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王书博

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：常州天合光能有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文专利

主题

  • 5篇电池
  • 4篇太阳电池
  • 4篇晶体硅
  • 4篇晶体硅太阳电...
  • 4篇硅太阳电池
  • 3篇钝化
  • 3篇硅片
  • 3篇硅片表面
  • 2篇氮化硅
  • 2篇丝网印刷
  • 2篇扩散
  • 2篇光子
  • 2篇新结构
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅膜
  • 1篇电池结构
  • 1篇电阻
  • 1篇钝化工艺
  • 1篇氧化铝
  • 1篇印刷

机构

  • 5篇常州天合光能...

作者

  • 5篇王书博
  • 4篇邓伟伟
  • 3篇杨阳
  • 1篇许庭静

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 3篇2012
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种新结构晶体硅太阳电池及其制备方法
本发明涉及一种新结构晶体硅太阳电池及其制备方法，包括N-Type硅片本体，N-Type硅片本体的上、下表层分别具有B掺杂区组，相邻B掺杂区之间分别刻蚀有隔离槽，N-Type硅片本体的上、下表层上分别镀有氧化铝层，氧化铝层...
王书博邓伟伟杨阳
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双面晶体硅太阳电池结构及其制作工艺
本发明涉及一种双面晶体硅太阳电池结构及其制作工艺，该电池结构包括硅衬底，在硅衬底的上、下表面的部分区域形成PN结，硅衬底上表面形成PN结的区域与硅衬底下表面未形成PN结的区域投影重合，硅衬底上表面未形成PN结的区域与硅衬...
王书博许庭静邓伟伟杨阳
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晶体硅太阳电池背钝化工艺及其结构
本发明涉及本发明涉及一种晶体硅太阳电池背钝化工艺及其结构，首先在P型硅片背面使用氮化硅做掩模，在掩膜上开孔，之后进行B扩散，在开孔的地方形成重掺杂，清洗掉氮化硅掩膜之后沉积氧化铝和氮化硅的叠层膜，然后在电池背面开出背点接...
王书博邓伟伟
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MWT电池的制造方法
本发明提出了一种MWT电池的制造方法，包括以下步骤：在一硅片上对称地进行打孔，以获得在所述硅片上对称分布的多个通孔；在所述硅片上实施扩散工艺；根据所述多个通孔，在经扩散的硅片表面上进行划线，以将所述硅片划分成多个子电池，...
王书博
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一种新结构晶体硅太阳电池及其制备方法
本发明涉及一种新结构晶体硅太阳电池及其制备方法，包括N-Type硅片本体，N-Type硅片本体的上、下表层分别具有B掺杂区组，相邻B掺杂区之间分别刻蚀有隔离槽，N-Type硅片本体的上、下表层上分别镀有氧化铝层，氧化铝层...
王书博邓伟伟杨阳
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