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刘宗顺
作品数:
178
被引量:95
H指数:6
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中国科学院半导体研究所
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赵德刚
中国科学院半导体研究所
陈平
中国科学院半导体研究所
朱建军
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
江德生
中国科学院半导体研究所
杨静
中国科学院半导体研究所
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一种紫外红外双色探测器及制作方法
本发明公开了一种紫外红外双色探测器及制作方法。该紫外红外双色探测器包括:一衬底,在该衬底上进行紫外红外双色探测器用材料结构的生长;一缓冲层,生长在衬底之上;一第一n型欧姆接触层,生长在缓冲层之上,用于欧姆接触;由相互交替...
刘宗顺
赵德刚
朱建军
张书明
王辉
江德生
杨辉
文献传递
蓝紫光InGaN多量子阱激光器
被引量:2
2007年
在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了InGaN长周期多量子阱激光器结构.三轴晶X射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导GaN激光器,激光器的腔面为GaN的自然解理面.室温,电脉冲注入,激光器可实现激射.阈值电流密度为3.3kA/cm2,特征温度为145K.
李德尧
张书明
王建峰
陈俊
陈良惠
种明
朱建军
赵德刚
刘宗顺
杨辉
梁骏吾
关键词:
GAN基激光器
多量子阱
一种Si基GaN及其生长方法
本公开提供一种Si基GaN及其生长方法,方法包括:在基础层(1)上生长混合梯度AlGaN层(2);在混合梯度AlGaN层(2)上生长GaN层(3);其中,混合梯度AlGaN层(2)中,靠近GaN层(3)一侧的Al含量小于...
张臻琢
赵德刚
杨静
梁锋
陈平
刘宗顺
文献传递
GaN基金属-半导体-金属探测器
在非故意掺杂的GaN外延层上制作了MSM结构的探测器.对暗电流进行了测试分析,发现在大电压下老化以后暗电流发生变化.光谱响应测量中发现带隙内的异常峰值响应现象.根据陷阱模型对它们做出了解释.
刘文宝
赵德刚
刘宗顺
杨辉
关键词:
MSM结构
探测器
光谱响应
淬灭
文献传递
157W准连续AlGaAs/GaAs激光二极管线列阵
被引量:7
2000年
通过优化设计量子阱结构和列阵结构,减小腔面光功率密度,避免器件腔面灾变损伤,得到1cm AlGaAs/GaAs 激光二极管线列阵,在热沉温度21℃,脉冲宽度200μs,重复频率100Hz时,输出峰值功率达157W.
方高瞻
肖建伟
马骁宇
谭满清
刘宗顺
刘素平
胡长虹
鲁琳
李秀芳
王梅
关键词:
激光二极管
列阵
砷化镓
基于PN异质结的氮化铝真空探测器及其制备方法
本发明提供一种基于PN异质结的氮化铝真空探测器及其制备方法,包括:蓝宝石衬底;在蓝宝石衬底上依次叠置的氮化铝缓冲层、氮化铝外延层和P型铝镓氮层;氮化铝层、二氧化硅绝缘膜和第一Ti/Al/Ti/Au层沿第一方向并列覆盖于P...
赵德刚
孙兆兰
杨静
梁锋
刘宗顺
陈平
利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法
一种利用光辅助氧化湿法刻蚀III族氮化物的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:利用标准的光刻工艺在III族氮化物表面制作有图案的紫外光掩蔽层;步骤2:将表面上制作有图案的紫外光掩蔽层的III族氮化物置于高能紫外光下曝...
刘文宝
孙苋
赵德刚
刘宗顺
张书明
朱建军
杨辉
文献传递
Schottky结构与p-i-n结构GaN紫外探测器的制作、测量和特性比较
本文研究了Schottky结构和p-i-n结构GaN紫外探测器的结构特点和器件特性。制作了可比较的Schottky结构和p-i-n结构GaN紫外探测器,对它们的I-V特性曲线和光谱响应度曲线进行了测量和分析.经过比较发现...
张爽
杨辉
赵德刚
刘宗顺
朱建军
张书明
段俐宏
刘文宝
孙苋
江德生
关键词:
紫外探测器
光谱响应特性
文献传递
准连续大功率二维层叠量子阱激光器列阵
被引量:11
1998年
研究了大功率列阵器件的量子阱结构、材料生长、列阵结构、隔离技术与封装技术,研制出6条层叠GaAs/AlCaAs量子阱激光器列阵,其峰值功率为404W(20Hz,200μs),电-光转换效率高达43.3%。
肖建伟
刘宗顺
刘素平
方高瞻
胡长虹
李秀芳
鲁琳
徐素娟
关键词:
量子阱激光器
列阵
大功率
半导体激光器
一种铟镓氮薄膜的生长方法
本发明公开了一种铟镓氮薄膜的生长方法,用以降低铟镓氮薄膜的V型缺陷,该方法包括:步骤1:在衬底上依次生长一低温氮化镓缓冲层、一高温非故意掺杂氮化镓层;步骤2:在高温非故意掺杂氮化镓层上生长一铟镓氮层,然后升高温度至退火温...
梁锋
赵德刚
刘宗顺
朱建军
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