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徐文举

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：西安交通大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇引信
  • 4篇热电效应
  • 4篇锚点
  • 3篇单晶
  • 3篇单晶硅
  • 2篇执行器
  • 2篇结构层
  • 2篇刻蚀
  • 2篇刻蚀技术
  • 2篇衬底
  • 1篇键合

机构

  • 4篇西安交通大学

作者

  • 4篇赵玉龙
  • 4篇白颖伟
  • 4篇李秀源
  • 4篇任炜
  • 4篇徐文举

年份

  • 2篇2016
  • 2篇2014
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种基于二级压曲放大的引信用MEMS执行器
一种基于二级级联压曲放大的引信安保装置用V型MEMS执行器，包括单晶硅衬底，单晶硅衬底上制作有加速膛孔，二氧化硅绝缘层在单晶硅衬底上生长，将单晶硅结构层与生长了二氧化硅绝缘层2的单晶硅衬底键合，金属电极层沉积在单晶硅结构...
赵玉龙李秀源胡腾江徐文举白颖伟任炜
文献传递
一种基于压曲放大的引信安保装置用V型MEMS执行器
一种基于压曲放大的引信安保装置用V型MEMS执行器，包括单晶硅衬底，单晶硅衬底上制作有加速膛孔，二氧化硅绝缘层在单晶硅衬底上生长，将单晶硅结构层与生长了二氧化硅绝缘层的单晶硅衬底键合，金属电极层沉积在单晶硅结构层的锚点上...
赵玉龙李秀源胡腾江徐文举白颖伟任炜
一种基于压曲放大的引信安保装置用V型MEMS执行器
一种基于压曲放大的引信安保装置用V型MEMS执行器，包括单晶硅衬底，单晶硅衬底上制作有加速膛孔，二氧化硅绝缘层在单晶硅衬底上生长，将单晶硅结构层与生长了二氧化硅绝缘层的单晶硅衬底键合，金属电极层沉积在单晶硅结构层的锚点上...
赵玉龙李秀源胡腾江徐文举白颖伟任炜
文献传递
一种基于二级压曲放大的引信用MEMS执行器
一种基于二级级联压曲放大的引信安保装置用V型MEMS执行器，包括单晶硅衬底，单晶硅衬底上制作有加速膛孔，二氧化硅绝缘层在单晶硅衬底上生长，将单晶硅结构层与生长了二氧化硅绝缘层2的单晶硅衬底键合，金属电极层沉积在单晶硅结构...
赵玉龙李秀源胡腾江徐文举白颖伟任炜
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