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一种基于缩颈型坩埚的无坩埚壁接触式单晶生长方法: 本发明公开了一种基于缩颈型坩埚的无坩埚壁接触式单晶生长方法，适用于晶体密度大于熔体密度的材料的大直径高质量单晶体生长。本发明利用碲锌镉（CdZnTe）熔体凝固时体积缩小的物理性质，设计了一种中部有缩颈的坩埚，并使晶体在坩...; 孙士文何力杨建荣周昌鹤虞慧娴徐超盛锋锋; 文献传递

基于移动加热器法的碲锌镉晶体研究进展: 2024年; 碲锌镉(Cadmium Zinc Telluride,CZT)具有优良的物理性质,可用于制备室温核辐射探测器以及用作碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride,MCT)红外焦平面衬底材料。多种方法可被用来生长CZT晶体,但难点仍在于获得大体积、低缺陷的单晶。移动加热器法(Traveling Heater Method,THM)是一种主要的CZT晶体生长方法,它具有生长温度低、单晶率高、组分均匀性好等优点。对THM法生长CZT晶体进行了综述,介绍了其发展历程和相关研究结果。首先分析了THM生长的基本原理及工艺流程,然后对生长过程中的宏观形貌特征与关键影响因素进行了阐述,接着分析了Te夹杂缺陷与微观界面形貌的相关关系以及抑制手段,最后对比了THM法与布里奇曼法生长CZT晶体的Zn组分分布差异性,突出了THM法在宏观成分均匀性方面的优势。; 李尚书徐超; 关键词：碲锌镉移动加热器法晶体生长红外焦平面

一种碲锌镉晶体表面沉淀物腐蚀坑的识别方法: 本发明公开了一种碲锌镉晶体表面沉淀物腐蚀坑的识别方法。包括晶体表面预处理、晶体表面清洗、配制腐蚀液并腐蚀晶体表面和观察识别晶体缺陷4个步骤，其特征在于：在观察识别晶体缺陷的步骤中使用常规光学显微镜对碲锌镉晶片表面的腐蚀坑...; 盛锋锋杨建荣孙士文周昌鹤虞慧娴徐超; 文献传递

50mm×50mm高性能HgCdTe液相外延材料的批生产技术被引量：11: 2017年; 采用富碲垂直液相外延技术实现了50 mm×50 mm×3高性能碲镉汞外延材料的制备.外延工艺的样品架采用了三角柱体结构,并设计了防衬底背面粘液的样品夹具.为保证大面积材料的均匀性,工艺中加强了对母液温度均匀性和组分均匀性的控制,50 mm×50 mm外延材料的组分均方差达到了0.000 4,厚度均方差达到了0.4μm.在批量生产技术中,加强了对单轮次生长环境的均匀性和生长轮次之间生长条件一致性的控制,同一轮次生长的3片材料之间的组分偏差小于0.000 4,厚度偏差小于0.1μm,不同生长轮次之间材料的组分之间的波动在±0.002左右,厚度之间的波动在±2μm左右.工艺中对碲锌镉衬底的Zn组分、缺陷尺寸和缺陷密度也加强了控制,以控制大面积外延材料的缺陷,晶体双晶衍射半峰宽(FWHM)小于30弧秒,外延材料的位错密度小于1×105cm^(-2),表面缺陷密度小于5 cm^(-2).外延材料经过热处理后,汞空位型的P型Hg0.78Cd0.22Te外延材料77 K温度下的载流子浓度被控制在8~20×1015cm-3,空穴迁移率大于600 cm2/Vs.材料整体性能和批生产能力已能满足大规模碲镉汞红外焦平面探测器的研制需求.; 孙权志孙瑞赟魏彦锋孙士文周昌鹤徐超虞慧娴杨建荣; 关键词：碲镉汞液相外延大尺寸高性能

一种用于制备半导体材料的套管式腔体结构: 本发明公开了一种用于制备半导体材料的套管式腔体结构，套管式腔体采用多层管子相套而成的结构，内管形成的腔体为材料制备提供需要的工艺环境和条件。通过选择套管的层数，控制套管之间的间隙和各层套管的长度，并采用在套管开口处加塞等...; 杨建荣徐超; 文献传递

X射线衍射形貌术在碲锌镉晶体中的应用被引量：3: 2014年; 碲锌镉晶体中存在着各种典型晶体缺陷,X射线衍射形貌术是一种非破坏性地整体研究晶体材料结构完整性、均匀性的有效方法。本文将反射式X射线衍射形貌术应用于碲锌镉晶体质量的评价,研究了入射线狭缝宽度、积分时间、扫描步长等测试参数以及样品表面加工状态对X射线衍射形貌的影响。结果表明入射线狭缝宽度对碲锌镉晶体的X射线衍射成像及晶体质量筛选应用影响很大,积分时间、样品扫描步长等测试参数的选择与入射线狭缝宽度密切相关。; 孙士文隋淞印何力周昌鹤虞慧娴徐超; 关键词：碲锌镉晶体缺陷

碲锌镉衬底晶片切割损伤层的检测与控制研究: 本文提出了梯度化学减薄腐蚀法对碲锌镉衬底晶片的切割损伤层厚度进行检测,先使用体积分数为1%-5%的溴甲醇溶液,对晶片(111)B面进行10-30分钟的化学梯度减薄,获表面为斜面的样品。再使用Everson腐蚀液揭示晶体的...; 虞慧娴孙士文储远洋周梅华周昌鹤徐超杨建荣; 关键词：损伤层碲锌镉; 文献传递

两步法消除碲锌镉材料中富碲沉淀相缺陷的热处理方法: 本发明公开了一种两步法消除碲锌镉材料中富碲沉淀相缺陷的热处理方法，该方法先将碲锌镉材料放置在富碲状态下进行热处理，使富碲沉淀相缺陷中过量的碲原子从样品中排出，然后再用富镉热处理对样品进行处理，使Cd原子进入液态的富碲沉淀...; 杨建荣徐超盛锋锋孙士文; 文献传递

表面处理对Au-CdZnTe电极接触性能的影响被引量：2: 2016年; 碲锌镉(CdZnTe)是制备X射线、γ射线探测器的一种理想半导体材料。CdZnTe欧姆接触电极是制备CdZnTe核辐射探测器的关键技术之一。表面加工状态是影响欧姆接触性能的重要因素,文中研究了4种表面处理工艺对Au-CdZnTe电极接触性能的影响。研究发现对晶片表面进行溴甲醇腐蚀处理和机械化学抛光均有助于提升Au-CdZnTe电极欧姆接触性能。对晶片进行机械化学抛光后再进行溴甲醇腐蚀处理,使用这种晶片所制备的电极具有更加优良的综合电学性能。; 张大众朱丽慧孙士文周昌鹤虞慧娴徐超; 关键词：碲锌镉表面处理欧姆接触

一种用于制备半导体材料的套管式腔体结构: 本发明公开了一种用于制备半导体材料的套管式腔体结构，套管式腔体采用多层管子相套而成的结构，内管形成的腔体为材料制备提供需要的工艺环境和条件。通过选择套管的层数，控制套管之间的间隙和各层套管的长度，并采用在套管开口处加塞等...; 杨建荣徐超; 文献传递

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徐超