吴广国
- 作品数：4 被引量：10H指数：2
- 供职机构：北京师范大学核科学与技术学院低能核物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 硅漂移探测器的制作工艺及特性研究被引量：6
- 2009年
- 采用双面并行的平面工艺研制出了有源区面积5mm2的硅漂移探测器(SDD)。这种双面并行的平面工艺使得SDD绝大部分正面和背面的pn结结构能够并行完成,极大地减少了工艺步骤,降低了器件制作的难度。对研制的SDD的漏电流、电势分布、光电子的漂移特性等进行了测量和分析,对238Puα射线源的能谱进行了测量,对正常工作状态下出现的悬空阳极电位进行了分析和讨论。报道了利用阳极漏电流、光电子漂移特性、悬空阳极电位对SDD芯片进行中测和封装前快速筛选的方法。
- 吴广国黄勇贾彬曹学蕾孟祥承王焕玉李秀芝梁琨杨茹韩德俊
- 关键词：光响应度
- 硅漂移探测器的制作工艺及特性研究
- 采用双面并行的平面工艺研制出了有源区面积5mm的硅漂移探测器（SDD）。这种双面并行的平面工艺使得SDD绝大部分正面和背面的pn结结构能够并行完成,极大地减少了工艺步骤,降低了器件制作的难度。对研制的SDD的漏电流、电势...
- 吴广国黄勇贾彬曹学蕾孟祥承王焕玉李秀芝梁琨杨茹韩德俊
- 关键词：光响应度
- 文献传递
- SPAD单光子探测器SPICE电路模型的建立与仿真研究被引量：3
- 2009年
- 在SPAD等效电路的基础上建立了简单实用的SPICE电路模型,并对SPAD四种基本的工作电路结构(被动淬灭、主动淬灭、门控模式和电容淬灭)进行了细致的仿真分析。仿真结果清晰的反映了四种电路各自的特性和优缺点,以及SPAD器件寄生参数对于电路性能的影响,得到了与实验基本一致结果。该电路模型可以直接应用于后续信号读出电路及前置放大电路系统的仿真设计,调节电路参数,优化电路性能,从而节省后续电路设计与制作的时间。
- 袁俊吴广国张国青梁琨杨茹韩德俊
- 关键词：SPADSPICE仿真盖革模式雪崩光电二极管
- 硅漂移探测器的研究
- 硅漂移探测器(SDD)结构由E.Gatti和P.Rehak于1983年提出，因其输出电容小(一般小于0.1pF)且不依赖于探测器面积，电子学噪声一般远小于同样面积和厚度的Si-PIN探测器，只需采用简单的半导体致冷就能够...
- 吴广国
- 关键词：光子计数漏电流光电倍增管
