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王良

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：天津电子材料研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇砷化镓
  • 2篇半绝缘
  • 2篇半绝缘砷化镓
  • 1篇热激电流
  • 1篇TSC

机构

  • 2篇天津电子材料...

作者

  • 2篇郑庆瑜
  • 2篇王良
  • 1篇孙毅之

传媒

  • 1篇现代仪器
  • 1篇半导体杂志

年份

  • 1篇2002
  • 1篇2000
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
半绝缘砷化镓的热激电流谱测量被引量：3
2002年
本文介绍了热激电流谱(TSC)测试方法,测量了SI-GaAs材料的TSC特征谱图。并对SI-GaAs的深能级中心的行为进行了初步的分析。
王良郑庆瑜
关键词：半绝缘砷化镓
半绝缘砷化镓的光淬灭对TSC的影响
2000年
实验研究了SI-GaAs材料中的EL2能级光淬灭对TSC谱的影响。EL2能级显著光淬灭后 ,TSC谱发生了明显的变化。一些TSC峰的高度明显降低甚至消失 ,在低温端TSC谱出现一些新的峰。
王良郑庆瑜孙毅之
关键词：热激电流砷化镓
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共1页<1>
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