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李辛毅
作品数:
8
被引量:0
H指数:0
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
电子电信
机械工程
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合作作者
韩培德
中国科学院半导体研究所
胡少旭
中国科学院半导体研究所
范玉杰
中国科学院半导体研究所
毛雪
中国科学院半导体研究所
王帅
中国科学院半导体研究所
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中国科学院
作者
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韩培德
7篇
李辛毅
6篇
胡少旭
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范玉杰
5篇
毛雪
5篇
王帅
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高利朋
2篇
叶舟
2篇
梁鹏
2篇
邢宇鹏
年份
2篇
2013
5篇
2012
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8
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利用工艺和器件仿真优化发射极提高单晶硅太阳电池转换效率
利用半导体工艺及器件仿真工具TCAD 软件的工艺仿真模块模拟了单晶硅电池制造过程中的扩散和热氧化过程,得到了与测试结果相一致的掺杂分布曲线.在工艺仿真基础上,利用TCAD 软件的器件仿真模块计算了电池的转换效率,发现通过...
邢宇鹏
韩培德
范玉杰
王帅
梁鹏
叶舟
李辛毅
关键词:
发射极
仿真
一种非制冷热电偶红外探测器及其制备方法
本发明公开了一种非制冷热电偶红外探测器及其制备方法,该非制冷热电偶红外探测器由下至上依次包括:在硅衬底上热氧化得到的氧化硅薄层,沉积在氧化硅薄层上的高塞贝克系数金属层;具有热隔离作用的热绝缘层;高红外辐射吸收的黑硅材料层...
李辛毅
韩培德
毛雪
胡少旭
王帅
范玉杰
文献传递
硅基近红外光电探测器结构及其制作方法
一种硅基近红外光电探测器结构,包括:一n型硅衬底,其上面向下开有两层台阶状的圆槽;一磷背场制作在n型硅衬底的下面;一硫系元素掺杂层制作在该n型硅衬底上面的最下层的圆槽内;一p型硼掺杂层制作在该n型硅衬底上面的上层圆槽内;...
胡少旭
韩培德
李辛毅
毛雪
高利朋
文献传递
一种非制冷热电偶红外探测器及其制备方法
本发明公开了一种非制冷热电偶红外探测器及其制备方法,该非制冷热电偶红外探测器由下至上依次包括:在硅衬底上热氧化得到的氧化硅薄层,沉积在氧化硅薄层上的高塞贝克系数金属层;具有热隔离作用的热绝缘层;高红外辐射吸收的黑硅材料层...
李辛毅
韩培德
毛雪
胡少旭
王帅
范玉杰
一种基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法
本发明公开了一种基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法,该方法包括:在硅衬底表层蒸镀钛薄膜;以及采用超快激光辐照蒸镀有钛薄膜的硅材料表层。本发明提供的基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法,采用超快激光辐照镀有钛薄层的硅...
李辛毅
韩培德
毛雪
胡少旭
王帅
范玉杰
文献传递
一种基于黑硅材料非制冷热红外探测器的制备方法
本发明公开了一种基于黑硅材料非制冷热红外探测器的制备方法,包括:在硅衬底或SOI衬底上形成温敏二极管;在该温敏二极管表面沉积非晶硅薄膜,在硫系元素氛围下采用超快激光辐照或采用离子注入硫系元素+超快激光辐照的方式对该非晶硅...
韩培德
李辛毅
毛雪
胡少旭
王帅
范玉杰
文献传递
硒元素过饱和掺杂在硅太阳电池制备中的应用
硫系元素在晶体硅带隙中引入的深能级在禁带中的位置离价带和导带都比较远,高浓度掺杂深能级杂质的材料禁带变窄效应不显著,高浓度深能级中心波函数相互交叠,载流子可以在深能级之间做共有化运动,在禁带中形成杂质能带的材料特性制备杂...
李辛毅
韩培德
高利朋
胡少旭
范玉杰
梁鹏
邢宇鹏
叶舟
关键词:
晶体硅太阳电池
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