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王裕如
作品数:
22
被引量:1
H指数:1
供职机构:
电子科技大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
张波
电子科技大学
乔明
电子科技大学
代刚
电子科技大学
张晓菲
电子科技大学
方冬
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一种超结结构的制备方法
本发明提供了一种超结结构的制备方法,属于半导体工艺制造技术领域。包括以下步骤:1)在衬底上制备第一N型外延层;2)采用多次高能离子注入工艺,在第一N型外延层需要制作P型柱的区域注入P型杂质,形成第一注入区;3)在第一N型...
乔明
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张康
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张波
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一种横向高压功率器件的结终端结构
本发明属于半导体技术领域,具体的说涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构,直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分,在Y方向,P型埋层超出N型漂移区距离为5微米;同时P型埋层还超出N型掺杂层3微米。在实际工艺中...
乔明
王裕如
代刚
张晓菲
周锌
何逸涛
张波
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一种横向高压功率器件的结终端结构
本发明属于半导体技术领域,具体的说涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构,直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分,在Y方向,P型埋层超出N型漂移区距离为5微米。在实际工艺中,N型漂移区2通过离子注入形成,在退...
乔明
王裕如
张晓菲
代刚
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张波
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一种横向高压功率器件的结终端结构
本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构,曲率结终端结构中N型漂移区2,P型埋层9和N型掺杂层10的内壁分别向中间延伸至与直接结终端结构中N型漂移区2,P型埋层9和N型掺杂层10的...
乔明
代刚
张晓菲
王裕如
方冬
张波
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一种横向高压功率器件的结终端结构
本发明属于半导体技术领域,具体的说涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构,直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分,在Y方向,P型埋层超出N型漂移区距离为5微米;同时P型埋层还超出N型掺杂层3微米。在实际工艺中...
乔明
王裕如
代刚
张晓菲
周锌
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一种横向高压功率器件的结终端结构
本发明属于半导体技术领域,具体的说涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构,直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分,在Y方向,P型埋层超出N型漂移区距离为5微米。在实际工艺中,N型漂移区2通过离子注入形成,在退...
乔明
王裕如
张晓菲
代刚
周锌
何逸涛
张波
一种横向高压功率器件的结终端结构
本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构,曲率结终端结构中N型漂移区2,P型埋层9和N型掺杂层10的内壁分别向中间延伸至与直接结终端结构中N型漂移区2,P型埋层9和N型掺杂层10的...
乔明
代刚
张晓菲
王裕如
方冬
张波
一种横向高压功率器件的结终端结构
本发明属于半导体技术领域,具体的说涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构,曲率结终端结构中N型漂移区2内壁和P型埋层9内壁分别向中间延伸至与直接结终端结构中N型漂移区2内壁和P型埋层9内壁连接,延伸方向与直接...
乔明
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横向高压器件及其制造方法
本发明提供一种横向高压器件及其制备方法,器件的元胞结构包括第一导电类型半导体衬底、第二导电类型半导体漂移区,第二导电类型半导体漂移区自下而上依次层叠设置多个第二导电类型半导体子漂移区,方法为:采用外延工艺依次形成第二导电...
乔明
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一种硅基薄外延单RESURF电平位移结构
一种硅基薄外延单RESURF电平位移结构,属于半导体功率器件技术领域。包括基于浮动地的高端电路、终端、LDMOS、第一弯道区、第二弯道区;对于第一弯道区,增加漏极曲率半径以达到耐压需求;对于第二弯道区,增大第二弯道区漂移...
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