您的位置： 专家智库 > >

程钊

作品数：18 被引量：8H指数：1
供职机构：中国科学院金属研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国博士后科学基金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺一般工业技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 7篇电子电信
  • 4篇金属学及工艺
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇化学工程

主题

  • 13篇孪晶
  • 11篇纳米
  • 9篇铜箔
  • 9篇纳米孪晶
  • 6篇电解
  • 6篇电解铜
  • 6篇电解铜箔
  • 5篇电路
  • 5篇电路板
  • 5篇微观结构
  • 4篇电解沉积
  • 4篇梯度结构
  • 3篇延伸率
  • 3篇阴极
  • 3篇晶粒
  • 3篇CU
  • 2篇电解槽
  • 2篇电子电路
  • 2篇延伸性
  • 2篇乙基

机构

  • 18篇中国科学院金...
  • 2篇中国科学技术...

作者

  • 18篇卢磊
  • 18篇程钊
  • 10篇金帅
  • 1篇潘庆松

传媒

  • 3篇金属学报

年份

  • 2篇2025
  • 1篇2024
  • 4篇2023
  • 3篇2022
  • 3篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2016
共 18 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种铜箔及其制备方法、以及电路板和集电体
本发明提供一种铜箔及其制备方法、以及电路板和集电体，涉及铜箔制备技术领域，铜箔的微观结构中含有纳米畴，纳米畴的分布状态为以下状态中的一种或几种：在晶粒内部、在晶界上、既存在于晶粒内部又存在于晶界上。一方面，这些纳米畴可有...
卢磊程钊柳林海陈祥成
一种纳米孪晶铜箔及其制备方法、以及电路板和集电体
本发明是关于一种纳米孪晶铜箔及其制备方法、以及电路板和集电体，涉及电解铜箔制备技术领域。主要采用的技术方案为：一种纳米孪晶铜箔，在纳米孪晶铜箔的微观结构中：晶粒呈不规则形状，且晶粒的长轴和短轴的比值大于1、小于等于8；其...
卢磊程钊陈祥成
文献传递
一种高延伸性电解铜箔及其制备方法
本发明公开了一种高延伸性电解铜箔以及制备方法，属于覆铜板用电解铜箔制备技术领域。首先通过直流电解沉积技术制备纳米孪晶铜箔，再对纳米孪晶铜箔进行退火处理，即获得所述高延伸性电解铜箔，其厚度在3‑100微米范围内可控调节。该...
卢磊程钊金帅
一种电解金属箔的制备装置及制备方法
本发明关于一种电解金属箔的制备装置及制备方法，其中，所述电解金属箔的制备装置包括：电解槽、阴极系统、阳极系统及绝缘隔板；其中，阴极系统包括旋转装置和阴极；阴极位于电解槽中；旋转装置与阴极连接，以在电解沉积过程中驱动阴极旋...
卢磊程钊 陈祥成
一种铜箔及其制备方法、以及一种电路板和集电体
本发明是关于一种铜箔及其制备方法、以及一种电路板和集电体，主要采用的技术方案为：所述铜箔的微观结构为层状结构；其中，所述层状结构中的任意相邻的两个层之间存在界面；其中，在平行于所述界面的方向上：所述层状结构中的每一层包括...
卢磊程钊陈祥成
一种梯度纳米孪晶铜块体材料及其温度控制制备方法
本发明公开了一种梯度纳米孪晶铜块体材料及其温度控制制备方法，属于纳米结构金属材料技术领域。该材料采用直流电解沉积技术制备，微观结构由微米级的柱状晶粒组成，柱状晶粒内存在纳米级的孪晶片层；在垂直于沉积面的方向上晶粒尺寸、孪...
卢磊程钊金帅
文献传递
一种纳米孪晶铜箔及其制备方法、以及电路板和集电体
本发明是关于一种纳米孪晶铜箔及其制备方法、以及电路板和集电体，涉及电解铜箔制备技术领域。主要采用的技术方案为：一种纳米孪晶铜箔，在纳米孪晶铜箔的微观结构中：晶粒呈不规则形状，且晶粒的长轴和短轴的比值大于1、小于等于8；其...
卢磊程钊陈祥成
一种铜箔及其制备方法、以及一种电路板和集电体
本发明是关于一种铜箔及其制备方法、以及一种电路板和集电体，主要采用的技术方案为：所述铜箔的微观结构为层状结构；其中，所述层状结构中的任意相邻的两个层之间存在界面；其中，在平行于所述界面的方向上：所述层状结构中的每一层包括...
卢磊程钊陈祥成
一种梯度纳米孪晶铜块体材料及其温度控制制备方法
本发明公开了一种梯度纳米孪晶铜块体材料及其温度控制制备方法，属于纳米结构金属材料技术领域。该材料采用直流电解沉积技术制备，微观结构由微米级的柱状晶粒组成，柱状晶粒内存在纳米级的孪晶片层；在垂直于沉积面的方向上晶粒尺寸、孪...
卢磊程钊金帅
文献传递
电解液温度对直流电解沉积纳米孪晶Cu微观结构的影响被引量：1
2018年
通过控制直流电解沉积电解液温度制备出不同微观结构的块体纳米孪晶Cu样品。结果表明,当电解液温度由313 K降低至293 K,纳米孪晶Cu的平均晶粒尺寸由27.6 mm减小至2.8 mm,平均孪晶片层厚度由111 nm减小至28 nm。电化学测试表明,降低温度减缓了纳米孪晶Cu沉积的电化学过程,使阴极过电位增大,引起晶粒和孪晶的形核率增加,从而使晶粒尺寸和孪晶片层厚度同时减小。
程钊金帅金帅
关键词：阴极过电位微观结构
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0