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张绵

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：河北半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇砷化镓
  • 1篇砷化镓衬底
  • 1篇深能级
  • 1篇势垒
  • 1篇能级
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基势垒
  • 1篇晶体管
  • 1篇MESFET
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管
  • 1篇衬底

机构

  • 1篇河北半导体研...
  • 1篇天津电子材料...

作者

  • 1篇胡恺生
  • 1篇张绵
  • 1篇郭小兵
  • 1篇周智慧

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2001
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
砷化镓衬底与MESFET中深能级研究
2001年
用波长范围为 70 0 nm到 350 0 nm的光电流测试系统研究了 SI- Ga As衬底、有源层和MESFET中的深能级。结果显示在 SI- Ga As衬底、有源层和 MESFET中的深能级有着较为密切的联系 。
郭小兵周智慧胡恺生张绵
关键词：砷化镓衬底场效应晶体管深能级
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共1页<1>
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