刘艳红
- 作品数：30 被引量：53H指数：5
- 供职机构：大连理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>
- 电化学刻蚀制备多孔InP
- 利用扫描电子显微镜(SEM)对电化学刻蚀多孔InP的形貌进行了表征,用耗尽层模型和场强化效应模型讨论了多孔InP刻蚀的机制。
- 翁占坤申慧娟刘爱民刘艳红徐峰罗慧晶
- 关键词：电化学刻蚀
- 专业课课堂实践教学的探索
- 2012年
- 本文首先从认识的基本原理出发,指出以解决实际问题为导向的课堂教学才会取得好的效果。实践教学对教学具有重要的意义。作者从个人学习及教学的体会及中外对习题的态度上,提出在课堂教学中,通过习题的分析讲解,可以达到实践教学的目的。习题有可能也有必要去承担起实践教学的任务。
- 刘艳红申人升梁红伟
- 关键词：专业课实践教学习题
- 等离子体技术在微细加工中的应用被引量：1
- 1998年
- 简要介绍了等离子体技术和微细加工技术。叙述了等离子体技术在微细加工技术的三个主要方面———微细图形加工、离子注入、薄膜沉积———中的应用。
- 刘艳红
- 关键词：等离子体技术微细加工技术
- CH_4或CH_4+Ar介质阻挡放电中的离子能量和类金刚石膜制备被引量：11
- 2006年
- 实验上,利用纯CH4及CH4+Ar在几百帕量级气压下的介质阻挡放电制备类金刚石膜,研究了气压p与放电间隙d乘积(pd值)以及Ar的体积百分比RAr对膜硬度的影响.理论上,从离子与气体分子的双体碰撞出发,利用较高折合电场强度E/n(电场强度与粒子数密度之比)下离子及中性粒子速度分布的双温模型、离子在其他气体中运动时遵守的朗之万方程及离子在混合气体中运动时遵守的布兰克法则,对CH4+和Ar+离子能量进行了分析.结果表明:1)CH4介质阻挡放电中,pd值由1·862×103Pa mm降低至2·66×102Pa mm时,CH4+能量由5·4eV增加到163eV,类金刚石膜硬度由2·1GPa提高到17·6GPa;2)保持总气压p=100Pa,放电间距d=5mm不变,在CH4中加入Ar气,当RAr由20%增加至83%时,CH4+的能量由69eV增加到92eV,而Ar+能量由93eV降低至72eV.虽然CH4+能量增加有助于提高沉积膜硬度,但当RAr大于67%,高强度Ar+轰击会导致膜表面石墨化,膜硬度降低.为了验证离子能量理论模型的正确性,实验测量了H2介质阻挡放电中离子能量,测量结果与理论计算之间最大相对误差为16%.
- 刘艳红张家良王卫国李建刘东平马腾才
- 关键词：离子能量介质阻挡放电类金刚石膜
- 射频磁控溅射沉积SiO_2膜的研究被引量：8
- 1997年
- 研究以射频磁控溅射法在Ｓｉ衬底上沉积ＳｉＯ２膜．这一方法避免了高温氧化法对器件性能的损害．在结构和物理性能上对ＳｉＯ２进行了多方面的测试和分析．结果表明，ＳｉＯ２膜具有：１）微晶结构，结构致密、表面均匀、无针孔等．２）优良的物理性能，腐蚀速率（在Ｐ腐蚀液中）０．２０～０．２４ｎｍ／ｓ，击穿场强２．６×１０７～４．４×１０７Ｖ／ｃｍ．可以得出结论：射频磁控溅射法沉积的ＳｉＯ２膜与热氧化法沉积的ＳｉＯ２膜具有相同的物理性质．
- 刘艳红郭宝海马腾才
- 关键词：硅器件二氧化硅射频磁控溅射法
- 一种β－碳化硅薄膜的制备方法
- 本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种β－碳化硅薄膜的制备方法，以硅烷作为硅源，氢气作为硅源稀释气体和载气，以石墨作为衬底和碳源，采用热丝化学气相沉积法在石墨衬底上制备β－碳化硅薄膜，制备好的β－碳化硅薄膜在惰性气体下...
- 边继明张志坤毕凯峰刘艳红刘维峰秦福文
- 基于HEMT结构的镓系半导体忆阻器及其制备方法
- 基于HEMT结构的镓系半导体忆阻器及其制备方法，属于半导体器件技术领域。在衬底上依次生长缓冲层、GaN层、AlGaN层，AlGaN层上方设有下电极，AlGaN层上方还设有器件区域或者器件区域阵列，器件区域或者器件区域阵列...
- 黄火林左青源刘艳红代建勋李大卫
- 等离子体技术在碳氮膜制备中的应用被引量：4
- 2004年
- β-C3N4是Cohen等人从理论上预言的一种可能比金刚石更硬的物质,含有β-C3N4的碳氮膜具有优异的电学、光学和机械特性,在很多领域有应用前景。人们已经应用多种方法进行碳氮膜的制备。本文将对等离子体技术在碳氮膜制备中的应用进行综述,并在成膜速率、成膜质量等方面,对以往工作成果进行论述;最后将讨论沉积过程中几个参量对碳氮膜沉积速率、膜结构等的影响。
- 李建刘艳红俞世吉马腾才
- 关键词：等离子体技术弹性模量射频磁控溅射
- GaN基异质结霍尔传感器封装测试与输出特性
- 2024年
- 霍尔传感器作为磁传感领域最常用的传感器类型,在工业生产、汽车电子、航空航天以及生物医学等方面均有广泛应用.本文利用宽禁带氮化镓(GaN)半导体耐高温、高迁移率等优点,采用标准半导体芯片制造工艺研制出AlGaN/GaN异质结结构霍尔传感器.高温应用环境下的传感器要求封装材料耐高温、产生应力低以及对传感器关键指标影响小.本文通过软件仿真树脂橡胶类3种不同封装材料封装后对传感器及键合线的性能影响规律,并通过实验验证不同材料封装前后传感器灵敏度、失调电压、温漂系数等物理参量的变化,遴选出综合性能最优的、可在550 K高温环境下使用的封装材料.最终得到封装后的霍尔传感器失调电压在1.0 mA激励电流时小于115μV,信号线性度在0~3.0 mA激励电流和0~1.0 T磁场测量范围内优于0.3%,而温漂系数在300~550 K温度范围内仅有-120.9 ppm/K,优于目前文献报道结果,因此有望应用于极端环境磁场检测中.
- 马凯鸣代建勋张卉丁喃喃孙楠孙仲豪刘艳红Yung C Liang黄火林
- 关键词：ALGAN/GAN异质结霍尔传感器金丝键合高温稳定性
- MOS表面反型层少子时变效应研究被引量：1
- 2000年
- 为深入研究半导体表面过程 ,主要针对 Zerbst方程 ,用数值拟合法 ,给出脉冲电压作用下 MOS器件半导体表面耗尽层宽度随时间变化近似解析解 ,进而得出与实验结果符合较好的表面少子时变关系解析式 ;分析了表面少子时变过程 ,为表面电荷转移器件的模拟分析提供了有力的工具 .
- 刘艳红魏希文许铭真谭长华
- 关键词：少数载流子
