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王俊

作品数：43 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第三十八研究所更多>>
发文基金：国际科技合作与交流专项项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学轻工技术与工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 38篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 13篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇理学

主题

  • 26篇探测器
  • 19篇紫外探测
  • 19篇紫外探测器
  • 16篇半导体
  • 14篇光电
  • 13篇电子器件
  • 13篇光电子
  • 13篇光电子器件
  • 13篇半导体光电
  • 13篇半导体光电子...
  • 8篇暗电流
  • 6篇带通
  • 6篇多量子阱
  • 5篇肖特基
  • 4篇电场
  • 4篇电场分布
  • 4篇电子阻挡层
  • 4篇抑制比
  • 4篇载流
  • 4篇载流子

机构

  • 43篇中国电子科技...
  • 11篇合肥公共安全...
  • 2篇联合微电子中...

作者

  • 43篇王俊
  • 24篇郭进
  • 18篇王国胜
  • 15篇谢峰
  • 9篇吴浩然
  • 9篇宋曼
  • 4篇冯俊波
  • 4篇周杰
  • 4篇易媛媛
  • 3篇万静龙
  • 3篇陆学军
  • 3篇王逸群
  • 2篇王皖君
  • 2篇甘彤
  • 2篇曹国威
  • 1篇赵恒

传媒

  • 1篇现代电子技术
  • 1篇科技与创新
  • 1篇中国科技期刊...
  • 1篇中文科技期刊...
  • 1篇第13届全国...

年份

  • 2篇2022
  • 7篇2021
  • 1篇2020
  • 8篇2019
  • 2篇2018
  • 9篇2017
  • 7篇2016
  • 6篇2015
  • 1篇2014
共 43 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
低暗电流n-AlGaN基MSM紫外探测器及其制备方法
本发明公开一种低暗电流n‑AlGaN基MSM紫外探测器及其制备方法，包括衬底、缓冲层、吸收层、覆盖层、电极；所述缓冲层设置在所述衬底顶端，所述缓冲层顶端设置所述吸收层，所述吸收层顶端设置所述覆盖层，所述覆盖层顶端设有所述...
王国胜谢峰王润王俊郭进
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一种具有双量子阱臂结构电子阻挡层的LED
本发明公开了一种具有双量子阱臂结构电子阻挡层的LED，包括衬底、GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱发光层、电子阻挡层与p型GaN层，所述GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱发光层、电子阻...
王俊李由胡洋储政勇谢峰
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基于NPSS的窄带通GaN基MSM结构紫外探测器
本发明基于NPSS的窄带通GaN基MSM结构紫外探测器涉及一种半导体光电子器件。其目的是为了提供一种基于NPSS的窄带通GaN基MSM结构紫外探测器，该紫外探测器通过阻挡势垒结构对探测器的输运模式进行选择，同时采用先进的...
王俊郭进王国胜吴浩然王唐林宋曼易媛媛谢峰
一种同质界面二维δ掺杂型PIN紫外探测器
本发明属于半导体光电子器件技术领域，具体涉及一种同质界面二维δ掺杂型PIN紫外探测器，包括衬底，缓冲层，N型欧姆接触层，N型欧姆接触电极，吸收层，二维δ掺杂层，P型欧姆接触层，P型欧姆接触电极；其中，所述二维δ掺杂层为高...
王俊郭进王国胜金里
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一种带紫外火焰监测的燃气热水器
本发明公开了一种带紫外火焰监测的燃气热水器，包括燃烧腔和设置于燃烧腔之外的硬件电路板；所述硬件电路板包括依次串联的信号采集电路、跨阻放大电路、限幅放大电路、微处理器；所述信号采集电路包括GaN紫外探测器。本发明采用了Ga...
宋曼郭进谢峰万静龙王俊王唐林吴浩然陆学军王国胜王逸群
一种光学结构电磁屏蔽窗口及检测控制系统
本实用新型公开一种光学结构电磁屏蔽窗口及检测控制系统，包括金属壳体、入射窗口、前反射镜、后反射镜、电磁出射窗口、光束出射窗口，前反射镜和后反射镜均设置在金属壳体内，入射窗口和电磁出射窗口对应设置，且前反射镜设置在入射窗口...
吴朔胡俊华王俊肖冬萍甘彤
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一种柔性衬底上大面积金属纳米针尖阵列的制备方法
本发明公开了一种柔性衬底上大面积金属纳米针尖阵列的制备方法，包括如下步骤：(1)在硅片衬底上蒸镀金属铬薄膜，旋涂光刻胶；(2)使用曝光‑显影‑定影工艺制备具有孔洞阵列的光刻胶图案；(3)用硝酸铈铵去除没有光刻胶图案保护的...
孟秋实郭进曹国威周杰王俊
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具有异质外延NIP结型多量子阱发光层终端的LED结构
本发明公开了具有异质外延NIP结型多量子阱发光层终端的LED结构，属于半导体光电子器件技术领域，包括衬底、GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱发光层、电子阻挡层和p型GaN层，所述GaN缓冲层、未掺杂Ga...
王俊郭进冯俊波肖志雄
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一种具有异质外延结型电子阻挡层的LED结构
本发明公开了一种具有异质外延结型电子阻挡层的LED结构，属于半导体光电子器件技术领域，包括衬底、GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱发光层、电子阻挡层与p型GaN层，所述GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型...
王俊郭进冯俊波
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具有异质外延NIP结型多量子阱发光层终端的LED结构
本发明公开了具有异质外延NIP结型多量子阱发光层终端的LED结构，属于半导体光电子器件技术领域，包括衬底、GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱发光层、电子阻挡层和p型GaN层，所述GaN缓冲层、未掺杂Ga...
王俊郭进冯俊波肖志雄
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