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孟文林

作品数：8 被引量：2H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇电极
  • 6篇衍射
  • 6篇衍射极限
  • 6篇神经突触
  • 6篇突触
  • 5篇三层结构
  • 3篇SUB
  • 2篇SIN
  • 1篇带隙
  • 1篇钝化
  • 1篇信号
  • 1篇少子寿命
  • 1篇探测器
  • 1篇钌合金
  • 1篇金薄膜
  • 1篇激光
  • 1篇光信号
  • 1篇光学
  • 1篇光学带隙
  • 1篇合金

机构

  • 8篇电子科技大学

作者

  • 8篇孟文林
  • 7篇蒋亚东
  • 7篇李伟
  • 7篇钟豪
  • 6篇李东阳
  • 6篇侯伟
  • 1篇郭国辉

年份

  • 3篇2019
  • 4篇2018
  • 1篇2017
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
基于a-Si的光读取神经突触器件结构及其制备方法
本发明提供一种基于a‑Si的光读取神经突触器件结构及其制备方法，包括“金属/a‑Si/金属”表面等离子波导和嵌入其中的“上电极/双阻变层/下电极”忆阻器；表面等离子波导从上至下具有“第二金属层/介质层/第一金属层”垂直三...
李伟侯伟李东阳苟*豪孟文林陈奕丞钟豪蒋亚东
文献传递
基于SiO<Sub>x</Sub>的光读取神经突触器件结构及其制备方法
本发明提供一种基于SiO<Sub>x</Sub>的光读取神经突触器件结构及其制备方法，包括“金属/SiO<Sub>x</Sub>/金属”表面等离子波导和嵌入其中的“上电极/双阻变层/下电极”忆阻器；表面等离子波导从上至下...
李伟苟*豪侯伟孟文林陈奕丞李东阳钟豪蒋亚东
基于SiNx的光读取神经突触器件结构及其制备方法
本发明提供一种基于SiN<Sub>x</Sub>的光读取神经突触器件结构及其制备方法，包括“金属/SiN<Sub>x</Sub>/金属”表面等离子波导和嵌入其中的“上电极/双阻变层/下电极”忆阻器；表面等离子波导从上至下...
李伟侯伟苟*豪孟文林陈奕丞钟豪李东阳蒋亚东
微纳结构硅材料的制备及光电性能研究
硅不仅易提取,耐高温,成本低,而且储量较为丰富,因而是目前使用最为广泛的一种半导体材料。但是,单晶硅材料的禁带宽度为1.124 eV（300 K）,只能对可见光进行有效吸收,无法完全满足硅基光电探测器在红外波段的需求。采...
孟文林
关键词：飞秒激光MEMS少子寿命
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基于MEMS微结构的红外增强Si‑PIN探测器及其制备方法
本发明提供一种基于MEMS微结构的红外增强Si‑PIN探测器及其制备方法，探测器包括硅本征衬底、MEMS微结构层、红外增强非晶硅钌合金薄膜、下电极、P型区、环形P<Sup>+</Sup>型区、上电极，MEMS微结构层为按...
李伟郭国辉宋钦剑钟豪孟文林蒋亚东
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基于a‑Si的光读取神经突触器件结构及其制备方法
本发明提供一种基于a‑Si的光读取神经突触器件结构及其制备方法，包括“金属/a‑Si/金属”表面等离子波导和嵌入其中的“上电极/双阻变层/下电极”忆阻器；表面等离子波导从上至下具有“第二金属层/介质层/第一金属层”垂直三...
李伟侯伟李东阳苟*豪孟文林陈奕丞钟豪蒋亚东
文献传递
基于SiO<Sub>x</Sub>的光读取神经突触器件结构及其制备方法
本发明提供一种基于SiO<Sub>x</Sub>的光读取神经突触器件结构及其制备方法，包括“金属/SiO<Sub>x</Sub>/金属”表面等离子波导和嵌入其中的“上电极/双阻变层/下电极”忆阻器；表面等离子波导从上至下...
李伟苟*豪侯伟孟文林陈奕丞李东阳钟豪蒋亚东
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基于SiN<Sub>x</Sub>的光读取神经突触器件结构及其制备方法
本发明提供一种基于SiN<Sub>x</Sub>的光读取神经突触器件结构及其制备方法，包括“金属/SiN<Sub>x</Sub>/金属”表面等离子波导和嵌入其中的“上电极/双阻变层/下电极”忆阻器；表面等离子波导从上至下...
李伟侯伟苟*豪孟文林陈奕丞钟豪李东阳蒋亚东
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