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张日清
作品数:
17
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供职机构:
华为技术有限公司
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相关领域:
电子电信
文化科学
交通运输工程
建筑科学
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合作作者
夏禹
华为技术有限公司
杨雯
华为技术有限公司
马小龙
华为技术有限公司
朱靖华
华为技术有限公司
常文瑞
华为技术有限公司
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华为技术有限...
作者
17篇
张日清
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夏禹
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马小龙
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杨雯
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常文瑞
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朱靖华
年份
4篇
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2023
1篇
2022
4篇
2021
3篇
2020
2篇
2019
1篇
2017
1篇
2016
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自对准四重图案化半导体装置的制作方法以及半导体装置
本申请实施例公开了自对准四重图案化半导体装置的制作方法以及半导体装置。自对准四重图案化半导体装置的制作方法包括:在待刻蚀层的表面依次形成第一抗反射层、第一牺牲层、第二抗反射层和第一图案化硬掩膜层;对第一图案化硬掩膜层进行...
陈庆煌
黄雪维
张日清
常文瑞
一种基于二维半导体的电子器件及其制造方法
本发明实施例采用对二维半导体周围介质的掺杂或者在半导体周围介质局部填充固体材料形成填充区,利用掺杂区或填充区对二维半导体特性的掺杂效应来实现基于二维半导体的电子器件。本发明实施例对二维半导体的掺杂不是对二维半导体的直接处...
杨雯
张日清
夏禹
文献传递
一种三维集成电路、三维集成电路对准工艺及设备
本申请公开了一种三维集成电路、三维集成电路对准工艺及设备,该三维集成电路至少包括叠置的两个芯片。上述三维集成电路包括叠置的第一芯片与第二芯片,上述第一芯片具有第一磁性对准标记,第二芯片具有第二磁性对准标记。上述第一磁性对...
许俊豪
朱伟骅
张日清
一种集成电路及其制作方法、场效应晶体管
本申请实施例提供一种集成电路及其制作方法、场效应晶体管,涉及集成电路技术领域,可以简化集成电路的制作过程,降低生产成本。该集成电路包括衬底以及设置在衬底上的FinFET;还包括GAAFET和/或forksheet FET...
张日清
负电容鳍式场效应管的制备方法及负电容鳍式场效应管
本申请实施例公开了一种负电容鳍式场效应管的制备方法及负电容场效应晶体管,该方法包括:提供半导体衬底,其上具有鳍部;形成覆盖鳍部的顶面和侧壁、半导体衬底的第一栅绝缘层;在第一栅绝缘层上形成横跨鳍部的牺牲栅极;以牺牲栅极为掩...
张日清
夏禹
文献传递
一种场效应晶体管及其制作方法
本发明的实施例提供一种场效应晶体管及其制作方法,涉及半导体技术领域,可减小场效应晶体管的寄生参数,从而提高场效应晶体管的可靠性。所述场效应晶体管,其特征在于,包括源极和漏极,所述源极与所述漏极之间的沟道上设置有栅极,所述...
马小龙
张日清
斯蒂芬·巴德尔
一种基于二维半导体的电子器件及其制造方法
本发明实施例采用对二维半导体周围介质的掺杂或者在半导体周围介质局部填充固体材料形成填充区,利用掺杂区或填充区对二维半导体特性的掺杂效应来实现基于二维半导体的电子器件。本发明实施例对二维半导体的掺杂不是对二维半导体的直接处...
杨雯
张日清
夏禹
文献传递
一种场效应晶体管及其制作方法
本发明的实施例提供一种场效应晶体管及其制作方法,涉及半导体技术领域,可减小场效应晶体管的寄生参数,从而提高场效应晶体管的可靠性。该方法包括:在半导体衬底上形成具有超晶格特征的支撑结构,该支撑结构包括交替设置的第一半导体材...
马小龙
张日清
斯蒂芬.巴德尔
文献传递
一种三维集成电路、三维集成电路对准工艺及设备
本申请公开了一种三维集成电路、三维集成电路对准工艺及设备,该三维集成电路至少包括叠置的两个芯片。上述三维集成电路包括叠置的第一芯片与第二芯片,上述第一芯片具有第一磁性对准标记,第二芯片具有第二磁性对准标记。上述第一磁性对...
许俊豪
朱伟骅
张日清
三维堆叠封装及三维堆叠封装制造方法
本申请提供一种三维堆叠封装及三维堆叠封装制造方法,该三维堆叠封装包括:第一半导体芯片、第二半导体芯片和第三半导体芯片,第一半导体芯片与第二半导体芯片设置于同一水平面,第三半导体芯片堆叠在第一半导体芯片与第二半导体芯片一侧...
张日清
张宏英
雷电
朱继锋
朱靖华
王腾
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