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冀子武

作品数：25 被引量：10H指数：2
供职机构：山东大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金山东省自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 8篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 7篇理学
  • 6篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 13篇发光
  • 8篇光致
  • 7篇多量子阱
  • 7篇量子
  • 7篇ZNSE
  • 7篇BETE
  • 6篇光致发光
  • 5篇非掺杂
  • 5篇INGAN/...
  • 4篇量子阱结构
  • 4篇二维电子
  • 4篇二维电子气
  • 4篇分子束
  • 4篇分子束外延
  • 4篇INGAN/...
  • 3篇载流子
  • 3篇势垒
  • 3篇发光特性
  • 3篇波长
  • 2篇低温恒温器

机构

  • 23篇山东大学
  • 4篇千叶大学
  • 3篇东京大学
  • 1篇北京师范大学
  • 1篇河北半导体研...
  • 1篇山东浪潮华光...
  • 1篇广东省科学院...

作者

  • 25篇冀子武
  • 15篇徐现刚
  • 8篇郑雨军
  • 7篇赵雪琴
  • 4篇徐明升
  • 3篇三野弘文
  • 2篇鲁云
  • 2篇郝晓涛
  • 2篇张磊
  • 2篇李睿
  • 2篇黄树来
  • 2篇王绘凝
  • 2篇郭其新
  • 2篇王雪松
  • 2篇李炳生
  • 2篇殷航
  • 1篇陈锦祥
  • 1篇李刚
  • 1篇于浩海
  • 1篇吕元杰

传媒

  • 6篇物理学报
  • 1篇山东科学
  • 1篇聊城大学学报...

年份

  • 1篇2025
  • 2篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2020
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 4篇2012
  • 2篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
  • 3篇2008
共 25 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
相分离的InGaN量子阱中载流子的传输和复合发光机制
GaN合金是一个很重要的材料,在高亮度发光二极管(LED)和连续波(cw)蓝色激光器等光电器件领域有着重要的应用.理解InGaN多量子阱(MQW)内部的载流子输运过程和发光机制,对进一步研发高效率、高性能相关光电器件至关...
冀子武
关键词：激子斯塔克效应
近紫外GaN基量子阱结构的局域和极化效应
2025年
在具有蓝宝石衬底的AlN模板上外延生长了近紫外In 0.01 Ga 0.99 N/Al 0.15 Ga 0.85 N多量子阱结构,对其荧光(PL)特性进行了测量。结果显示,该结构的PL峰位能量和线宽的温度行为分别呈“S”形(降低-增加-降低)和“W”形(变窄-变宽-变窄-变宽),而其激发功率行为则分别呈“N”形(增加-降低-增加)和“V”形(变窄-变宽)。这些行为表明了该量子阱结构中载流子复合发光的局域特征和量子限制斯塔克效应的库伦屏蔽效应。前者被归因于阱厚起伏所导致的阱层内的势起伏,而后者则被归因于阱/垒晶格失配所诱发的极化电场。此外,该结构的积分PL强度的温度行为也证实了其阱层内局域深度的非均一性。
武智波贺龙飞吴宗豪徐明升王成新徐现刚冀子武
关键词：光致发光局域效应
用光致激发在非掺杂量子阱中产生带电激子的方法及装置
用光致激发在非掺杂量子阱中产生带电激子的方法及装置，涉及带电激子的生成方法及装置，用能量大于ZnSe量子阱禁带宽度的激光对异质结构硒化锌/碲化铍中的硒化锌阱层进行激发而产生电子和空穴；本发明装置由光低温恒温器、激光器、光...
冀子武郑雨军赵雪琴徐现刚
文献传递
电流强度和温度对InGaN/GaN多量子阱发光特性的影响
InGaN合金是一个很重要的材料,在高亮度发光二极管(LED)和连续波(cw)蓝色激光器等光电器件领域有着重要的应用.理解InGaN多量子阱(MQW)内部的发光机制,对进一步研发相关光电器件至关重要[1-3].
冀子武
掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构中带电激子的磁场效应
2008年
报道了n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSeⅡ型量子阱(type-ⅡQW)在极低温(5—10 K)条件下的各种光学性质.磁场中(Farada配置)ZnSe层的反射光谱展示了一个典型的负的带电激子(X-)的跃迁特征.对于空间间接光致发光(spaciallyindirect PL)光谱,它的主发光峰显示了一个反玻尔兹曼分布的非对称性,并且在磁场中(Voigt配置)它的峰值能量随磁场的增加而降低.这些实验结果显示了该掺杂样品的空间间接PL是来自Ⅱ型QW结构所特有的带电激子的跃迁.
冀子武三野弘文音贤一室清文秋本良一嶽山正二郎
关键词：光致发光二维电子气
超强磁场下非掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱中激子和带电激子的光学特性被引量：1
2011年
报道了液态氦温度(4.2K)下非掺杂ZnSe/BeTeⅡ型量子结构中ZnSe势阱层内空间直接光致发光(PL)光谱的磁场依赖性(磁场高达53T).实验结果显示,随着磁场的增加,激子和带电激子的PL强度呈现出相反的振动行为.当激子的PL强度增加时带电激子的PL强度减小,反之,当激子的强度减小时带电激子的强度却增加.并且在整个磁场范围内,这些振动呈现近似等间隔的周期性变化.这个行为被解释为费米能级与朗道能级的周期性共振,这个共振导致了处于费米能级上的二维电子气态密度的周期性调制.
冀子武郑雨军徐现刚
关键词：光致发光二维电子气
一种防紫光半透明有机光伏器件结构及其制备方法
本发明涉及一种防紫光半透明有机光伏器件结构及其制备方法，包括由下自上依次生长的衬底、阳极、空穴传输层、活性层、电子传输层、阴极及UV滤光层。本发明选取380nm高波通滤光片添加到金属阴极之上，不降低器件性能的同时有效降低...
郝晓涛李刚殷航冀子武 吴宗豪于浩海
具有相分离的InGaN基蓝绿双波长纳米柱LED制备及光学特性研究
王强王雪松冀子武
消除ZnSe/BeTeⅡ量子阱中内秉电场的方法
消除ZnSe/BeTE II量子阱中内秉电场的方法，属光电材料制备技术领域，用分子束外延工艺制备II型量子阱材料，在衬底上生长缓冲层、隔离层、势阱-势垒-势阱层等；本发明所生长界面结构的量子阱材料具有质量高、界面处晶格匹...
冀子武郑雨军赵雪琴徐现刚
文献传递
利用能带剪裁提高发光效率的AlGaN/AlGaN多量子阱基LED结构及其制备方法
本发明涉及一种利用能带剪裁提高发光效率的AlGaN/AlGaN多量子阱基LED结构及其制备方法，属于微电子技术领域，LED结构自下而上依次包括蓝宝石衬底、AlN缓冲层、n型Al<Sub>z</Sub>Ga<Sub>1‑z...
冀子武邓建阳徐现刚
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