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刘玉

作品数：37 被引量：1H指数：1
供职机构：安徽大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信语言文字一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 34篇专利
  • 3篇学位论文

领域

  • 18篇自动化与计算...
  • 3篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇语言文字

主题

  • 18篇电路
  • 12篇芯片
  • 7篇运算电路
  • 5篇集成电路
  • 5篇乘法
  • 4篇电路技术
  • 4篇阵列
  • 4篇集成电路技术
  • 3篇电压
  • 3篇电子设备
  • 3篇信号
  • 3篇信号线
  • 3篇位点
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米材料
  • 3篇极板
  • 3篇功耗
  • 3篇SRAM
  • 3篇CIM
  • 3篇DRAM

机构

  • 37篇安徽大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 37篇刘玉
  • 29篇蔺智挺
  • 29篇吴秀龙
  • 27篇彭春雨
  • 27篇卢文娟
  • 24篇李鑫
  • 19篇周永亮
  • 19篇赵强
  • 13篇胡薇
  • 3篇王鑫
  • 3篇李昊
  • 2篇牛和林
  • 2篇宋吉明
  • 2篇沈玉华
  • 2篇张胜义
  • 2篇朱明
  • 2篇毛昌杰
  • 2篇杨洋
  • 2篇杨辉
  • 1篇陈琳

年份

  • 11篇2025
  • 9篇2024
  • 10篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2020
  • 1篇2015
  • 3篇2014
共 37 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
胶体法合成三元铜基纳米材料及其热电性质研究
胶体合成法可以在相对较短的时间、较低的温度下大量合成结构新颖纳米材料。过去十年中，由于在光催化剂、光电探测器和热电等方面的应用，采用胶体法合成多元金属硫属化合物纳米材料展现出蓬勃的发展的趋势。本文在国内外大量文献调研的基...
刘玉
关键词：纳米晶热电性质半导体材料
文献传递
一种Cu<Sub>3</Sub>SbSe<Sub>4</Sub>三元纳米球的制备方法
本发明公开了一种Cu<Sub>3</Sub>SbSe<Sub>4</Sub>三元纳米球的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明在室温下制备硒源，将其注射到180摄氏度的阳离子反应溶液中，反应时间为半小时，结束后水浴迅...
宋吉明刘玉张胜义牛和林毛昌杰沈玉华
文献传递
输入增显和任务投入量对非英语专业学生词汇附带习得的影响
词汇在英语学习中起着重要作用。词汇量的大小直接影响学生的听、说、读、写能力。如今，有意习得仍是词汇习得的主要方法。然而，越来越多的研究者关注到了附带习得的价值。此外，许多研究者讨论了影响词汇附带习得的因素。　　在众多因素...
刘玉
关键词：英语学习非英语专业词汇附带习得任务投入量
文献传递
联合知识蒸馏与核相似性的CNN结构化稀疏方法及系统
本发明涉及神经网络技术领域，更具体的，涉及联合知识蒸馏与核相似性的CNN结构化稀疏方法及系统。本发明包括：获取样本数据集，并划分成训练集和测试集；使用样本数据集对原始CNN模型进行预训练，得到预训练后的CNN模型；基于预...
刘玉楼扬杜佳璐杨睿戴成虎李鑫蔺智挺吴秀龙彭春雨卢文娟
一种基于分支电流的存内累乘计算电路
本发明涉及一种基于分支电流的存内累乘计算电路。该基于分支电流的存内累乘计算电路包括用于存储权重数据的存储阵列，存储阵列由多个相同的SRAM单元构成，每列SRAM单元共享位线BL、BLB。位线BL、BLB与用于复制一个恒流...
蔺智挺赵致远施琦吴秀龙彭春雨赵强郝礼才刘玉李鑫卢文娟周永亮
指数和归一化电路、最大值搜索电路、MAC电路及芯片
本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种指数和归一化电路、最大值搜索电路、MAC电路及芯片，以及集成有浮点型MAC电路的CIM芯片。其中，最大值搜索电路由按列排布的多个比较单元构成，每个比较单元包含3个NMOS管N1～N...
蔺智挺 王东骋王鑫吴秀龙刘玉 戴成虎赵强胡薇 郝礼才李鑫周永亮 李志刚
自回存10T-SRAM单元、阵列结构、及存内运算全阵列激活电路
本发明涉及动态随机存取存储技术领域，更具体的，涉及一种自回存10T‑SRAM单元、基于该种自回存10T‑SRAM单元构建的阵列结构、以及基于该种阵列结构构建的存内运算全阵列激活电路。本发明提供的自回存10T‑SRAM单元...
蔺智挺金芊吴秀龙彭春雨戴成虎卢文娟赵强周永亮李鑫刘玉郝礼才
SRAM的存内乘法运算电路和模块、SRAM和电子设备
本申请涉及一种SRAM的存内乘法运算电路和模块、SRAM和电子设备，其中，该存内乘法运算电路包括存储部分和加权部分，存储部分包括八个存储单元，每个存储单元具有模拟量输入端和模拟量输出端且用于存储单比特权重，每个存储单元在...
蔺智挺杨洋赵强刘玉杨辉卢文娟彭春雨李志刚吴秀龙
一种在内存中实现迭代式或计算的10T SRAM电路
本发明公开了一种在内存中实现迭代式或计算的10T SRAM电路，所述电路以10TSRAM单元为基本单元设置n行n列的内存单元，每个10T SRAM单元包括上半部分、中间部分和下半部分，PMOS晶体管M1和M2，NMOS晶...
蔺智挺李广东刘立吴秀龙彭春雨赵强卢文娟戴成虎刘玉周永亮
一种9T1C存算电路、乘累加运算电路、存内运算电路、芯片
本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种9T1C存算电路、乘累加运算电路、存内运算电路、芯片。9T1C存算电路具有数据读写保持功能和乘法运算功能；9T1C存算电路由6个NMOS管N0～N5，3个PMOS管P0～P2和1个...
蔺智挺谷硕吴秀龙彭春雨赵强戴成虎卢文娟郝礼才周永亮刘玉李鑫
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