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陈辉

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇光刻
  • 5篇半导体
  • 5篇半导体器件
  • 4篇对准标记
  • 3篇功率半导体
  • 3篇功率半导体器...
  • 3篇光刻工艺
  • 2篇电子领域
  • 2篇上光
  • 2篇微电子领域
  • 2篇显影液
  • 2篇刻蚀
  • 2篇光刻胶
  • 2篇凹凸型
  • 2篇保护膜
  • 2篇IGBT
  • 1篇制作方法
  • 1篇绝缘
  • 1篇绝缘层
  • 1篇减薄

机构

  • 7篇株洲南车时代...

作者

  • 7篇陈辉
  • 4篇程银华
  • 4篇郭可
  • 4篇岳金亮
  • 4篇刘鹏飞
  • 3篇罗海辉
  • 2篇黄建伟
  • 1篇宁旭斌
  • 1篇刘太忠

年份

  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种IGBT深沟槽光刻工艺
本发明涉及一种IGBT深沟槽光刻工艺，属于微电子领域。本发明为解决深沟槽底部图形刻蚀不充分等问题，提供一种IGBT深沟槽光刻工艺，依次包括以下步骤：(1)在衬底表面和深沟槽内涂上有机材料，有机材料不溶于显影液，且能被刻蚀...
宋里千黄建伟罗海辉陈辉
文献传递
一种光刻对准标记的制备方法
本发明公开了一种光刻对准标记的制备方法，属于功率半导体器件技术领域，以解决在功率半导体器件制造过程中，光刻对准标记受到影响导致功率半导体器件后续制备工艺的精度下降的技术问题。该光刻对准标记的制备方法包括：通过第一次光刻工...
陈辉宋里千程银华郭可刘鹏飞岳金亮
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一种IGBT深沟槽光刻工艺
本发明涉及一种IGBT深沟槽光刻工艺，属于微电子领域。本发明为解决深沟槽底部图形刻蚀不充分等问题，提供一种IGBT深沟槽光刻工艺，依次包括以下步骤：(1)在衬底表面和深沟槽内涂上有机材料，有机材料不溶于显影液，且能被刻蚀...
宋里千黄建伟罗海辉陈辉
一种光刻对准标记的制备方法
本发明公开了一种光刻对准标记的制备方法，属于功率半导体器件技术领域，以解决在功率半导体器件制造过程中，光刻对准标记受到影响导致功率半导体器件后续制备工艺的精度下降的技术问题。该光刻对准标记的制备方法包括：通过第一次光刻工...
陈辉宋里千程银华郭可刘鹏飞岳金亮
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一种半导体器件制作光刻对准方法
本发明公开了一种半导体器件制作光刻对准方法，用于半导体器件制作过程中，当工艺对准层或光刻对准标记不清晰，但基底层具有凹凸型台阶结构的光刻对准标记时对工艺对准层进行光刻对准。半导体器件制作光刻对准方法包括：在基底层上形成工...
岳金亮陈辉宋里千程银华刘鹏飞郭可
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功率半导体器件制作方法及装置
本发明提供一种功率半导体器件制作方法及装置，其中，方法包括：通过在功率半导体器件的第一硅片正面贴上胶膜；对胶膜进行裁剪，剪掉未覆盖在第一硅片上的部分，使胶膜与第一硅片形状大小相同；对第一硅片背面进行减薄以及其它工艺，直至...
贺洪露陈辉罗海辉谭灿健宁旭斌刘太忠
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一种半导体器件制作光刻对准方法
本发明公开了一种半导体器件制作光刻对准方法，用于半导体器件制作过程中，当工艺对准层或光刻对准标记不清晰，但基底层具有凹凸型台阶结构的光刻对准标记时对工艺对准层进行光刻对准。半导体器件制作光刻对准方法包括：在基底层上形成工...
岳金亮陈辉宋里千程银华刘鹏飞郭可
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