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乔哲

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单粒子
  • 1篇单粒子烧毁
  • 1篇单粒子效应
  • 1篇沟道
  • 1篇N沟道
  • 1篇VDMOS
  • 1篇VDMOS器...

机构

  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇谭开洲
  • 1篇唐昭焕
  • 1篇王斌
  • 1篇乔哲
  • 1篇陈佳

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于锎源的N沟道VDMOS器件单粒子效应研究被引量：3
2014年
分析了N沟道VDMOS器件的单粒子辐射损伤机理和损伤模式,讨论了VDMOS器件的单粒子辐射加固措施。使用锎源,对采取了加固措施的一款200V高压N沟道VDMOS器件进行单粒子效应试验研究。对比分析了不同漏源电压和栅源电压以及不同真空度对VDMOS单粒子效应的影响,可为VDMOS器件的单粒子辐射加固、试验验证及应用提供参考。
陈佳乔哲唐昭焕王斌谭开洲
关键词：VDMOS单粒子效应单粒子烧毁
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共1页<1>
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