 MPa,在光照10 min后的击穿电压变化量小于0.1 V@50 V。
- ZHANG Qi张奇刘婷婷韩孟序商庆杰宋洁晶
- 关键词：PECVD应力击穿电压
