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吴自良

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇理学

主题

  • 2篇超导
  • 1篇导体
  • 1篇动力学
  • 1篇氧化物
  • 1篇陶瓷
  • 1篇热加工
  • 1篇临界电流
  • 1篇临界电流密度
  • 1篇内耗
  • 1篇内耗研究
  • 1篇金属
  • 1篇金属氧化物
  • 1篇金属有机化学...
  • 1篇扩散激活能
  • 1篇化合物
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇激活能
  • 1篇高温
  • 1篇高温陶瓷

机构

  • 3篇中国科学院上...

作者

  • 3篇吴自良
  • 1篇张骥华
  • 1篇陶卫
  • 1篇陈廷国
  • 1篇李廷伟

年份

  • 1篇1993
  • 1篇1990
  • 1篇1989
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
铋锶钙铜氧系超导复合材料的制备方法
本发明涉及一种铋锶钙铜氧系高温陶瓷超导复合材料的制备技术。包括制备超导粉体，在金属或合金包套中灌装超导粉体，冷、热加工成型材，型材在真空或保护气氛中，低于800℃温度下烧结以及随炉慢冷等工艺。使用本发明工艺制备超导复合材...
李廷伟陈廷国吴自良
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TiN化合物预沉淀动力学内耗研究
本文通过低频内耗方法,研究了 Fe-Ti-N 三元合金中 Ti-N 的 S-i 交互峰时效动力学,从而不仅对 TiN 化合物预沉淀过程作了较为清晰的描述,并对其沉淀机制作了初步探讨。一、实验程序 Fe-0．84at%Ti...
凌黎张骥华吴自良
关键词：扩散激活能TIN化合物
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金属氧化物超导薄膜的化学气相快速沉积工艺
一种用金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)快速沉积金属氧化物超导薄膜的工艺，其特征在于维持反应室压力为66.5～133帕的低压，衬底温度700～850℃，有机源升华温度80～250℃，反应室氧分压为13.3～93帕，用...
陶卫吴自良
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共1页<1>
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