公共文化服务平台

同相超模激光器: 本公开提供一种同相超模激光器，包括：沿外延方向设置的衬底和至少两个相叠加的激光器单元；其中，至少两个相叠加的激光器单元中的相邻激光器单元之间设置有隧道结，至少两个相叠加的激光器单元的波导芯层相互耦合形成超模光学腔；以及远...; 郑婉华王炬文齐爱谊徐传旺渠红伟周旭彦王亮

一种具有拓扑性质的条形半导体激光器阵列及其应用: 本发明公开了一种具有拓扑性质的条形半导体激光器阵列，包括中心波导单元以及位于中心波导单元两侧的波导单元组阵列；其中，中心波导单元用于注入电流提供增益促使基超模激射；中心波导单元两侧的波导单元组阵列具有不同的拓扑性质，使得...; 郑婉华陈静瑄傅廷王宇飞王学友齐爱谊

一种中红外波段调制器及其制备方法: 本公开提供了一种中红外波段调制器的制备方法，包括：步骤1：SOI衬底顶层硅(1)与N型InSb衬底(20)真空键合；步骤2：减薄N型InSb衬底(20)后刻蚀出脊形N型InSb结构(2)，该脊形N型InSb结构(2)包括...; 郑婉华彭红玲马丕杰董凤鑫石涛齐爱谊; 文献传递

散斑抑制装置: 本公开提供了一种散斑抑制装置，包括宽条半导体激光器组、准直模块、阶梯状相位延迟器、透镜模块和照明面，宽条半导体激光器组用于发射在慢轴方向上空间非相干的激光；准直模块用于对激光进行准直；阶梯状相位延迟器使得延迟相位后的激光...; 郑婉华陈傲张伟桥周旭彦刘靖齐爱谊

双边耦合超对称半导体激光器阵列、构建方法及其应用: 本发明公开了一种双边耦合超对称半导体激光器阵列、构建方法及其应用，双边耦合超对称半导体激光器阵列包括：主阵列，由一个或者多个相连的第一波导单元构成，至少一个第一波导单元有电流注入并提供增益促使基超模激射；第一副阵列和第二...; 郑婉华傅廷周旭彦贾宇飞陈静瑄王宇飞王学友齐爱谊

光子晶体激光器: 本发明公开了一种光子晶体激光器，包括：有源层(6)；N型下波导层(5)，设置在有源层(6)下，用于形成电流注入通道和纵向光场限制；以及光子晶体波导层(4)，设置在N型下波导层(5)下，包括多个波导组件，每个波导组件包括：...; 郑婉华徐传旺王亮渠红伟齐爱谊周旭彦王天财王炬文; 文献传递

高功率1060 nm垂直腔面发射激光器: 2024年; 为了提高1060 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)的性能,本文对大功率1060 nm VCSEL进行了理论模拟和实验研究。计算得到红移速度为0.40 nm/K,据此确定增益和腔模失配量为-20 nm。对比分析了6种不同InGaAs组分和厚度的量子阱,以及3种不同势垒材料的增益特性和输出特性,模拟结果表明,应变补偿的InGaAs/GaAsP量子阱有源区在温度稳定性、阈值电流以及功率方面更有优势。对P型分布式布拉格反射镜(DBR)进行优化设计,优化DBR渐变层厚度和对数,有助于获得更好的输出特性。采用金属有机化学气相沉积生长了InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱结构的VCSEL外延片,并制备了单管和阵列VCSEL,实验数据和理论分析基本吻合。实验测得,288单元VCSEL阵列在4.5 A电流下,连续输出功率为2.62 W,最高电光转换效率为36.8%,5 mm×5 mm VCSEL阵列准连续条件下(脉宽为100μs,占空比为1%),且在100 A电流下,获得峰值功率为53.4 W。; 郑妹茵渠红伟渠红伟董风鑫张建心隋佳桐张建心谢中华王海玲王宇飞齐爱谊; 关键词：垂直腔面发射激光器高功率

一种硅波导输出激光器: 本发明公开了一种硅波导输出激光器，包括：III‑V族有源结构，用于生成所述激光器的光源，所述III‑V族有源结构包括：隧道结层，用于形成反向隧穿电流通道；N型衬底，设置于所述隧道结层上表面；P型层，设置于所述隧道结层下表...; 郑婉华石涛王海玲孟然哲王明金彭红玲齐爱谊

一种直接用于显示的高功率低相干性激光光源: 一种直接用于显示的高功率低相干性激光光源，采用量子阱作为有源区，所述激光光源包括：D型腔结构，其截面为D型即圆形沿一弦线切割后的形状；功率放大区域，与D型腔结构相连；以及出射截面，设置于所述激光光源的末端，所述激光光源的...; 郑婉华贾宇飞王宇飞齐爱谊; 文献传递

基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器: 一种基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器，包括：一衬底；在该衬底上制作有N型纵向微纳周期结构、N型下波导层、有源区、P型上波导层和P型上限制层，该P型上限制层纵向剖面为一脊型结构，脊形结构上部的两侧为整体结构，一...; 渠红伟郑婉华张冶金张建心刘磊齐爱谊王海玲马绍栋石岩; 文献传递

渝B2-20050021-1　渝公网安备 50019002500403号　违法和不良信息举报中心　互联网出版许可证　新出网证(渝)字10号

齐爱谊