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一种GaN基异质结变容管装置及其外延结构: 本发明提供了GaN基异质结变容管装置及其外延结构，旨在解决现有的倍频器件以金属和半导体形成的肖特基接触为基础，导致功率特性较差的问题。GaN基异质结变容管装置，包括由GaN基材料制作的衬底、高阻缓冲层、第一层重掺杂导电层...; 曾建平安宁李倩谭为; 文献传递

一种制备部分覆盖侧面电极的方法: 本发明公开了一种制备部分覆盖侧面电极的方法，属于光电子技术领域。步骤包括：A．第一次清洗干燥，B．第一次光刻，C.第一次刻蚀，D．第二次清洗干燥，E．沉积钝化层，F．第二次光刻，G．第二次刻蚀，H．沉积电极，I．腐蚀，J...; 王文杰谢武泽李舒啸安宁李倩曾建平; 文献传递

一种具有空气桥的半导体器件及其制作方法: 本发明公开了一种具有空气桥的半导体器件及其制作方法，在半导体器件中制作空气桥样式的电极，进而保证具有空气桥的半导体器件显著降低了器件寄生效应引入的损耗，提升了半导体器件的频率和功率特性。本发明提供的技术方案，通过在第二掩...; 苏娟石向阳李倩王丁安宁曾建平谭为; 文献传递

一种制备全部覆盖侧面电极的方法: 本发明公开了一种制备全部覆盖侧面电极的方法，属于光电子技术领域。步骤包括：A．清洗干燥；B．沉积钝化层；C．光刻刻蚀区；D．台面刻蚀；E．沉积金属；F．腐蚀钝化层；G．退火。通过本制备方法制备的侧面电极全部覆盖的微纳电子...; 王文杰谢武泽李舒啸安宁李倩曾建平; 文献传递

具有阵列导电沟道结构的太赫兹波探测器: 本发明公开了具有阵列导电沟道结构的太赫兹波探测器。涉及半导体红外探测领域，所要解决的问题是现有太赫兹波探测器的低灵敏度和低效率问题。该探测器包括衬底、缓冲层、导电沟道层、势垒层、帽层、光栅栅极、源漏金属电极，其中，缓冲层...; 曾建平唐海林李志强安宁熊永忠; 文献传递

一种横向结构的半导体异质结变容管装置: 本发明提供了一种横向结构的半导体异质结变容管装置，旨在解决现有金属电极不与异质结的二维电子气形成直接的肖特基接触导致结电容、串联电阻过大和器件频率太低的问题。本发明包括衬底、缓冲层半导体、异质结半导体结构、帽层半导体、介...; 曾建平李倩安宁谭为; 文献传递

外延结构及制作GaAs基单管器件和GaAs基片上集成变频电路的方法: 本发明提供了一种外延结构及制作GaAs基单管器件和GaAs基片上集成变频电路的方法，旨在解决现有的工艺比较复杂的问题。一种外延结构，从下至上依次包括衬底、缓冲层半导体、选择性腐蚀层、薄膜支撑层、高阻隔离层、重掺杂n+Ga...; 曾建平李倩安宁谭为; 文献传递

电子束实现210 nm栅长115 GHz GaAs基mHEMT器件被引量：1: 2018年; 为了获得T型栅应变高电子迁移率晶体管(m HEMT)器件,利用电子束(Electron beam,E-beam)光刻技术制备了210 nm栅长,减小m HEMT器件栅极的寄生电容和寄生电阻。采用PMMA A4/PMMA-MMA/PMMA A2三层胶电子束直写的方法定义了210 nm栅长T型栅极。In Al As/In Ga As异质结Ga As-m HEMT器件的直流特性和高频特性分别通过Agilent B1500半导体参数分析仪和Agilent 360 B矢量网络分析仪测试。直流测试结果显示,210 nm栅长In Al As/In Ga As沟道Ga As-m HEMT单指器件的最大有效输出跨导(gm:max)为195 m S/mm,器件最大沟道电流160 m A/mm。射频测试结果显示,电流增益截至频率(fT)和最高振荡频率(fmax)分别为46 GHz和115 GHz。同时欧姆电极特性和栅极漏电特性也被表征,其中栅极最大饱和漏电流密度小于1×10-8 A/μm。; 曾建平安宁李志强李倩李倩唐海林唐海林; 关键词：T型栅最高振荡频率

一种制备部分覆盖侧面电极的方法: 本发明公开了一种制备部分覆盖侧面电极的方法，属于光电子技术领域。步骤包括：A．第一次清洗干燥，B．第一次光刻，C.第一次刻蚀，D．第二次清洗干燥，E．沉积钝化层，F．第二次光刻，G．第二次刻蚀，H．沉积电极，I．腐蚀，J...; 王文杰谢武泽李舒啸安宁李倩曾建平; 文献传递

一种GaN基SBD变频电路及其制作方法: 本发明属于太赫兹高频器件和集成电路制备领域，公开了一种GaN基SBD变频电路，包括基于衬底的电路和基于垂直电极的GaN基SBD器件，所述基于衬底的电路依次包括衬底及第一层金属，所述基于垂直电极的GaN基SBD器件从下至上...; 曾建平安宁李倩谭为; 文献传递

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曾建平