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张传杰: 作品数：23 被引量：20H指数：3; 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>; 相关领域：电子电信理学文化科学金属学及工艺更多>>

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碲镉汞富碲垂直液相外延技术被引量：3: 2009年; 研究了碲镉汞富碲垂直液相外延技术.在研究该关键技术的过程中,提出了一种方法以检查外延前(Hg1-xCdx)1-yTey母液的均匀性.并且,通过减小生长腔体中的自由空间,对气体的对流和汞回流进行了抑制,及通过改进工艺过程中的温度控制方式来应对因对流和汞回流而造成的生长温度不确定性.在解决上述关键技术后,实现了碲镉汞垂直液相外延工艺的稳定性,所外延的中波碲镉汞材料的组分可重复性做到了±0.005,厚度控制能力达到了±5μm,40×30mm2外延材料的横向组分均匀性(相对均方差)小于1.3×10-3,同生长批次材料片与片之间的组分和厚度差异分别小于0.001和1μm.在10mm线度上,表面起伏小于1μm.经热处理后,中波汞空位p型材料在77K下具有较高的空穴迁移率.另外,和水平推舟技术相比,垂直碲镉汞液相外延在提供大批量和大面积相同性能材料方面具有明显的优势,这对于二代碲镉汞红外焦平面批生产技术和拼接型超大规模红外焦平面技术的发展都具有重要的意义.; 杨建荣张传杰方维政魏彦锋刘从峰孙士文陈晓静徐庆庆顾仁杰陈新强; 关键词：半导体技术液相外延

碲镉汞液相外延系统生长起始温度的精确控制方法: 本发明公开了一种碲镉汞垂直液相外延工艺中的起始生长温度精确控制方法，其特征是：在预生长之前增加一个二次降温过程，保证预生长温度高于生长温度并在一个允许范围内；在母液温度接近需要控制的开始生长温度前进行一次尝试性的短时间生...; 张传杰陈晓静魏彦锋杨建荣

激活退火对As掺杂型HgCdTe材料的影响被引量：1: 2010年; 研究了激活退火热处理过程对As掺杂碲镉汞外延材料组分的影响,实验包括不同的热处理条件以及不同厚度外延材料,并用红外透射光谱测量了退火前后材料组分的变化。实验结果表明,在相同温度和相同时间的热处理条件下,外延层的厚度越厚,热处理对材料组分的影响越小;在相同温度不同时间的热处理过程中,随着时间增加,材料的组分变化也随之增加,并且,外延层越厚,组分的变化量也越小。; 李艳鹏张传杰徐庆庆魏彦锋杨建荣; 关键词：碲镉汞

碲镉汞材料富汞制备技术所需高压保护性气体的控制方法: 本发明公开了一种碲镉汞材料富汞制备技术所需的高压保护性气体控制方法，其特征是：热处理系统内的气体压力由进气压力控制器，同时在系统的出气气路中在接入一个出气压力控制器，并跟着接入一个气体质量流量计，这样，当系统的气体压力小...; 张传杰杨建荣魏彦锋徐庆庆; 文献传递

As掺杂碲镉汞富碲液相外延材料特性的研究被引量：3: 2012年; 对富碲液相外延As掺杂碲镉汞(HgCdTe)材料的研究发现,其电学性能存在着不稳定性,材料霍尔参数的实验数据与均匀材料的理论计算结果也不能很好的吻合.通过采用剥层变温霍尔测量和二次离子质谱(SIMS)测试对材料纵向均匀性进行检测的结果显示,外延材料中的As在高温富汞激活退火过程中具有向材料表面扩散的效应,导致在表面形成了高于主体层浓度1～2个量级的高浓度表面层,并导致了AsTe受主的浓度在HgCdTe薄膜中呈非均匀分布.考虑这一效应并采用双层模型的霍尔参数计算方法后,As掺杂HgCdTe液相外延材料的电学行为得到了较好的解释,并较为准确地获得了退火后材料表面层与主体层的受主浓度及受主能级等电学参数.; 仇光寅张传杰魏彦锋陈晓静徐庆庆杨建荣; 关键词：碲镉汞

外延薄膜表面保护测试技术: 本发明公开了一种外延薄膜表面保护测试技术，它可以在外延生长结束后，对外延薄膜进行涂覆保护，涂覆层起到杂质粘污阻挡层的作用，并且，在带有涂覆层的情况下，可以提取外延材料组分、厚度、x光貌相参数。其特征是：外延薄膜表面采用光...; 魏彦锋陈晓静徐庆庆张传杰杨建荣; 文献传递

汞提纯装置中高纯汞的取出装置及方法: 本发明公开了一种汞提纯装置中高纯汞的取出装置及方法，其特征是：在负压的作用下将提纯后的汞，经不与第三者接触的接头，吸至取汞器皿中。该取汞装置的优点是，整个过程中，被提取的汞仅与高纯的石英管道和器皿相接触，提纯装置和被取汞...; 杨建荣张传杰魏彦锋徐庆庆; 文献传递

非接触式晶片厚度测量装置及方法: 本发明公开了一种非接触式晶片厚度测量装置及方法，其特征是：超净的晶片装置于一个相对封闭的净化空间内，使用傅里叶变换红外光谱仪利用非接触方法测量出该晶片两边至腔体内壁之间空气层的厚度，使用千分尺测量得到腔体两个内壁间距，这...; 陈晓静魏彦锋张传杰徐庆庆孙瑞赟

HgCdTe液相外延材料组分分布的红外透射光谱评价技术被引量：5: 2008年; 对红外透射光谱法测定HgCdTe液相外延材料纵向组分分布技术进行了深入的研究.红外透射光谱的理论计算采用了王庆学提出的组分分布模型,并考虑了光穿越组分梯度区时产生的干涉效应.通过测量同一样品在不同外延层厚度下的一组红外透射光谱,该方法的有效性得到了实验验证.进一步对组分模型中参数(即外延总厚度、组分互扩散区厚度、材料表面组分和HgCdTe层组分梯度)的拟合方法进行了讨论,并确定了各拟合参数的拟合精度.结果显示,该方法可作为测定HgCdTe液相外延材料组分特性的一种有效的测试评价技术.; 顾仁杰张传杰杨建荣陈新强魏彦峰; 关键词：HGCDTE LPE 红外透射光谱

碲锌镉材料腐蚀坑及其缺陷特性研究被引量：3: 2010年; 跟踪观察了Everson腐蚀剂在碲锌镉晶体(111)B面形成的腐蚀坑的形貌特征和空间延伸特性,并分析了各种腐蚀坑所对应的缺陷的特征。研究表明:碲锌镉材料的腐蚀坑具有三角锥型坑、平底三角坑、彗星状腐蚀坑和不规则腐蚀坑4种类型,其中三角锥型坑的坑尖又有5种不同的空间取向。彗星状腐蚀坑、三角锥型坑和不规则腐蚀坑具有定向移动特性。这表明这类腐蚀坑所对应的缺陷与材料的位错相关,但其穿越深度都不超过18μm,即缺陷同时具有局域化的特性。没有观测到平底三角坑的空间延伸特性,其所对应的缺陷可能是材料中的微沉淀缺陷。研究还发现:对于不同样品,各类腐蚀坑的数量和比例可有很大差异。而且,有些腐蚀坑所揭示的缺陷在被观察位置已经消失。因此,简单地用腐蚀坑密度(EPD)来描述碲锌镉材料表面缺陷密度和性能是不准确的。; 崔晓攀方维政张传杰刘从峰杨建荣; 关键词：碲锌镉位错腐蚀坑