窦雁巍
- 作品数:27 被引量:79H指数:6
- 供职机构:黑龙江大学电子工程学院更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域:电子电信一般工业技术文化科学化学工程更多>>
- 电偶腐蚀法制备多孔硅的研究被引量:1
- 2006年
- 用电偶腐蚀法制备多孔硅,主要研究了铂电极的优化制备工艺以及腐蚀条件对多孔硅厚度的影响,并且结合SEM,AFM等测试手段对所制备的多孔硅的表面形貌进行了分析。实验发现,在相同的腐蚀条件下,多孔硅的厚度随铂电极的厚度以及铂电极与腐蚀硅片的面积比的增大而增大。
- 房振乾胡明窦雁巍宗杨梁继然
- 关键词:多孔硅厚度表面形貌
- 电化学腐蚀多孔硅表面形貌的结构特性被引量:8
- 2006年
- 多孔硅作为微电子机械系统中重要的热绝缘层和牺牲层材料,其表面形貌结构特性是影响多孔硅上薄膜器件性能的重要因素.为此,利用双槽电化学腐蚀方法制备了多孔硅薄膜,并通过原子力显微镜和场发射扫描电子显微镜对制备多孔硅的表面形貌和孔径大小分布进行了观察.结果发现:腐蚀初期,在硅表面会有大量的硅柱形成,硅柱的直径、高度、分布密度与电流密度成正比关系;硅柱在进一步腐蚀过程中会消失,多孔硅的表面粗糙度随着腐蚀的进行,先减小再增大,最后达到稳定值0.52nm;多孔硅孔径大小分布区间随腐蚀时间增加变窄.
- 梁继然胡明窦雁巍
- 关键词:多孔硅微电子机械系统电化学腐蚀孔径
- 酞菁镍薄膜型NO2气体传感器的制备与性能研究
- 酞菁最初是由Braun和Tchemiac于1907发现。酞菁是一个大环化合物,环内有一个空穴,空穴的直径约为2.7x10-8cm,可以容纳多种金属和非金属元素。酞菁环本身是一个具有18个7π电子的大π体系,在此体系中,1...
- 窦雁巍邱成军孙艳美
- 关键词:气体传感器气敏特性
- 文献传递
- 多孔硅表面氧化钒热敏电阻薄膜的阻温特性被引量:2
- 2006年
- 用电化学腐蚀法制备了具有不同导热系数的多孔硅样品(孔隙率为80%±2、厚度为110μm时,导热系数可降低至0.20 W/m·K),并在其表面沉积了氧化钒热敏薄膜,研究了多孔硅样品的热绝缘性能对氧化钒热敏薄膜阻温特性的影响.结果表明:多孔硅良好的热绝缘性使在其表面制备的氧化钒热敏薄膜电阻的灵敏度远高于在硅基底上制备的热敏电阻的(多孔硅和硅片上的氧化钒薄膜电阻随功率变化斜率分别为120 kΩ/μW和2.1 kΩ/μW),且热敏电阻的灵敏度随着多孔硅孔隙率和厚度的增大而升高.
- 窦雁巍胡明崔梦宗杨
- 关键词:无机非金属材料多孔硅热绝缘氧化钒薄膜
- 显微拉曼光谱法对多孔硅热导率的研究被引量:3
- 2006年
- 多孔硅优良的热学性能使其成为MEMS领域新兴的热绝缘材料。文中采用一种简便且无损的多孔硅热导率测量技术——显微拉曼光谱技术对电化学腐蚀法制备的不同孔隙率和厚度的多孔硅试样热导率进行了测量,结果表明在多孔硅的拉曼谱峰位置与其温度间存在线性对应关系。在所有样品中,厚度为110μm空隙率为65%的多孔硅显示出最好的绝热性能,其热导率为0.624W/mK。且随多孔硅孔隙率和厚度的减小,其热导率有迅速增加的趋势(厚度和孔隙率为9μm和40%时,其热导率升至25.32W/mK)。
- 崔梦胡明窦雁巍宗扬
- 关键词:微电子机械系统多孔硅热导率显微拉曼
- 一种基于压电光电的柔性复合能量采集器及其制作方法
- 本发明涉及能量采集技术领域,具体公开了一种基于压电光电的柔性复合能量采集器及其制作方法。该柔性能量采集器包括导电衬底以及分别设置于导电衬底上的压电模块与光电模块,其中压电模块包括由下向上依次设置的氧化锌纳米棒阵列以及第一...
