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李贺

作品数：24 被引量：1H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
相关领域：电子电信机械工程医药卫生理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇理学

主题

  • 14篇氧化镓
  • 5篇氮化
  • 4篇单晶
  • 4篇氮化铝
  • 4篇坩埚
  • 4篇外延膜
  • 4篇外延片
  • 4篇衬底
  • 3篇外延层
  • 3篇温场
  • 3篇晶体
  • 2篇单晶生长
  • 2篇低阻
  • 2篇氧气
  • 2篇生长介质
  • 2篇凸台
  • 2篇泡生法
  • 2篇偏角
  • 2篇气体
  • 2篇气相外延

机构

  • 22篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 23篇李贺
  • 15篇王英民
  • 1篇孙强
  • 1篇张超
  • 1篇王健

传媒

  • 1篇仪器仪表标准...

年份

  • 4篇2025
  • 10篇2024
  • 3篇2023
  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2014
  • 1篇2008
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种在GaAs衬底上生长GaInP薄膜的方法
本发明公开了一种在GaAs衬底上生长GaInP薄膜的方法。一、将具有2‑4º偏角的2英寸GaAs衬底清洗腐蚀；二、以金属Ga和金属In作为反应源，将Ga舟、In舟和衬底装炉并抽真空后通入H<Sub>2</Sub>，去除衬...
程文涛王健孙强张嵩张超董增印李贺
文献传递
泡生法生长氧化镓单晶的方法
本发明提供了一种泡生法生长氧化镓单晶的方法，所述泡生法生长氧化镓单晶的方法包括S01，装炉：向坩埚中装入重量为M1氧化镓原料，纯度5N，把装有原料的坩埚放入单晶生长炉中；在坩埚上方间隔放置若干个保温屏；顶端装[010]晶...
王英民霍晓青周金杰张胜男董增印李贺张嵩程红娟赖占平
氧化镓外延片制备方法、外延生长系统及氧化镓外延片
本发明提供一种氧化镓外延片制备方法、外延生长系统及氧化镓外延片。该方法包括：将（100）面氧化镓衬底放置在反应腔室内，通入第一预设流量的载气，设置反应腔室内的压力为第一预设压力，并升温至第一预设温度；通入第二预设流量的氢...
李贺董增印王英民程红娟张嵩王双
一种提高氮化铝外延层紫外透过率的保护装置及使用方法
本发明涉及一种提高氮化铝外延层紫外透过率的保护装置及使用方法。在基座的侧面中部设置一圈凸台，在基片槽的外围对称设置四个导气孔；下保护套上端的大直径圆环与基座的下部配合设置在凸台的下方，下端小圆环的内孔是进气孔，下保护套与...
王再恩王双孙科伟董增印李贺程文涛张嵩
卤化物气相外延法生长外延厚膜的方法及生长固定装置
一种卤化物气相外延法生长外延厚膜的方法及生长固定装置，预处理过程：将固定装置和基台紧扣在一起，装入生长炉内；抽炉内气压；向炉内充入气相外延生长载气，高温生长氮化物多晶，使氮化物多晶包覆衬在底固定装置上；生长结束后自然降温...
王再恩王英民程红娟王双孙科伟张嵩董增印李贺
浅谈LED显示屏分类及简单维修方法
简单介绍 LED 电子显示屏的分类、工作原理、维修方法。
李贺
关键词：发光二级管
文献传递
助熔剂法生长氮化镓过程中抑制活性金属被氧化的方法
本发明涉及一种助熔剂法生长氮化镓过程中抑制活性金属被氧化的方法，包括以下步骤：第一步：将氮化镓籽晶置于坩埚底部；第二步：将装有氮化镓籽晶的坩埚放入充有氮气或者氩气保护气的手套箱中；第三步：在充有保护气的手套箱中将活性金属...
董增印张嵩王英民程红娟孙科伟王再恩李贺王双
一种采用卤化物气相外延法生长氧化镓外延层的方法
本发明提供了一种采用卤化物气相外延法生长氧化镓外延层的方法，本方法利用蓝宝石、GaN和β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>单晶三种晶片作为衬底，采用卤化物气相外延法外延生长Ga<Sub>2</Sub...
李贺赖占平董增印程文涛张嵩
文献传递
一种生长氧化镓晶体的生长装置
本申请提供一种生长氧化镓晶体的生长装置，涉及半导体制备技术领域。该生长装置包括：加热器和用于放置氧化镓晶体的坩埚；加热器和坩埚均为桶型结构，且坩埚放置于加热器内；加热器的侧壁的斜率小于坩埚的侧壁的斜率，且加热器的上端面的...
周金杰霍晓青王英民张胜男程红娟张嵩董增印李贺
一种n型氧化镓单晶衬底的同质外延片及其制备方法
本发明提供一种n型氧化镓单晶衬底的同质外延片及其制备方法，属于氧化镓外延技术领域。该方法包括在n型氧化镓单晶衬底的背面生长介质层、以覆盖衬底的整个背面，得到生长介质层后衬底；在介质层的保护下，对生长介质层后衬底进行正面抛...
董增印王英民张嵩张力江程红娟李贺王双
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