卜俊鹏
- 作品数：25 被引量：28H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- SI-GaAs29Si+离子注入层性能研究
- 1前言在Sl—GaAs晶片上直接离子注入Si,是制作多种徽波器件和GaAs集成电路的重要方法。Si注入,热退火之后,Sl-GaAs基体上就形成了一低阻薄层。在器件工艺过程中,这些低阻薄层的性能将对器件和集成电路的性能起决...
- 卜俊鹏曹福年白玉珂吴让元惠峰刘明焦何宏家
- 关键词：SI-GAAS
- 文献传递
- 一种晶片工艺卡具
- 本发明涉及晶片加工工具技术领域，特别是一种晶片工艺卡具。由侧推立柱(1)，四面锥体(2)以及卡具体(3)组成，卡具体(3)同其他工艺部分连接，连接方式根据需要设定。晶片卡具由侧推立柱1，四面锥体底座2，卡具体3组成。侧推...
- 朱蓉辉惠峰卜俊鹏郑红军
- 文献传递
- 精密多线切割和研磨用切磨粉体材料
- 本发明涉及粉体切磨料技术领域，特别是一种材料精密多线切割和研磨加工中所使用的起切削研磨作用的粉体切磨料。该粉体由两种几何形状类型不同的粉体组成。所含的两种不同的粉体材料的形状一种为常规粒状粉体，另一种为柱状粉体。所含的粒...
- 朱蓉辉惠峰卜俊鹏郑红军
- 文献传递
- 降低GaAs抛光晶片亚表面损伤层的分析
- 作者分析了砷化镓抛光晶片亚表面损伤层引入的影响因素,重点讨论了不同弹性抛光布不同浓度抛光液进行GaAs晶片化学机械抛光试验,并用TEM测量晶片亚表面损伤层厚度.
- 郑红军卜俊鹏尹玉华惠峰
- 关键词：砷化镓抛光电学性质
- 文献传递
- GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析被引量：3
- 1999年
- 采用ＴＥＭ、ＸｒａｙＲｏｃｋｉｎｇＣｕｒｖｅ等测试的方法，对ＧａＡｓ晶片化学机械抛光后亚表面损伤层引入的深度进行了分析，探讨了碱性ＳｉＯ２胶体水溶液加入不同浓度的电解质（ＮａＯＣｌ）后所发生胶粒带电程度的变化，从胶体理论的角度解释了ＳｉＯ２胶体溶液不稳定对ＧａＡｓ抛光晶片亚表面损伤层的影响。
- 郑红军卜俊鹏何宏家吴让元曹福年白玉珂惠峰
- 关键词：砷化镓抛光亚表面损伤层
- 高质量4-6英寸砷化镓单晶产业化技术研究
- 惠峰卜俊鹏王文军郑红军高永亮
- 该项目的发展前景是：以数字移动通讯、卫星通讯、光纤通讯、全球定位系统(GPS)等电子信息技术产品需求为背景；确保现代国防中电子对抗、相控阵雷达、精确制导、卫星定位系统等电子系统的基础材料需求；为大直径砷化镓（SI-GaA...
- 关键词：
- 关键词：晶体生长砷化镓单晶
- 非掺杂LEC砷化镓晶体中砷沉淀和位错关联性质
- 2008年
- 通过使用激光散射扫描的方法,定性地研究非掺杂半绝缘LEC砷化镓(100)方向生产的晶体中砷沉淀在晶体径向截面分布,得到了在一种特定热场中生长的晶体中存在4个砷沉淀的聚集中心结论,而这4个聚集中心却正好是晶体上位错密度相对较低的区域.作者主要研究了这种分布和位错之间的关系,分析其形成过程,并得出在晶体生长及后期退火过程中,位错在晶体中起到了输送砷原子的管道作用,加速了砷原子在晶体中的扩散过程,导致网格位错密集区的大直径砷沉淀的密度相对位错稀疏区和位错线区的砷沉淀密度较低.
- 朱蓉辉曾一平卜俊鹏惠峰郑红军赵冀高永亮
- 关键词：砷化镓LEC微缺陷位错分布
- 多线切割载荷控制方法
- 本发明涉及切割控制技术领域，特别是一种多线切割载荷控制方法。特点是它借助传感器测量工件所受来自切割钢线的载荷压力，在切割全过程或部分过程中使用以载荷压力为参数来调整切割进给速度、钢线速度的方式，载荷压力的值可以预先设定，...
- 朱蓉辉惠峰卜俊鹏郑红军
- 文献传递
- 双面抛光机
- 一种双面抛光机，包括：内齿圈和外齿圈，所述内齿圈设置于外齿圈内中心位置处；上抛光盘和下抛光盘，所述上抛光盘和下抛光盘呈圆环形，环绕内齿圈而设置在内齿圈和外齿圈之间；以及至少一个单面抛光用晶片固定盘，贴附多个被加工的晶片；...
- 朱蓉辉赵冀惠峰卜俊鹏郑红军
- 文献传递
- 利用红外偏振光显微镜对Ｓｉ－ＧａＡｓ抛光损伤的研究
- 卜俊鹏何宏家
- 关键词：红外显微镜砷化镓晶体缺陷晶体检验
