刘斌
- 作品数：8 被引量：7H指数：1
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 沉积温度对多晶硅吸杂薄膜的影响被引量：1
- 2008年
- 研究了在不同温度下生长多晶硅吸杂薄膜,薄膜应力对硅单晶抛光片翘曲参数的影响,并对所得的多晶硅薄膜结构进行扫描电镜观察。实验结果表明,随着沉积温度的不断升高,多晶硅晶粒不断长大,晶界减少,多晶硅薄膜应力逐渐降低,吸杂硅片的翘曲度逐渐减小,综合考虑硅片的吸杂效能与弯曲翘曲度控制,650～680℃为多晶硅薄膜最佳沉积温度。
- 籍小兵周旗钢刘斌徐继平
- 关键词：沉积温度多晶硅吸杂晶粒
- 多晶硅沉积厚度对氧沉淀和洁净区形成的影响被引量：1
- 2016年
- 硅片背面沉积多晶硅是半导体生产中常用的吸杂手段,多晶硅中存在着大量的晶界,可以吸除金属杂质,它还可以影响硅片内氧沉淀的分布,增强内吸杂的作用。通过控制低压化学气相沉积(LPCVD)系统的沉积时间,在硅片背面沉积不同厚度的多晶硅薄膜,借助择优腐蚀和金相显微(OM)观察等手段研究了沉积厚度对重掺硼硅片内氧沉淀形成与分布的影响。结果表明:沉积的多晶硅薄膜越厚,硅片的形变量越大,小尺寸的氧沉淀数量增多并在表面附近聚集,大尺寸的氧沉淀则倾向于在体内和背面形成,洁净区的厚度则减小直至无洁净区建立。多晶硅薄膜通过对硅片施加应力引起硅片形变,从而影响氧沉淀硅片体内形成的位置,起到促进内吸杂的作用。最佳多晶硅沉积厚度为800 nm。
- 黄栋栋曲翔刘大力周旗钢刘斌刘红艳
- 关键词：氧沉淀
- 高温氩退火对直拉CZ硅单晶中空洞型微缺陷的影响被引量：2
- 2012年
- 研究了高温氩退火对大直径直拉硅单晶中晶体原生粒子缺陷(COP)的消除作用。分别在不同温度和保温时间下进行退火,然后利用表面扫描检测系统SPI测量退火前后硅片表面COP的密度变化,来表征退火对COP的消除作用。研究发现,在1200℃退火2 h能够显著降低硅单晶表面区域的COP密度,并且随着退火时间的延长COP的密度降低得越多。然后,把所有的退火硅片抛去不同的厚度,检测COP在厚度上的分布,进而得出退火对COP消除的有效距离为0～10μm。因此,可以得到高温氩退火只能够消除硅片表面的COP缺陷,而对于硅片内部的这些缺陷影响较小。
- 李宗峰周旗钢何自强冯泉林杜娟刘斌
- 关键词：直拉硅单晶大直径高温退火
- N_2气氛下快速退火(RTA)对硅片氧沉淀密度和表面形貌的影响被引量：1
- 2005年
- 快速退火(RTA)单晶硅片时,硅片内部会形成一种特殊的空位分布。空位的分布将决定后序两步退火(800℃,4 h+1000℃,16 h)后生成的洁净区宽度和氧沉淀密度。研究了N2气氛下,不同RTA恒温时间对洁净区形成和氧沉淀密度的影响。发现延长RTA恒温时间,会增加氧沉淀密度。使用原子探针显微镜(原子力显微镜)研究了RTA后表面形貌的变化。发现在N2气氛下RTA处理过的硅片,表面微粗糙度略有增加。
- 冯泉林周旗钢王敬刘斌刘佐星
- 关键词：硅抛光片氧沉淀内吸杂原子力显微镜
- 快速热退火对CZ硅片中点缺陷和洁净区形成的影响
- 该文利用快速热退火(RTA)工艺改进了常规三步退火内吸除工艺,对RTA处理与其后低高温两步退火对硅片中点缺陷、氧沉淀和洁净区形成的影响进行了研究.论文中研究了RTA持续时间、降温速度、气氛和两步退火中的低温形核温度及两步...
- 刘斌
- 关键词：快速热退火点缺陷氧沉淀吸除
- 文献传递
- 注氢硅中微结构缺陷的TEM观察被引量：1
- 2003年
- 通过透射电子显微镜观察到注氢硅片中存在损伤带 ,损伤带的位置和注入氢的分布几乎一致 ,推断损伤带是由于氢的注入引起的。损伤带内主要以平行于正表面的 {111}面状缺陷为主 ,另外还有斜交于正表面的 {111}面状缺陷以及 {10 0 }面状缺陷 ,这是由于氢朝能量低的位置的迁移聚集而形成的。在损伤带的中间还可见到晶格紊乱团块和空洞 ,这是由于损伤带中间存在高浓度的氢和高密度的面状缺陷而导致形成的。
- 肖清华王敬屠海令周旗钢刘斌
- 关键词：硅氢离子注入TEM微缺陷
- 重掺硼硅片表面清洗研究
- 2017年
- 研究了SC-1清洗过程对重掺硼和轻掺硼硅片表面颗粒、微粗糙度的影响及其清洗后硅片表面化学组态分布,采用表面颗粒激光扫描仪、原子力显微镜及X射线光电子能谱(XPS)对重掺硼和轻掺硼硅片在SC-1清洗过程中表现的不同清洗特性进行分析。结果表明:在SC-1清洗中,重掺硼硅片表面更容易吸附颗粒,需要更长的清洗时间来得到清洁表面;随清洗时间延长,重轻掺硅片表面微粗糙度均有增大趋势,且重掺硼硅片表面微粗糙度始终比轻掺硼硅片大,通过表面高度结果可知,相同清洗条件下,重掺硼硅片表面纵向腐蚀深度比轻掺硼大0.3 nm,与(111)面的晶面间距相近;XPS结果显示重掺硼硅单晶中大量硼原子的引入对SC-1清洗过程中的各向异性腐蚀有一定的增强效果,适当改变SC-1清洗中的氧化剂的含量有助于得到更好的表面质量。
- 墨京华李俊峰刘大力刘斌鲁进军周旗钢
- 大尺寸硅片边缘抛光技术被引量：1
- 2016年
- 重掺衬底硅片在经历高温外延加工过程中,硅片边缘的损伤会在硅片的外延层上形成位错缺陷。对边缘初始状态一致的直径为200 mm硅单晶片进行酸腐蚀、机械抛光、化学机械抛光及机械抛光加化学机械抛光等不同条件下的边缘抛光实验,使用显微镜观察抛光片的边缘形貌,使用三维光学表面分析仪对抛光片的表面粗糙度进行测量,之后对抛光后的样品进行外延加工,对比经过不同加工方式的抛光后硅片边缘损伤的残留程度。结果表明,酸腐蚀能够去除硅片边缘绝大部分的损伤,机械抛光会重新带入机械损伤,机械抛光后再进行化学机械抛光能彻底消除硅片边缘的损伤层,但相对成本较高。化学机械抛光也能够彻底去除硅片边缘的损伤层,是大尺寸衬底硅片边缘抛光的最优加工工艺。
- 李耀东库黎明刘斌王新郑琪刘红艳
- 关键词：硅片机械抛光
