陈新强
- 作品数:61 被引量:66H指数:5
- 供职机构:中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金创新研究群体科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域:电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 硅基衬底碲镉汞液相外延的生长方法
- 本发明公开了一种硅基衬底碲镉汞液相外延的生长方法,该方法的特征在于:先在Si/CdTe复合衬底外生长一层SiO<Sub>2</Sub>覆盖层,然后采用恒速降温和分步冷却相结合的方式生长HgCdTe外延薄膜。其有益效果在于...
- 徐庆庆魏彦锋陈新强赵守仁杨建荣
- 文献传递
- 椭偏测量技术在碲镉汞液相外延材料上的应用
- 本文采用椭圆偏振技术,对液相外延(LPE)生长的碲镉汞薄膜材料的组分及其组分的纵向分布进行了测量和研究.结果发现经P型热处理后的外延材料存在组分较低的表面层;去除表面效应和界面处组分互扩散的影响,薄膜材料的组分纵向分布具...
- 徐庆庆陈新强魏彦峰杜美蓉巫艳杨建荣何力
- 关键词:液相外延碲镉汞
- 文献传递
- 用于Ⅱ-Ⅵ族半导体材料位错显示的腐蚀剂及腐蚀方法
- 本发明公开了一种用于II-VI族半导体材料位错显示的腐蚀剂,该腐蚀剂的成份配比为:H<Sub>2</Sub>O∶HCl∶HNO<Sub>3</Sub>∶HF∶K<Sub>2</Sub>Cr<Sub>2</Sub>O<Su...
- 赵守仁陆修来魏彦锋陈新强杨建荣丁瑞军何力
- 文献传递
- 碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法
- 杨建荣王善力陈新强方维政巫艳于梅芳何力
- 本发明提供了一种长波碲镉汞外延材料P型热处理工艺及装置。该工艺由样品表面处理、热处理装置处理、装片、系统抽真空、热处理条件选择和淬火取出六部分组成,并提供了热处理装置设计。通过该装置和工艺可将用分子束外延(MBE)技术生...
- 关键词:
- 关键词:碲镉汞分子束外延
- 一种用于碲镉汞液相外延薄膜材料生长的带有母液消除装置的石墨舟
- 陈新强
- 该发明公开了一种用于碲镉汞液相外延薄膜材料生长的带有母液清除装置的石墨舟,包括:底板﹑滑块以及固定底板和滑块的底座,底板上开有一孔道,孔道内置有调节衬底与孔道口高度的石英垫片,石英垫片上放置衬底。滑块上开有放置母液的孔道...
- 关键词:
- 关键词:碲镉汞
- 长波红外2048元线列碲镉汞焦平面器件被引量:10
- 2009年
- 介绍了长波红外2048元线列碲镉汞焦平面器件的制备技术和达到的性能参数.探测器采用离子注入平面pn结制备光敏元,通过间接倒焊技术和读出电路互联,采用8个256元焦平面模块拼接2048元线列焦平面器件.光敏元的响应截止波长达到9.9μm,相应的R0A达到10Ωcm2,平均峰值探测率达到9.3×1010cmHz1/2W-1,响应不均匀性为8%,有效光敏元率大于99.5%.
- 李言谨杨建荣何力张勤耀丁瑞军方维政陈新强魏彦峰巫艳陈路胡晓宁王建新倪云芝唐红兰王正官
- 关键词:长波红外焦平面碲镉汞
- (Hg,Cd)Te薄腰的LPE生长条件与纵向组分分布被引量:3
- 1996年
- 根据热力学理论推导出(Hg,Cd)Te液相外延生长过程中有效分凝系数的表达式并与实验结果进行比较,由此分析了Hg压、溶液组成、降温速度及过冷度等对(Hg,Cd)Te液相外延薄膜纵向组分分布的影响.
- 李标褚君浩朱基千陈新强曹菊英汤定元
- 关键词:HGCDTE薄膜液相外延生长
- CdZnTe材料(111)B和(211)B面上位错腐蚀坑密度的差异被引量:4
- 1999年
- 用Everson腐蚀剂对CdZnTe晶体(111)B和(211)B面上的位错进行了腐蚀和观察,发现(111)B面上的腐蚀坑密度(EPD)值明显高于(211)B面上的EPD值,(111)B面上的EPD值与双晶衍射半峰宽有明显的依赖关系,(111)B面上的FWHM值随EPD的增加而增加。而(211)B面上的EPD则与材料的双晶衍射半峰宽无关。研究结果表明,用Everson腐蚀剂得到的EPD参数依赖于材料的晶体取向,在两种常用的晶体学取向中。
- 顾惠明杨建荣陈新强何力
- 关键词:CDZNTE位错衬底材料晶体
- 一种用于碲镉汞液相外延薄膜材料生长的带有母液清除装置的石墨舟
- 本发明公开了一种用于碲镉汞液相外延薄膜材料生长的带有母液清除装置的石墨舟,包括:底板、滑块以及固定底板和滑块的底座,底板上开有一孔道,孔道内置有调节衬底与孔道口高度的石英垫片,石英垫片上放置衬底。滑块上开有放置母液的孔道...
- 陈新强杨建荣魏彦锋徐琰徐庆庆何力
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- 碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法
- 一种碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法,热处理在分子束外延的真空腔体中或真空的石英安瓿中完成,热处理样品所需的CdTe覆盖层通过外延后直接生长的方法制备,杜绝了外界对样品的任何沾污。用该工艺进行空穴导电型热处理的成功率达...
- 杨建荣王善力陈新强方维政巫艳于梅芳何力
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