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陈锦锋

作品数：60 被引量：1H指数：1
供职机构：福州大学更多>>
发文基金：福建省自然科学基金福建省教育厅科技项目国家大学生创新性实验计划项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 54篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 47篇电路
  • 33篇混合结构
  • 32篇功耗
  • 20篇集成电路
  • 19篇逻辑功能
  • 19篇混合电路
  • 18篇平均功耗
  • 14篇电路功耗
  • 14篇电路技术
  • 14篇集成电路技术
  • 13篇电阻
  • 13篇负微分电阻
  • 12篇单电子晶体管
  • 12篇晶体管
  • 12篇摆幅
  • 12篇布尔逻辑
  • 10篇芯片
  • 10篇芯片面积
  • 7篇逻辑电路
  • 7篇超大规模集成

机构

  • 60篇福州大学

作者

  • 60篇陈锦锋
  • 57篇魏榕山
  • 56篇何明华
  • 42篇陈寿昌
  • 12篇于志敏
  • 1篇张经伟
  • 1篇黄齐飞
  • 1篇杨杨
  • 1篇陈传东
  • 1篇孙志新

传媒

  • 1篇南昌大学学报...
  • 1篇华南理工大学...
  • 1篇贵州大学学报...
  • 1篇广西大学学报...
  • 1篇中国集成电路

年份

  • 2篇2025
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 5篇2015
  • 10篇2014
  • 9篇2013
  • 27篇2012
  • 3篇2011
共 60 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于阈值逻辑的SET/MOS混合结构2位乘法器
本发明涉及集成电路技术领域，特别是一种基于阈值逻辑的SET/MOS混合结构2位乘法器仅由5个阈值逻辑门，1个反相器和1个异或门构成，共消耗7个PMOS管，7个NMOS管和6个SET。整个电路的平均功耗仅为46nW。与基于...
魏榕山陈锦锋陈寿昌何明华
基于负微分电阻特性的SET/CMOS反相器
本实用新型涉及一种基于负微分电阻特性的SET/CMOS反相器，其特征在于：包括一单电子晶体管SET、一PMOS管以及一NMOS管，所述的PMOS管的源极与单电子晶体管SET的源极相连，单电子晶体管SET的栅极与PMOS管...
魏榕山陈寿昌陈锦锋何明华
具有负微分电阻特性的混合SET/CMOS电路
本实用新型涉及集成电路技术领域，特别是一种具有负微分电阻特性的混合SET/CMOS电路，包括一单电子晶体管SET及一PMOS管，所述的PMOS管的源极与SET的源极相连，SET的栅极则与PMOS管的漏极相连，该SET的漏...
魏榕山陈寿昌陈锦锋何明华
基于SET/MOS混合结构的4-2编码器设计
2011年
基于单电子晶体管(SET)的库仑振荡效应、多栅输入特性和相移特性,实现了SET/MOS混合结构的或门逻辑,并利用该或门逻辑实现了4-2编码器。利用HSPICE对所设计电路进行仿真验证,仿真结果表明该电路能够实现4-2编码器的编码功能。与纯CMOS编码器相比,该SET/MOS混合电路仅由2个PMOS管、2个NMOS管和2个SET构成,具有结构简单、尺寸小、集成度高的优点。
魏榕山陈锦锋陈寿昌何明华
关键词：单电子晶体管HSPICE仿真
基于阈值逻辑的SET/MOS混合结构乘法器单元
本发明涉及集成电路技术领域，特别是一种基于阈值逻辑的SET/MOS混合结构乘法器单元，包括第一、二、三、四信号源、四输入阈值逻辑门、五输入阈值逻辑门以及一反相器；其共消耗3个PMOS管,3个NMOS管和2个SET。HSP...
魏榕山陈锦锋陈寿昌何明华
一种便携式固体微珠雷诺实验演示装置
本实用新型涉及一种便携式固体微珠雷诺实验演示装置，包括储水箱，所述储水箱侧部设有出水口和回水口，储水箱外部设有透明的实验管道，所述实验管道两端分别连接出水口和回水口；所述储水箱内设有向实验管道中注入黑色的空心玻璃微珠的进...
孙志新黄正妮杨杨陈锦锋梁子涵何鑫强黄齐飞
基于SET/MOS混合结构的二进制码-格雷码转换器
本发明涉及集成电路技术领域，特别是一种基于SET/MOS混合结构的二进制码-格雷码转换器，其包括四信号输入端以及三个二输入SET/MOS混合电路，仅消耗3个PMOS管，3个NMOS管和3个SET。整个电路的平均功耗仅为1...
魏榕山陈锦锋陈寿昌何明华
基于SET/MOS混合结构的二进制码-格雷码转换器
本实用新型涉及集成电路技术领域，特别是一种基于SET/MOS混合结构的二进制码-格雷码转换器，其包括四信号输入端以及三个二输入SET/MOS混合电路，仅消耗3个PMOS管，3个NMOS管和3个SET。整个电路的平均功耗仅...
魏榕山陈锦锋陈寿昌何明华
基于阈值逻辑的SET/MOS混合结构的加法器
本发明涉及集成电路技术领域，特别是一种基于阈值逻辑的SET/MOS混合结构的加法器，其仅由2个阈值逻辑门和1个反相器构成,共消耗3个PMOS管，3个NMOS管和3个SET。输入输出电压间具有较好的兼容性，输出电压摆幅为0...
魏榕山陈锦锋陈寿昌何明华
基于阈值逻辑的SET/MOS混合结构2位乘法器
本实用新型涉及集成电路技术领域，特别是一种基于阈值逻辑的SET/MOS混合结构2位乘法器仅由5个阈值逻辑门，1个反相器和1个异或门构成，共消耗7个PMOS管，7个NMOS管和6个SET。整个电路的平均功耗仅为46nW。与...
魏榕山陈锦锋陈寿昌何明华
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