- 刘红梅王杰平宋佳明赵晓锋窦雁巍艾春鹏
- 可穿戴盲文识别装置研制
- 2024年
- 设计了一款基于柔性压力传感器阵列的可穿戴盲文识别装置,以满足视障人士和盲人的信息交流。装置由柔性4×4压力传感器阵列、数据采集模块、上位机软件、语音播报模块和电源构成。该装置中的压力传感器采用二维纳米材料石墨烯油墨,利用精密印刷工艺制作而成,能准确感知压力信号。信号采集模块基于STM32f103c8t6微控制芯片和可靠的电路设计,实现对16个传感点压力信号的采集、转换和计算。上位机软件接收蓝牙传输的数据,实时显示传感点压力值和压力分布映射。语音播报模块对传感点压力分布映射进行盲文信息识别,结果以语音形式播报。该装置可有效识别英文字母和简单的单词。
- 闫振东李天宇李丹妮窦雁巍刘红梅
- 基于嵌入式系统人员计数统计的方法及设备
- 基于嵌入式系统人员计数统计的方法及设备,现有的采集人体信息的方式所采集的信息都是杂乱的。本发明方法:信号采集:将信号采集装置的探测器放置在人体通过区域的顶部,经过改造的光学系统,红外热释电传感器只对限定探测区域内的人体信...
- 邱成军窦雁巍卜丹邓舸古力
- 文献传递
- MEMS中多孔硅绝热技术被引量:10
- 2005年
- 主要介绍了多孔硅的制备方法(化学法、电化学法及原电池法等)、多孔硅导热系数测试的几种常用手段(温度传感器法、显微拉曼散射法及光声法等)、导热系数的理论模型及影响因素.此外,采用不同方法制备了多孔硅样品,分析了其表面形貌并用显微拉曼光谱法测定了导热系数.结果发现,化学法制备的多孔硅孔径尺寸大于微米量级,而利用大孔硅电化学和原电池法得到的样品孔径尺寸小(约20nm),属于介孔硅.由于腐蚀条件的不同,多孔硅的孔隙率和厚度也不同,多孔硅的导热系数随孔隙率和厚度的增大而迅速减小.
- 窦雁巍胡明宗杨崔梦
- 关键词:多孔硅MEMS拉曼光谱法化学法制备显微拉曼散射法
- 多孔硅纵向孔隙率与残余应力分布的研究
- 2006年
- 利用电化学方法在p型重掺杂单晶硅(100)基体上制备了多孔硅薄膜,通过质量计算法得到多孔硅的孔隙率,并研究了多孔硅孔隙率随腐蚀深度变化的规律。利用显微拉曼光谱技术对多孔硅纵切面上的残余应力进行了测量,结果表明,多孔硅的孔隙率随腐蚀时间/深度的增加有先增加后减少的趋势;多孔硅纵向上存在拉伸残余应力,拉伸应力的分布与纵切面上孔隙率的分布成正比,先增大,再减小;到达多孔硅与基体硅的界面处时,拉伸应力减小为零,靠近硅一侧,转变为压应力;残余应力的最大值出现在临近多孔硅表面以下的区域。这主要与多孔硅制备过程中孔内HF酸浓度的降低和硅/电解液表面的电偶层有关。
- 梁继然胡明窦雁巍雷振坤房振乾亢一澜
- 关键词:多孔硅残余应力微电子机械系统