目的:评价不同抛光方向对全瓷部分贴面边缘表面粗糙度以及暴露树脂水门汀宽度的影响,为临床抛光提供参考。方法:在收集的离体牙中,挑选无龋坏,无磨耗且釉质光滑完整的前磨牙20颗,牙体预备后,制作IPS E. max Press部分贴面。部分贴面粘接完成后,用金刚砂车针进行边缘线的修整,然后使用EVE Diapol TWIST抛光工具,按照抛光方向从牙体组织到全瓷部分贴面方向和从全瓷部分贴面到牙体组织方向对同一部分贴面的两条边缘线进行抛光,标记为T-C组和C-T组。通过激光显微镜和扫描电镜及色散能谱,记录并分析全瓷部分贴面边缘的微观形貌、表面粗糙度及树脂水门汀暴露宽度。结果:T-C组的表面粗糙度值要小于C-T组的表面粗糙度值,T-C组的表面粗糙度值为(2.48±0.62)μm,C-T组的表面粗糙度值为(3.59±0.56)μm。T-C组的树脂水门汀条带的暴露量小于C-T组的树脂水门汀条带的暴露量,T-C组暴露树脂水门汀条带宽度为(98.10±29.64)μm,C-T组暴露树脂水门汀条带宽度为(145.00±30.50)μm。差异均有统计学意义。结论:不同抛光方向抛光全瓷部分贴面后,其表面粗糙度和树脂水门汀条带暴露量存在明显差异,因此,提示临床医生在进行全瓷部分贴面抛光时,建议采用牙体向全瓷部分贴面方向的抛光方式。
