余黎静
- 作品数：11 被引量：19H指数：2
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程金属学及工艺更多>>
- 用EBIC法观察InSb半导体器件中的p-n结被引量：3
- 2019年
- 能够直观地“看到”半导体材料中制作的p-n结,对于半导体器件的设计和制造工艺很有意义,知道p-n结的厚度及其在样品中的位置,有利于设计器件的结构、保护膜的厚度、电极的尺寸等,也可以优化离子注入、表面处理、电路互联等工艺参数。本文用EBIC(电子束诱生电流)法观察了InSb半导体器件中的p-n结。同时观察到了器件中的肖特基结,其中肖特基结显示出明显的温度特性:温度降低,肖特基结响应区域扩大,温度降至80K,Cr-InSb肖特基结响应区域可扩展至47μm。用离子注入法在InSb材料中制成的p-n结其空间电荷区并不呈对称的空间分布,靠n区一侧的空间电荷区较薄,电荷密度较大,靠p区一侧的空间电荷区较厚,电荷密度相对较小。作为一种常用的观察分析工具,EBIC法在观察分析半导体器件结构方面有透视和显微等优点。
- 孙祥乐高思伟毛渲龚晓霞余黎静宋欣波柴圆媛尚发兰信思树太云见
- 关键词：肖特基结P-N结
- 基于PbS CQDs/ZnO-NWs复合结构红外探测器及其制备方法
- 基于PbS CQDs/ZnO‑NWs复合结构红外探测器及其制备方法，属于红外探测器制备领域。本发明复合结构红外探测器，从下至上依次是衬底、阳极层、PbS CQDs/ZnO‑NWs复合层，以及阴极层。制备方法包括清洁衬底、...
- 唐利斌钟和甫田品余黎静左文彬姬荣斌
- 非制冷红外探测器研究进展(特邀)被引量：13
- 2021年
- 非制冷红外探测器由于无需制冷装置,能够工作在室温状态下,具有成本低、体积小、功耗低等特点,在红外领域得到了广泛的应用。在军事应用方面,非制冷型探测器的应用逐渐进入了之前制冷型探测器的应用范围,大量应用在一些低成本的武器系统,甚至在一些应用领域取代了原来的非制冷型探测器。在民用领域方面,更表现出了其价格和使用方便的优势,在民用车载夜视、安防监控等应用领域引起了广泛的兴趣和关注。文中介绍了Bolometer、热释电、热电堆等几种典型非制冷红外探测器的工作原理,列举了目前已实现商业化应用的主要产品在国内外的情况,着重介绍了目前应用最广泛的Bolometer器件主流产品的像元间距、阵列规格、性能及其封装发展的情况。除了已实现商业化应用的Bolometer、热释电、SOI二极管等探测器等产品,还详细介绍了一些非制冷探测新技术或新型器件:比如超表面在增强某些波段吸收方面的应用,新材料的Bolometer探测器、双材料新型非制冷器件、石墨烯、量子点、纳米线等光电探测技术的研究进展。最后文章还对今后非制冷红外探测器的发展趋势作了预测。
- 余黎静余黎静杨文运唐利斌
- 关键词：非制冷红外探测器热释电BOLOMETER封装
- 提升某型热像仪软装工作效率方法研究
- 2020年
- 某型热像仪软装是某型热像仪整机装调过程中的关键步骤,对某型热像仪整机装调的进度、质量有着重要的影响。本文通过合理使用自动化设备,使软装工作效率得到提升。该方法基于某型热像仪软装的工作性质,制造了专用的装配工装,实现了生产自动化,从而提高了工作效率,保证了产品质量一致性,降低了不良率,达到有效管控和追溯产品质量问题,为实现现代化生产提供了一条新道路。
- 李汝劼张永洁余黎静
- 关键词：产品质量
- 耐高过载冲击的红外探测器壳体组件
- 耐高过载冲击的红外探测器壳体组件，其特征在于：在壳体的底部，从底部的外表面到内表面制作一个与壳体同轴且内径依次减小的三级台阶孔，最小孔径的孔用于透过红外线，在中间孔径的台阶孔内安装红外窗口，红外窗口与中间孔径底面用光学胶...
- 袁俊苏玉辉冯江敏余黎静莫镜辉
- 文献传递
- 宽波段PbS量子点基光电探测器及其制备方法
- 宽波段PbS量子点基光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。该探测器包括：衬底；碲化铋（Bi<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>），形成于衬底上，并进行快速退火处理；PbS胶体量子点，形成于碲化铋（...
- 唐利斌余黎静田品郝群钟和甫左文彬苏润红李志华杨敏马启余连杰
- 一种Bi<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>/PbS量子点杂化光电探测器及其制备方法
- 一种Bi<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>/PbS量子点杂化光电探测器及其制备方法，探测器包括衬底、ITO透明电极层形成于所述衬底上；PCBM功能层，形成于ITO透明电极层上；PbS胶体量子点，形成于P...
- 余黎静唐利斌田品郝群钟和甫左文彬岳彪王海澎姬玉龙李红福魏虹普跃升钟昇佑毛文彪
- InSb阳极氧化膜界面特性研究被引量：1
- 2012年
- 用阳极氧化的方法在InSb衬底上生长氧化膜,并在阳极氧化膜上镀Cr/Au电极以制备MOS器件,通过分析77 K时MOS器件C-V特性,得出InSb-阳极氧化膜界面的掺杂浓度、界面态密度,氧化层中的固定电荷密度可动电荷密度等重要参数,分析其界面特性和制备工艺的关系,为InSb表面的钝化工艺提供参考。
- 余黎静李延东信思树郭雨航杨文运
- 关键词：阳极氧化MIS器件C-V特性界面态密度
- 量子点合成及其光电功能薄膜研究进展被引量：2
- 2022年
- 量子点(quantum dots,QDs),也被称为半导体纳米晶体,得益于其廉价的制造成本和独特的光学物理学特性,已经广泛应用于光电探测器和太阳能电池的设计和开发。而量子点的合成则是制备光电探测器和太阳能电池的重要组成部分之一。本文对几种不同的量子点合成技术进行了概述,对国内外不同的基于量子点的光电探测器和太阳能电池进行了归纳和总结,并比较了不同种量子点薄膜的优缺点。最后,对量子点薄膜的发展进行了展望。
- 钟和甫唐利斌余黎静余黎静
- 关键词：量子点光电探测器太阳能电池
- 能级调控PbS量子点光电探测器及其制备方法
- 能级调控PbS量子点光电探测器及其制备方法，属于光电技术领域。该探测器包括衬底；ITO透明电极层，形成于所述衬底上；AZO功能层，形成于ITO透明电极层上；PbS胶体量子点，形成于AZO功能层上；碲化铋（Bi<Sub>2...
- 余黎静唐利斌田品郝群钟和甫左文彬雷晓虹邓功荣王静宇黄俊博冯江敏袁俊龚晓霞施静梅
