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邓秋芳

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇重掺杂
  • 4篇波长
  • 2篇叠层
  • 2篇多波长
  • 2篇双波长
  • 2篇芯片
  • 2篇刻蚀
  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇光子
  • 2篇光子集成
  • 2篇发射芯片
  • 2篇反馈激光器
  • 2篇分布反馈激光...
  • 2篇盖层
  • 1篇源区
  • 1篇双模
  • 1篇磷化铟
  • 1篇光栅

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇朱洪亮
  • 4篇梁松
  • 4篇许俊杰
  • 4篇邓秋芳

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
共腔双波长分布反馈激光器的制作方法
一种共腔双波长分布反馈激光器的制备方法，该方法包括如下步骤：步骤1：在掺杂磷化铟衬底上制作下层光栅；步骤2：在下层光栅上外延生长下光栅覆盖层和有源区层；步骤3：在有源区层上制作上层光栅；步骤4：在上层光栅上外延生长掺杂磷...
邓秋芳朱洪亮许俊杰梁松
文献传递
叠层选区生长制作多波长光子集成发射芯片的方法
一种叠层选区生长制作多波长光子集成发射芯片的方法，包括：在衬底上制作选区介质掩膜条对；并依次生长InP缓冲层、下分别限制层、下层多量子阱层、刻蚀终止层、上层多量子阱层以及上分别限制层；去掉部分上分别限制层和上层多量子阱层...
邓秋芳梁松许俊杰朱洪亮
共腔双波长分布反馈激光器的制作方法
一种共腔双波长分布反馈激光器的制备方法，该方法包括如下步骤：步骤1：在掺杂磷化铟衬底上制作下层光栅；步骤2：在下层光栅上外延生长下光栅覆盖层和有源区层；步骤3：在有源区层上制作上层光栅；步骤4：在上层光栅上外延生长掺杂磷...
邓秋芳朱洪亮许俊杰梁松
文献传递
叠层选区生长制作多波长光子集成发射芯片的方法
一种叠层选区生长制作多波长光子集成发射芯片的方法，包括：在衬底上制作选区介质掩膜条对；并依次生长InP缓冲层、下分别限制层、下层多量子阱层、刻蚀终止层、上层多量子阱层以及上分别限制层；去掉部分上分别限制层和上层多量子阱层...
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