章灵军
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- GaAs/Ga_xAl_(1-x)As异质结的调制反射光谱研究
- 1993年
- 用光调制光谱方法研究了逐层腐蚀的GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs异质结,发现不同厚度的GaAs复盖层对异质结表面层电子能带有很大影响,由GaAs带间跃迁的Franz-Keldysh效应计算出表面层表面电场随外延层的变薄而增大,并计算出表面费密能级与导带底的距离f=0.27(0.03)eV,通过对Ga_(1-x)Al_xAs调制光谱的分析,发现表面复盖层对Ga_(1-x)Al_xAs层的调制光谱线形有调节作用,不同厚度的复盖层使PR线形发失变化,这与考虑干涉效应后的理论预计线形一致。
- 章灵军沈学础陆飞
- 关键词：异质结砷化镓
- 双单量子阱材料的调制光谱研究被引量：2
- 1993年
- 本文采用光调制光谱方法测量了GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs双单量子阱材料的光调制反射光谱(PR),同时观察到了二个单量子阱中的带间激子跃迁,采用电场调制线形可以拟合出激子跃迁的能量,与简单的有限方势阱模型的计算结果符合。并且由调制反射光谱中的Franz-Keldysh振荡,计算得到材料表面内建电场约为29.3kV/cm。
- 章灵军沈学础王太宏
- 关键词：半导体材料量子阱材料
- Cd_（1－x）Mn_xTe／CdTe多量子阱的光反射研究
- 1994年
- 本文首次报道用光调制光谱（ＰＲ）研究了Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ／ＧｄＴｅ半磁半导体多量子阱的能带结构和带间跃迁，观察到多量子阱的各子能级激子跃迁１１Ｈ．１１Ｌ，２２Ｈ，３３Ｈ等，并得到轻重空穴分裂为１８ｍｅＶ．当能带偏移Ｑｃ＝０．９０时，理论计算的子带跃迁能量与调制光谱结果符合很好．发现低温时第二子能级跃迁比第一子能级跃迁更强，并给出了初步解释，通过变温测量，测得各子能级的温度系数并与纯ＣｄＴｅ及Ｃｄ１－ｘＭａｘＴｅ混晶体材料的温度系数作了比较．
- 章灵军单伟姜山沈学础
- 半导体异质结、量子阱和超晶格的光调制光谱研究
- 章灵军
- 关键词：超晶格
