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汤春江

作品数：15 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十三研究所更多>>
相关领域：电子电信理学金属学及工艺化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 1篇经济管理
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇电子产品
  • 3篇真空设备
  • 3篇子产
  • 3篇组装密度
  • 3篇密实
  • 3篇胶料
  • 3篇灌封
  • 1篇电阻
  • 1篇预置
  • 1篇整平
  • 1篇正规化
  • 1篇职业技能大赛
  • 1篇质量比
  • 1篇中间相
  • 1篇散热材料
  • 1篇衰减器
  • 1篇锁紧
  • 1篇锁紧螺母
  • 1篇陶瓷
  • 1篇陶瓷基

机构

  • 9篇中国电子科技...
  • 1篇东北大学

作者

  • 9篇汤春江
  • 3篇王多笑
  • 3篇朱敬东
  • 3篇刘涛
  • 3篇周军
  • 2篇刘俊夫
  • 1篇张崎
  • 1篇方军
  • 1篇胡朝春
  • 1篇李鸿高
  • 1篇刘牛
  • 1篇董菁
  • 1篇黄国平

传媒

  • 1篇现代企业
  • 1篇热加工工艺

年份

  • 4篇2024
  • 2篇2018
  • 2篇2016
  • 1篇2014
共 15 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
构建企业技能工群体的晋级发展之路
2018年
近年来，各类省级、国家级职业技能大赛开展的如火如荼，各大厂矿院所也是积极参与，获奖记录不断刷新，一大批优秀技能人才纷纷借助大赛平台脱颖而出，成为企业所倚重的蓝领。这表明，国家在对技能人员的培育和管理方面已进入到正规化、全局化、产业化和国际化的发展方向上来，“以赛促管、以管促训、以训强技、以技强企”的十六字方针已深入企业人心，企业技能工凭靠自身过硬的技术，用灵巧的双手创造奇迹，在平凡的岗位上追求职业技能的完美，最终脱颖而出，贡献企业，实现个人跃升的想法已不再是梦。
董菁胡朝春汤春江支林
关键词：职业技能大赛企业晋级正规化
大功率高组装密度电子产品的真空灌封装置
本实用新型涉及一种大功率高组装密度电子产品的真空灌封装置，包括灌封胶料槽及安装在灌封胶料槽下侧且用于安放电子产品的产品放置槽，所述灌封胶料槽的顶部开口，其底部设有多个与电子产品上灌封孔相对应的开孔，所述开孔与灌封孔之间通...
刘涛周军朱敬东汤春江王多笑
文献传递
一种电阻式衰减器及其制备方法
本发明涉及一种电阻式衰减器及其制备方法。该衰减器包括基底和设置在所述基底上的微带层、电阻层、介质层和电极层；所述基底采用陶瓷基片；所述电阻层设置在所述基底正面的中间位置处；所述微带层包括设置在所述基底正面的第一微带图形、...
刘牛姚艺龙汤春江刘俊夫
大功率高组装密度电子产品的真空灌封装置及其灌封方法
本发明涉及一种大功率高组装密度电子产品的真空灌封装置及其灌封方法，该灌封装置包括灌封胶料槽及安装在灌封胶料槽下侧且用于安放电子产品的产品放置槽，所述灌封胶料槽的顶部开口，其底部设有多个与电子产品上灌封孔相对应的开孔，所述...
刘涛周军朱敬东汤春江王多笑
文献传递
一种异形激光缝焊用盖板整平装置及方法
本发明涉及一种异形激光缝焊用盖板整平装置及方法。该装置包括压板、底板和压力施加机构；压板与所述底板通过定位销连接；压力施加机构包括设置在压板上的锁紧螺母、贯穿设置在锁紧螺母及压板中的锁紧螺柱以及设置在压板与底板之间的若干...
左标王超李妍龙汤春江刘俊夫
大功率高组装密度电子产品的真空灌封装置及其灌封方法
本发明涉及一种大功率高组装密度电子产品的真空灌封装置及其灌封方法，该灌封装置包括灌封胶料槽及安装在灌封胶料槽下侧且用于安放电子产品的产品放置槽，所述灌封胶料槽的顶部开口，其底部设有多个与电子产品上灌封孔相对应的开孔，所述...
刘涛周军朱敬东汤春江王多笑
文献传递
一种预置金锡焊料的方法
本发明公开了一种预置金锡焊料的方法，包括金锡共溅射的步骤，所述金锡共溅射工艺如下：采用多靶位共溅射工艺，控制1个金靶材和3～4个锡靶材同时溅射，其中，金靶材的溅射功率为400～800W，溅射速率为0.2～0.3nm/s；...
郑国强 冯书剑 姚艺龙汤春江李鸿高
一种提高引线抗拉强度的金属—玻璃封装外壳
本实用新型涉及一种提高引线抗拉强度的金属—玻璃封装外壳，包括外壳本体及设在外壳本体上的封接孔，封接孔中封接有采用变径结构的引线。引线采用4J50合金材料或4J50铜芯复合材料，引线变径处的长度不超过封接厚度，宽度比引线线...
方军张崎汤春江
文献传递
退火工艺对Cu/Al复层材料界面影响的研究被引量：1
2024年
采用纯铜/纯铝和纯铜/铝合金进行400℃温轧和退火热处理,并对得到的Cu/Al复层材料进行界面结合强度测试、界面金相显微组织分析和界面扫描电镜分析。结果表明:Cu/Al复层材料界面处Cu/Al中间相的形成需要一定的孕育期,其形成过程为:形核→核长大→沿界面横向连片生长→沿界面法线方向纵向生长;纯铜/纯铝复层材料最佳退火工艺为300℃×1 h,最大界面结合强度可达2.4 N/mm;而纯铜/铝合金为300℃×3 h,界面结合强度最大值为3.1 N/mm,保证了材料的成型性能,同时防止金属间化合物的生成;经较高温度的长时退火(500℃×5 h),纯铜/铝合金比纯铜/纯铝复层材料界面更容易形成脆性金属间化合物相,导致界面结合强度的降低,造成界面在剥离条件下的脆性断裂。
黄国平汤春江王群骄
关键词：温轧退火中间相
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