郭春生
- 作品数：168 被引量：175H指数：8
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术理学更多>>
- 一种测量半导体器件和接触材料间接触热阻的方法
- 本发明属于电子器件测试领域，公开了一种测量半导体器件和接触材料间接触热阻的方法。首先测出待测半导体器件的电压-温度系数曲线，绘制其热阻微分结构函数曲线，进而求出其内部热阻R<Sub>th0</Sub>。然后，测量不同压力...
- 郭春生李睿冯士维张燕峰石磊
- 1/f噪声源与其在半导体可靠性评估中的应用
- 1/f噪声,由于其能够反映器件的质量与可靠性参数,其研究受到重视。本文首先较为系统地介绍了1/f噪声源两种较为成熟的理论:迁移率涨落模型和载流子涨落模型,最后介绍了几个1/f噪声与半导体器件参数漂移相关的实例。
- 刘鹏飞郭春生李秀宇李志国
- 一种测量IGBT在高温反偏试验中结温变化的方法
- 本发明公开了一种测量IGBT在高温反偏试验中结温变化的方法，利用IGBT在高温反偏试验中的漏电流与温度的对应关系，对实验中的器件结温进行实时监控的方法。且IGBT漏电流以器件内部MOS部分漏电流为主，在高温反偏试验前需先...
- 郭春生蔡文漪姜舶洋罗琳
- 一种电学法测量结型半导体发光器件光效退化参数的方法
- 一种电学法测量结型半导体发光器件光效退化参数的方法属于半导体发光器件产品的质量监控领域。半导体发光器件(发光管和激光器)的发光效率η是决定产品退化和工作寿命的重要参数。发光效率的测量通常使用光学仪器。本技术利用光效与器件...
- 冯士维张光沉郭春生王璐
- 一种基于电子辐照控制PN结缺陷能级的方法
- 本发明公开了一种基于电子辐照控制PN结缺陷能级的方法，其步骤为：(1)一次加工前的摸底实验，根据辐照条件对器件进行分组；(2)按照辐照条件对器件进行辐照加工，固定辐照方向、辐照环境及冷却系统；(3)在常温常压下储存器件以...
- 郭春生王若旻冯士维
- 一种功率循环实验中测量与控制SiC功率VDMOS器件结温的方法
- 本发明公开了一种功率循环实验中测量与控制SiC功率VDMOS器件结温的方法，该方法主要通过功率循环实验平台进行间歇性功率施加的方式来加速器件老化过程，以达到模拟SiC功率VDMOS器件实际工况的目的。通过采集器件工作在非...
- 郭春生果昊刘雨浓魏磊
- 双极型晶体管工作在放大区的结温实时测量方法
- 双极型晶体管工作在放大区时结温的实时测量方法，属于半导体器件测试领域。本发明在双极型晶体管工作在不同集电结电压V<Sub>ce</Sub>和集电极电流I<Sub>ce</Sub>的条件下测量出发射结电压与温度的V<Sub...
- 郭春生丁嫣姜舶洋冯士维苏雅
- AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的可靠性被引量：2
- 2014年
- 利用正向肖特基结结电压与温度的线性关系,对AlGaN/GaN HEMT器件有源区瞬态温升进行了测量,其热阻为19.6℃/W。比较了不同测温方法和外界环境对器件沟道温升的影响。并研究了栅极施加反向直流阶梯应力对AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响,结果表明器件在应力作用下电学参数退化,大信号寄生源/漏极电阻RS/RD和栅源正向I-V特性在击穿后能得到恢复。AlGaN势垒层陷阱俘获电子和电子填充栅极表面态是器件参数退化的原因,表面态恢复是器件参数恢复的主要原因。
- 冯士维邓兵张亚民石磊郭春生朱慧
- 关键词：应力可靠性
- GaN基大功率白光LED的高温老化特性被引量：19
- 2011年
- 对大功率GaN基白光LED在85℃下进行了高温加速老化实验。经6 500 h的老化,样品光通量退化幅度为28%～33%。样品的I-V特性变化表明其串联电阻和反向漏电流不断增大,原因可归结为芯片欧姆接触的退化及芯片材料中缺陷密度的提高。样品的热特性变化显示出各结构层热阻均明显增大,这是由散热通道上各层材料的老化及焊料层出现大面积空洞引起的。分析表明,高温老化过程中芯片和封装材料的退化共同导致了LED的缓变失效。
- 周舟冯士维张光沉郭春生李静婉
- 关键词：大功率白光LED热阻
- 面向高校工科专业的双语教学研究与实践——以《电子材料与器件》课程为例
- 2023年
- 双语教学是我国高等教育改革的重点内容之一,是培养具有国际化视野高水平层次人才的重要途径,随着经济全球化的发展,双语教学的重要性日益彰显。本文以《电子材料与器件》双语课程为例,分析了高校工科专业双语教学中需要特别关注的几个关键内容,并结合自身多年双语教学经验与体会,提出了能够有效提高大学工科双语教学质量的关键方法。
- 朱慧郭春生张亚民周丽星刘博张蒙冯士维
- 关键词：双语教学教学质量
